Toshiba Capstone Project

Wall Street Journal Article
Toshiba Considers Spinning Off Core Semiconductor Business
Compan ma pin off memo ni o keep i compe i i e in he face of g o ing financial i k
T ba C . a d Wed e da a e g g a ff f f ab e e c d c , a
a a c d e a e ca e e a b -d a e-d a c ea
b e .
A ff a d f e ca a d e e c e e Sa g E ec c C . a
d e e b f d a e e a e eeded e e ea a ab ea f
ec g ca c a ge .
A dec c d c e a ea a F da e T ba a b ef ba c e
c ea b e c , e e fa a e a e a d. A T ba a e e ,
e d g e ca ed a c d g e N e e a e ab e b e ff,
a d e a a a a ad a ced age f de be a b f a dec a e bee ade.
Af e a acc g ca da 2015 a ed e e g a f a age e , T ba
ged bac c a e a d c e a U.S. c ea ec de a e
b We g e E ec c a d a b ed ac e e d e ead a
b -d a e-d .
Se c d c a e e f T ba c e b e e a g de e c ea e a .
Ma fac g f a e c a a e b g g d beca e a de ce
a e a e c g e f age ace f ad a a d d d e .

Ma e eade Sa g ad a 35% f a e a e a e e f e e e a f e
ec d a e a ea , acc d g e ea c f IHS Ma , e T ba a ec d
ace 20%.
T ba a e 860 b ($7.6 b ) b Ma c 2019 e b e , add
ge g e f a e , We e D g a C ., c a e d- a ge
a e a e f 15%. T ba a d We e D g a a e a f a - e a fac g
e e Ja a .
T e e e fa a e a e a d b e a e a d e c d a e a a e e
e c d c . T e a d We e D g a a a e a e a d g e b e
a a a e . We e D g a d d e a ca ee g a c e .
T ba b ed a f 250 b a ea c ea a b e , a d e b e
a e ade f a c a a d g e f ag e, IHS a a Sa O a a a d.
A a a e g gge ed a g ff e e c d c c d e a e
e a a d e e f be g ed d b T ba e b e . B c a
e ec e a e e e ed ca ab e g T ba ec g fa f e g a d .
I ead, T ba d e g d a ea a e ca , e a
ed ca a a e ag e c e a ce ag g ac e a d e ca e . Ca I c.
b g e f 665.5 b .
T ba age a d e ec c de ce b e , c c de e c d c ,
ed a e a g f f 78 b e g Se . 30, 2016, e a
d b e e ea -ea e f g e.
I a d f T ba a b c a e f f d beca e e acc g ca da , c
ad ed add g f f ea , e T S c E c a ge a c .
T e Ja a e e g e e a d ba a e e e ed ead e T ba, a
beca e c ea a d defe e a e c ec ed a a - ec c ce . S g ff
e e c d c c d e T ba e ade ba a e ab
e c g.
M c , T. (2017, Ja a 18). To hiba Con ide Spinning Off Co e Semicond c o
B ine . Re e ed f

:// . .c /a c e / ba-c de - g- ff-c e- e -b e -148469963
9
Executive Summary
B e g a ff a e f e b e , e T ba G e e g
c a ed e . A a ee e de e e f d g a age ec g a d a a e
eade e d , T ba de a g f e age b e d a f e 144- ea
d c a . T e c g e a e a a e a de a ge f a e , e g c e a
a ge f c a e e e e c e .
T ba a ge e e e b e , E e g a d I f a c e, a faced g f ca
c a e ge ce e $5.4B ac f We g e E ec c C . 2005, c a ade
de f T ba e e c ea e . I 2015, T ba e d $2.3B f
b e a e, a d a e 2016 e c a a ced a d e d a add a
$6.3B f e c ea a e. T fa e f a ac a a b ed a be f fac
c d g c e a c ea a a d e dec ea ed de a d f c ea e ac e
d, f e ced a b e F a Da c c ea d a e . O f , e e d
f e c ea b e c c ded a acc g ca da . I 2015, T ba ad ed a
ad e a ed ea g b $1.9B d a e a e e - ea e d.1
T e c e e ce f a f a b e d a a . T e c a c a e a
d ed b e a 50% f ea Dece be 2016 ea Ma c 2017. I add , a f
Ma c 2017, e c a a e de a e ega e a e de e , a d e c a2
fac g a g f ca e e f deb ($5.3B f e deb ), e a f c ca ed b
ba , M a d S M .
The Move
T ba eed ac de ee e c g e a e b e . T e be e e a ea f
ab g e c a e - e a a e f a b e eg e . Of e a
b e e a e c a c e e , E ec c De ce a d C e b e ,
b ed b e d g a e age d c , e a ac e a e ce ed b
a e b e e . T c c ed b e a a f e d g a age a e a d
T ba b e a a .
1
Addad , M. (2015, Se e be 8). To hiba acco n ing candal i m ch o e han e ho gh .
2
W g, J. (2017, Feb a 14). To hiba P oblem Go Be ond N clea Acco n ing Me .

E e nal Anal i Takea a :
T e d g a age d a a $32B d 2014 a d ec ed g
d a a ca e e e 5 ea , c ee g a e e a e a ac e. W e de a d3
f e g g a d , a e ce a e e ec ed dec e e e e a d e
c e ad . T e e a e g ba e e , g b e e , e d g
c ce a ed, a d e ea f b e g , a g e d fa a ac e. T e
c e e ce f e e c c a ce a T ba e b e c d be a a ac e
c a e, b f e a e c e a g a a a e a e e e e
a ge ca ge a e ba e e . T e a e e e e a e g e e
g b e e a d e c d a e f e . I a g ce b e
d g e e a ge e e f a e e ec g . F e e ea , c e
a e e a a c ac ead g b a d , a d f a c e e c e e
P-C . P f a g e b gge c e a e bee e d g d a d e e
a fe ea . T ba c e d e be NAND be d Sa g, b
e f a c a a d ca e a e a be ab e ee e e e e ed
d g e a e .
Internal Analysis Takeaways
T ba e a e a a c g e a e a a age a de a e f b e e , ead
ac f c a e :
1. E e g S e & S C a
2. I f a c e S e & S C a
3. S age & E ec c De ce S C a
4. I d a ICT S C a
T ba a e e a d c e a e e f e b e a d e g a f
c ea g a e a ab e d. E e g S e a d I f a c e S e e a e
d e e e a g a ca c ea be ea ed, b e g ec a e f S age a d
I d a ICT a e e e e f e a g a . T e e a e a a e be ee E e g
S e a d I f a c e S e a a e ea ed e g e e e , b S age a d
3
S a , P. (2016, Dece be ). 3D NAND Fla h Memo Ma ke .

I d a ICT e a e d e a eac e e a e d ffe e e f a e . F e , f
e e b e , e S age & E ec c De ce S C a e a
e a d e a e a F c D ffe e a a ac a eg a e e f
b e e d . I e age b e ec f ca T ba e ed c e e e
d , a g fac g f a c a e e a a 3D NAND. T e c a ffe
a e e a ac e b be g a ec g eade , ec f ca 3D NAND, a d a b
a g ea ed e e a a e e a a e e a g e c e e .
T ba b a d a ca e g f ca c a d c de ed a g e ce.
Recommendation
A a c e e ce f a a , c ea a e a eg c e, b ab e e
c a f e g- e a d dea e - e c ce , d be e f a d
a c e e a e f e age b e . We f e ec e d a e c a e
I d a ICT, a d e f e a ed c a e a eg . T e a e f e e
b e c d a e ace a be f d ffe e a a d a be f , a a
f c be e ed e a e ec f a e . We e a e e a e f e b e
be $20.5B, c c d be c ea ed b a e g c e a a c a e . S ce e
c a g $5.6B deb , a a e a e f f a $6.3B e-d , a d
ad ac edge a $1.9B acc g ca da , c a a e c d ab e e c a
f a c a a d a e c g e a e f c ac e g ea ed e g e
e a g b e fac g e a ba c e c .
EXTERNAL ANALYSIS
Industry Definition
T e digi al memo ind e c a de f ec a ed d c e .
H e e , a e c e f e a ec g e a e a f ca ec g e : e ed
a da a age ca ac , a ca ed - a e e , a d - e e ed
e ab e ce f c , a ca ed a e e . N - a e e a e
da a be a ed e e c e e ed ff, e a e e da a be e a ed
e e de ce ff. I e a c e e , a d d d e (HDD ) a d S d
S a e D e (SSD ) a e e a d c ed f age, eac f c e ab e age

g c e g ec g e . Ra d acce e (RAM) e a - e
e d c .
T e c e f d ed Exhibit 1. Be a e e a f e e
d c T ba c e e :
NAND o age: A f f d g a age a e e e e, a e e a d e
g e f g a a a e a e a e , c a HDD , a e e a e ba
f a e d c . I 2014, e d g a age d a a $32B d .4 5
T e a c e a e f d de a ed Exhibit 2. T e
d c e ed b ec g a e:
S o age De ice: T e c e f a e a c e a e e a e
da a. S age De ce g NAND a e ea f g da a a e efe ed
a SSD (S d S a e D e ).
HDD o age: T e e e e e f f d g a age, ed a f a d
d e a e de d ec g a c a ed NAND. A HDD e a
ec a ca a ead a d e e da a e age a f , a g
e a NAND.
USB S o age: P ab e age de ce a e a USB a c e ,
e e , de ce a g a e a c ea e age ca ac a d de ce.
eMMC and Memo Ca d : S a , ab e eg a ed age de ce a g e
age ca ab de ce a d a f e a fe f ed f e e
de ce .6
Five Forces Analysis
I de de a d e a d ca e f e a e c T ba e b e
c e g, a P e F e F ce A a a de a e . T ed Exhibit 3.
Threat of Rivalry (3.63): T e ea f c e a ed - g f
d . O T ba a c e e a ed a e f NAND e d e
e ca ab e ec e de ca d c . S a , e de a d f ce a d c
4
K , J. (2014). NAND Fla h Memo .
5
Ba e , H., B g a d , S., Ta d , S., & T a a , F. (2016, Ma c ). Memo : A e challenge ahead?
6
To hiba Ame ica Info ma ion S em . (2017).

a b e ( e. age ca ac ) ca be c de ed a ge c d ed f ge e a a ca .
Ma a e f d ce g ec f c e d c a d a T ba
a ge a e . F e e, e e a e f d d ce e c - e d e e
e e e g c f fab ca fac e . S , e d c e e a ge ce e
e d c e , a ge a a e e ab g c a c ac c ea e e
a e a e . T e d ce b e c g a f f ec e f ca e.
Barrier to Entry (2.07): T e ba e e e e a e g d e e
e ed ca a a fac e e e d d c . I add , e e a e e e g c
e a ed Re ea c a d De e e f d c e a e a e c e e a de a e
e e , c e . T e d e a e b f c g e e c e b
c ead e a g a ca ac , ega d e f de a d. I de be a c eade , ce
e e a d ea g c e a e c ca a f cce . S a e f ca de e
d c f c e a ca a d ce a fac g fab ca f . T ead a
e ba e e e a a e , b a e f a ac e a ge a e .
Buyer Power (3.63): B e P e ed - g d e c g c ; ea
e be ee e f NAND a d a e . T f ce bec g e a
a NAND a d eMMC ec g bec e a d a da d. Ne e d c , f b
a ea a d c e d e , a e e d g a d c ea ed e f e f f NAND.
O e a b e f NAND e a fac e f e , ab e , a d PC . A e
de a d f e e d c f c a e , d e e de a d f e e a e e . A
de f e a e eade a e ca a de a d e . A e a ge b e
da a ce e a d e e f c d a d e e e a ca . O de f e e b e a e e
ed c ab e, a ge a , e f ag e ed. B e a e a e e c a e
c ac ed a e de e c d c c a e f f .
Supplier Power (1.83): I e e d , T ba a c e a e a
a ge a e f c e a fac g e d c . S a e f e e b a ed
a e a a e e f a d c e e a d ce e c e - e. M
a e f a e d e d c be a fac ed b a fab ca fac . T e a
a e a ed c ea e e f a d c a e a d, g a , de, g d, , a d a fe e

. T e e e a e a ge a a ab e a d a e e c d e e a ea
d c .
Threat of Substitutes (4.56): T ea f b e a e g d e e c d ed
a e f e e d . Ce a a ca - ec f c d c a e afe ce e a e
a fac ed f a ec f c e. T e ca e ge e a , g - a NAND
e beca e ca be a a e f d c a d ca e e a a e f d e . T e e a e
ce a a b e ed b d e a ca , e d fe eed, b e e
a b e a e c a ed a d e a f a e a e f c c a d ce. W
e e f c e , d ffe e a be ee NAND e , a g c e d c be
ea b ed. T e e a a ca f e a d ff c c e de f T ba.
Power of Complements (3.59): C e e a d c a e a a ge f e ce e
e d . I T ba ca e, NAND e de a d de e de e de a d f
e S a e , PC / Tab e , E e e S age, a d Se e . A a e , a f a e
a e b e - -b e (B2B) a d c ac a e e ab ed bef e f a d c a e b . T
ca be a g fac ce T ba a ce e ace a d e a e ; e e , a
a ea d e e de a d e g e de a d f c e e a d c .
Overall Industry Attractiveness (3.43):
We fee a b e e , ea f a , ea f b e a d ba e e a e
e a f ce d e c ed e e g e e e 3 a a .
Af e a g e e e g , e de e ed e NAND e d a a e a
a ac e e a g f 3.43, ea g e e a ed g d f . T a e
e d fa a ac e. T e d e a ac e f ga a a a e
a ead e a g e NAND e ec a d e g f ca a e a e. T e
a e e e ce a d ca ab e a ca a ea c ea e e a c e e
ad a age e e a a ead f e c e . R a ea c e f b e
c e de e a e g ac e e ec e f ca e a d a e ea -e e f
a f d e e c f e e a e . F e e, f e a ge a ,
ec g g e e d , a e a e ed e eff e ea c , de e , a d
d ce NAND a d 3D NAND e . De a d f NAND g g f e e b g

ec a eg a e e d c , e e , a fac g c ac , e e age, a d
da aba e age a e a ge de a d ge e a . P d c c e e e a , PC , ab e ,
a d a e a c ea e a a ge f NAND de a d. O e f e a a ec
f de a d f NAND e d c b e a d b e e . T e c f c g
be ee c e e a d e d c e e a ge ce, a g a c -f c ed
a eg a a fac f e e c e . Ra a e a a e ea a a ab e a d d
c b e c c c a ce e .
Macro Environmental Analysis:
Global
T e e a bee a g f ca f e g ba d a eade e e
d e e a 30 ea , g f e U ed S a e Ja a a d, ece ,
K ea (a ee Exhibit 4). Acc d g Ja g-S S f Science Di ec , f cc a a
e f e f ee d f : ec g ca , de a d, a d/
a / b c c . I e ca e f e e d , a a ec g ca d7
a f ed e d be ee e ee c e g a . T e echnological indo efe
a ded b a e ec g ca de e e a d . T e Ja a e e8
f c ed ce a e d c de e e a e ec g ca d
e e a e ca ab e f e U ed S a e a fac e . A a e , e Ja a e e9
c d be e - a c a e ce a e A e ca c e .
A f d a eade affec e e d da a d e f e b
effec e g e ea f e ce e f e c /c e a e , a g
e e c (c e , K ea) e f c f a e d . H e e ,
g e a g a b f e e a d a ec e a e a c a ace de e e
d c a d ce e , a d, ee , e e c a d ea b
e ea c a d de e e (R&D) a d fac e . 10
A e a a e e g ba e d C a, ee g a a
c b gge e e e c d c d a a e e b g e ce ,
7
S , J. (2016, Oc be 6). D namic ca ch- p a eg , capabili e pan ion and changing indo of oppo ni in he memo ind .
8
Ib d.
9
Ib d.
10

a fac e , a d d ec e gage e C a. G e e e ce a d a , C a ca
g f ca a e e e eg e f e c e a d ec c g e e .
A ead , a ge C e e a e a e bee agg e e g a g f ca e e e
eg e , c a T g a U g , a g e e - e , a g b d f M c a d SK
H , e e b e e cce f . I e de e e , e a e eade , c11
a I e , Sa g, a d We e D g a , a e bee e a d g e e gage e C a.12
Sa g ece e ab ed f a ge 3D NAND fab C a, e I e a ced a
e $5.5 b c e fab Da a , C a, a fac a ca d ce 3D
NAND a d 3D XP . O e e e de, We e D g a a a ced a ed
e e b U e d f ab $3.8 b . I c ea a C a a e e13
e f ea g e f c a a f c e e a , K ea, a d b g g e f f
d C a' b de f e ec c be ef .
Social
I c ea g e f a e a d c e de e e a d ea ed a c e
d ec f b e de ce a e bee a c a d e f e e d . Acc d g
Seeking Alpha, e ea de a d f PC , ab e , a d a e ac g e
e c d c d , e f e b g g e NAND d e c ea ed c e
e e eac ea , a ee Exhibit 5. I b a c e a d a b e g. T e g de a d
ca g a e a age, ece a g e eed f a fac e e d b f
d a , ca ac b d b e ea c a d de e e e e e a a ead f e
c e a d c e . 14
Technological
T e e ec g e de g d g a age a a d a a a ca be da ed
bac e 1920 e ag e c a e a f a e ed. T g a e e f a , e
f a d d a f ed 1956 af e be g de e ed b IBM e g ee . T e e ag e c
d e e ed e c e da a, a d a e ec g ad a ced, e age ca ac f
e e d c ea ed. I 1966, DRAM a e ed, a g f fa e c e ce g,
11
12
Ib d.
13
Ib d.
14
Ca e a , R. (2016, Ma 16). A Sho age of NAND Fla h Memo i Coming Soon Wha Ca ed I and Wha Will Be I Impac .

e a c ea g age ca ac . I 1980, a T ba e g ee de e ed f a age
e : NOR a d NAND. NOR age ca a a fa e a e a NAND, b e15
d c e e e e a NAND ec g , c ca e e da a. I e f
d ced NOR ec g e a e 1988, e T ba d ced NAND 1989.
U g f a age e a c e a d d e a c - b e e d 2000 .
F a age bega be eg a ed ad a g d d e c ea e b d16
d e a d, e e a , NAND ec g a ed f e e e age f a PC a d d e
e de e e f SSD ( d a e d e ). M c d e , USB f a age d e ,
e e f d ced 1999 a d e SD ca d f ed e ea 2000 , a f c e
NAND age.
NAND ec g a g e ed ce e a e 1980 , a de a ed b e c ea g
a e e f age a a ab e e d c c a g g. T e a e f g
f NAND age ca ac a ed a a bec e c ea g d ff c ee e
f a d d e f e c ea g de a d b g b e e e ed g e
de a d f b e de ce . T c ba g ca ac g , 3D NAND ec g a
de e ed, a d a beg be de ed de ce , c d g A e f ag d c , e17
P e 7. W e e de e e f ec g ca c e e e ca ac f18
SSD g NAND age, e e ega d g a c g e f e e de ce
e de a d f e e a .
T e e d e a, e ec g be g de e ed, c a 3D X a d
P a e C a ge Me , g f ca e f f age. Eac f e e ca e da a
a ge ca ac e a d, , acce e da a a a fa e a e. H e e , b a e g f ca
e e e e a NAND, e e g a c a e ge f d c e e e ec g e
ca e a e a e, ce e age a e ce e e. T e ef e, d e
ec g e eed de e be ab e f e, b e eed d a a e a ca
c e c e c e g ce e -a - ed a e d c g NAND.19
Governmental/Political
15
F f d, B. (2002, J e 24). Un ng he o.
16
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18
C e , S. (2016, Oc be 6). To hiba 48-La e 3D BiCS NAND Di co e ed in Apple iPhone 7.
19

T e d g a age d e ed a g ba c a : c
a fac e d ce d c e c a a e de g ed a e , e a e b ed a
d c , c a e e de e ed be ed e d c a a e a e a e
c a . E d d c a e de e ed c e a a f e d, a d a a
c e e ce, e d e e ade e c a d g e e c e ca ,
a a , a d e a a e e . I eac eg e e c a e d b e , e e a e d ffe e
e f eg a a d a g de e de g , c ea e, a d de e e d c .
Tec g c a e face ce a e e f ee ade ag ee e d e ,
e f e e a e e g ba g a e ace. Ta ff ea f e U ed
S a e a d e a a e e a e b ce a ba c ea e ce a . W e20
e ec g a fac e a e ade eff c ea e e f a c a
c e , e e e a e bee e f c ed a d a eg c b ce a c a e a e a21
be g a d e d. C e e , e face f ca a d ade ce a , ec g
c a e a e a e d a a ca a e g ba c a e e.
Economic
W e g c ce a f de ce a fac e e A a-Pac f c eg , e e g g
a e a ea a e ee a a c de a d f NAND e . C e e
C a, I d a, Ja a , S K ea, a d Ta a a e ge de a d f b e de ce c e .
D e e ge e a e a e f a e , e be f a e
a fac e a c ea g, e eb ead g ge de a d f NAND f a c e
e C a, I d a, Ja a , S K ea, a d Ta a . T e e a a bee a c ea e22
a a d d d a c a g e , d g de a d f b e de ce , c
b g e g f e b e NAND f a a e . 23
T e e d a a ee a c da a g a e a a
c e e ce f c g a fac g, c be d c ed e a e . [F eca
gge d- a c f d e fab ca e e a a f f e d '
e c d c [a d e c ] a d de e a f ab e a d e a acce
20
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22
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23
Ib d.

e ab e c ce a d e ce ca ac , c a e a ff e a f e
a fac g e a a d/ a e e e e ga acce e e g g24
ec g , a a e be a a e d f g .25
Demographic
De g a c e d d a ea a e a ac e e d da .
H e e , c d a e a ac e f e a e e g g a e e A a-Pac f c e g
c ea e e de a d f f a e a de ce . C a e a fee e eed ca e
e d c a c a de g a c de d a g .
Ethical
T a e ca e d face e e d : e g afe a fac g
c d a d e e ca e ac f e ce f e c a fac g. T e
e - e c ca e ega d g a fac g c d e e d e
F c , a Ta a e e e . I a bee e ed a F c ee e e ee
a e c d , g e e a e c ed b g . U ea g f26
a , F c a ge c e , c d g T ba, a ed a g e a d g
c d d c a . A g e a e bee e d. 27
W e e e a e ec f c efe e ce g T ba e e ca
e ac g e ce f e d c , ea ab e a e a a e e
c a , e e e e ac ce a a de effec f e ac , e ce ca be e ed
a e ca . O e d c d c ed b e A IMM B e d c ed e be ee ca b
d de e a d e ce e ac . O e a e ed a e e ca ea e f28
e ce g e .29
Macro-Environmental Summary
A ece McK e e e e e d a d e ac e d : O e
e a ee f e ea , e e eg e a a f ed a e ab e a d
f ab e a f e e c d c ace. P a e a e e c ea e ec c
24
25
Ib d.
26
Fo conn: Wo king Condi ion in Chine e Fac o ie . (2016).
27
Ib d.
28
G d, I. (2015, Oc be ). The ne e hic of e o ce e ac ion.
29
Ma e, D., McG a , P. (2014, Feb a 4). Mining S ike , P ice Woe P So h Af ica in a Hole.

a e b g a d e e e f a ca a d g e ac de ce a d
e C a e a a e f e b e a d a d ad e a eg e e e g
e a d ca e a c ea e e c a ce f cce . T ba face e a30
ab be e f e f e b e c a e . I d e e face f a c e a e .
Competitor Analysis
T ba c e c de e a a fac e de e e a e
f - a e e age ec g e , Ha d D D e (HDD) a d NAND F a
Me . T e a b e NAND F a , c a fa g g a e . A f 2016,
Sa g e d e a ge a e a e e NAND f a a a e 30%. T e e
c e e a e c de T ba (20%), M c (16%), We e D g a /Sa D
(15%), SK H (11%), a d I e (7%). T e NAND f a a e c de c e NAND31
a e d a e , ab e a d e de ce , SSD , USB d e a d f a e
ca d . A Exhibit 6 , SSD e fa e g g eg e e NAND e
a e b a a d e e e ba . SSD g ec e ec a e e a
f e NAND F a a e b 2020. A a e , e a f a a f c e
SSD eg e f e e a e .
Hard Disk Drives (HDD)
T e HDD a e a faced a c da a e a e e Sa g a e e ed
e dec g a e fa f g g e e f g SSD . T ef ee a a e
e HDD a e : Seaga e, We e D g a /Sa D , a d T ba. Seaga e d e a ge
a e a e ace 43% f e a e , We e D g a /Sa D c 39% f e
a e , a d T ba c e e a g 17%. T e HDD a e a ee dec e e e32
a 5 ea . T a e a e a e dec ed b e 20% Q1 16, c
f ed a 17% d 2015. T a d e dec g PC a e , a d ad a ce e f33
SSD ec g , a d SSD ce dec e . T ba HDD e a d PC a e a e c e
e a ed a 54% f T ba a HDD e a e f M b e a d De PC . T e e34
a a e c e b Seaga e a d We e D g a e .
30
31
Comp e memo / o age medi m . (2016, Se e be ).
32
S , A. (2016, Ma 12). Ma ke Vie : HDD Shipmen Do n 20% in Q1 2016.
33
S , A. (2016, Ma 12). Ma ke Vie : HDD Shipmen Do n 20% in Q1 2016.
34
C g , T. (2016, Ja a 26). To hiba E i f om HDD B ine ?

Solid State Drives (SSD)
T e SSD a e ad a c g a d , a g a a ac e a e f e e
e b e . T e g ba SSD a e e e a a CAGR f 20% be ee 2015 a d
2019. Ma c e e e d a c a ed g a d a e f c ed35
e a d g e a e a e. I 2011, Sa g ade a a eg c dec e e HDD
b e a d f c e SSD a e , ead g e ead g a e a e f 37%. O e a
a e e a e c de We e D g a /Sa D (16%), T ba (9%), L e-O (8%), I e
(8%), K g (8%), a d SK H (4%). T e e 7 c a e a e 90% f e a e .36
NAND Flash Cards and USB Drives
A f e NAND a e c f USB d e , a e ca d , a d ge e c
e ca d a e d ec a c e de ce. T a e a ee ab e g ,
a CAGR f 1-2% Y Y a d a e a e e NAND F a Ca d a d USB37
D e a e f e e e e a ea e ad a ce e f b e ec g .
Toshiba’s Competition in Memory
T ba a c e e e g c a e ac e Ha d D D e (HDD),
S d S a e D e (SSD), a d NAND F a Me a e . T e e c a e c de:
Sa g, Seaga e, We e D g a /Sa D , L e-O , I e , K , SK H , a d M c .
Primary Competitors
Exhibit 7 de a a f T ba c e a ed b e c e a eg c
a d a ce a a . W e c a g e e fac , e c c de a
Sa g, We e D g a /Sa D , I e /M c , a d Seaga e a e T ba f a
c e e e d .
Samsung
Sa g a a e e d a a e a e e NAND F a a e a d a a a
d a a e e a d ad a c g SSD a e . T e a a e a ead g
DRAM. Sa g f e f a e e ec g e a d ce
a e e ace. T e a e bee cce f e ca eg a g e
35
DRAM eXchange Ma ke In elligence 4Q16 SSD Da a hee . (2016, N e be 21).
36
Comp e memo / o age medi m . (2016, Se e be ).
37
Fla h memo ma ke i e o ld ide 2013-2020. (2016).

d c ffe g b a fac g a d b a d g e e d d c SSD . T e a e
e a fac ed NAND e a e , e e e c a d a d a a e a e
. I c d be a g ed a e ab cce f a c a e f ead g a e
a e ed f e a g b a d age. A a g e Sa g ec e f ca e a d c e
c ad a age. I add b d g e e d-c e age d c , Sa g e
e NAND e a a c e e f .
SanDisk (a Western Digital Company)
We e D g a d a g a e a e e dec g HDD a e , d g a
b a a e e e ea f e e fe ea . T e c a ac ed Sa D 2016, a
NAND a fac e HDD . T d f ed We e D g a a a a e e
NAND f a e a e . Sa D e d e a ge a e a e e NAND f a age
ca d a e , a g We e D g a be a de e de dec g PC a e a
e b e . Sa D a f a e e T ba: eac c - e e d c
f NAND f a fab ca fac e . T ba a d We e D g a /Sa D a e e
c a e d a g a e ac a HDD, SSD, a d NAND F a Ca d ,
We e D g a c g a a ge a e e HDD a d SSD a e a T ba.
Intel/Micron
I e a a 6.5% a e a e NAND f a e a d a 8.3% a e a e38
SSD . I e a a e e ce e a d a e g e d a e39
CPU a e a d c e ca a g e e ce . I e a e ed M c , a
a e c e , e d c a e 3D NAND ffe g, ca g e e e
IM F a Tec g e . T g e e, I e a f a e 20 NAND
c 2011, b a a ed b T ba a f a e 15 ce ec g
a d e b Sa g 3D NAND ec g . I 2015, I e a ced e c ea f 3D
XP ec g , c a g a e g f ca e f a ce be ef e a da d NAND.
T ec g a e e e e a e . I a e 2015, I e c ea ed c e e
NAND e a e b c e g a $5.5B dea d ce NAND c C a. I e40
38
Ma ke ha e held b NAND Fla h memo man fac e 2010-2016. (2016).
39
Solid- a e d i e (SSD) ni hipmen pplie ma ke ha e 2014-2016. (2016).
40
C a g, P. (2015, Oc be 21). In el a ma in e p o $5.5 billion in China memo chip plan .

ca e e age a ge CPU b e f d e NAND ace. I e a a be ef
f d a e g e a CPU a d e a e a ge c e e a d c .
Seagate
Seaga e e eade e dec g HDD a e a d a a ed e aga
e ea f T ba a d We e D g a . A g e c e b e a bee HDD , Seaga e
a ced e SSD d c ffe g ea 2017. Seaga e a ced e c e
e HDD R&D a d e a e c a da a ce e , e a ce, a d ga g e
a e e a d g e f d e f a e a e . H e e , e a41
c a e a e a ge g e b e a d c e ec g ace, Seaga e a f c ed SSD
ffe g e e e age , e e a g a e a ge . Seaga e ca a e f
e e e e f e HDD b e a d e e age e g bec e a b g c e e
f a e a e g e e e R&D a d/ ac .
Primary Competition s Strategic Positions
I a e a f e c e e e d c e e
c a e e a d ffe e a e d c be d ca ac . H e e , a
f c e e e ca eg .
Samsung
Porter’s Generic Strategy: Co leade hip (Memo ) + B oad Diffe en ia ion (Con me
Elec onic /Mobile De ice )
Sa g a b ad d ffe e a C e Tec g , M b e De ce , a d LCD
& OLED Pa e . T e d e c e e ce, b a e a e a d e e f
ec g . T e a e a g ce de e d g e e e f ec g a de ce,
a g e a ge a de a ge f c e a d a g e a a eade e
e ec c b e .
Rumelt’s classification: Rela ed Con ained
Sa g c d c b e a e f g a e : IT/M b e De ce ,
Se c d c , C e E ec c , a d LCD/OLED Pa e . 48% f e e e e c e
f e IT/M b e De ce d e e a de c g f e e d .42
41
Wa g, M., T a , J. (2017, Ma c 1). Seaga e o p h SD p od c b ill no fo ge HDD.
42
Sam ng Elec onic Ann al Repo . (2014).

T e b e e a e g ed a d e ca a e a e c a ac ce e a
e a a d ec g e M b e De ce , C e E ec c , a d LCD/OLED
Pa e d . T e a e a e ca eg a ed a e a e a a a e e SSD a d
NAND F a e a e c e b e de ce fea e.
SanDisk/Western Digital
Porter’s Generic Strategy: Co leade hip
We e D g a c e e e e d . T e ef e, c eade e
a a eg g a e a e.
Rumelt’s classification: Rela ed Con ained Fi m
We e D g a /Sa D d e f ed e e b e ac HDD, SSD, a d
e e a NAND F a Me a e a We e D g a ac f Sa d . A
f e d c a e e -ba ed a d a e a e c a ce e e a a d
ec g R&D. T e c e a e ed f a d eg a e b e de ce
c e e ec c , ea g e f c ed e e b e .
Intel
Porter’s Generic Strategy: Co leade hip (Memo ) + B oad Diffe en ia ion (PC)
A e c e e e d I e e a e a e g
c eade . I e b e b a d a a e f b e d c a ea g
a de e f c e . I e CPU b e a bee b a g b a d age
g e eed a d a e a e ce f g e a , a g f d ffe e a .
Rumelt’s classification: Rela ed Linked fi m / Ac i i i e Conglome a e Fi m
I e a c a e a d ffe e b e eg e c d g PC a e , S f a e a a
Se ce (Saa ), I e e f T g (I T), Da a Ce e , a d CPU d c . T e a e a g g
a e e SSD a d NAND F a Me a e ece e e e ea a
g b e a g de e c ab a M c , IM F a Tec g e .43 44
M f I e e e e c e f CPU a e SaaS, I T, a d Da a Ce e be g e
e f d e . M f e b e e a e d ec e a ed.45
43
C a g, P. (2015, Oc be 21). In el a ma in e p o $5.5 billion in China memo chip plan .
44
Mic on and In el Un eil Ne 3D NAND Fla h Memo . (2015, Ma c 26).
45
In el Ann al Repo . (2015).

Seagate
Porter’s Generic Strategy: Foc Lo Co (C en l HDD onl in Memo )
Seaga e c e a a e e HDD a e f e e d c
ea e a ge a e ec e f c e e d . T e c e e c
e HDD a e a a e c e ace. A f CES 2017, e a e
beg e a d e d c ffe g e SSD b e , b a e e e g e
e e e b e a d a e a ge ed e b e c e a e .46
Rumelt’s classification: Single B ine e
Seaga e c e e a e HDD a e , a g e a e beg
e e e SSD a e . S ce e b e ea a HDD, e c e 1.047
R e ec a a a d e a ed a a d e e ca a a e d c ec
e e e a e b e e e a ed e c e ffe g.
VRIO Analysis
Se e e ce a d ca ab e e e e ec ed e f e VRIO e a g e e
c e , c a e a ed Exhibit 8. T e f a a ed a d e ab e b a d.
C e e a e e e SSD e e be e e e f
e ec a , a d a g b a d e g a . I d , eac f e a c e
a e a g b a d, c a ab e a d e ed e be f eac f ab . H e e ,
a f a e a a ca eg ce a a e g b a d , a g b a d eade
e e a e a d a e.
Me c e , c d g f a e, a a d eg a a e e a g
e f g SSD. Ha g ca ab - e a g e a SSD e a edge e
c e a e ca de a d e ec ca c e e f a g e c e a d
NAND f a e be e ge e , c ca b d c eed, e f a ce a d
a e e e d b g fa e . I a a ge e a e a g c ad a age f e48
f . H e e , d e R&D c e a d e c de a , SSD de ce
ec g a e a de e - e. Of e a c e , I e a d Seaga e d
46
Web e , S. (2017, Ja a 6). Seaga e and Lacie Sho ca e La e SSD P od c CES 2017 Upda e.
47
Seaga e Technolog PLC Fo m 10-K. (2016, A g 5).
48
Bee e , B. (2012, Ma 1). B ing an SSD The B and Tha Ma e .

a e - e e c e ec g , g e a a g ec ca a d c
d ad a age e a e e ee . T ba, Sa g, a d Sa d eac a e ca ab a d
a e e e e d , a g a e, a d c ea g a e a c e e ad a age
f eac . I e a beca e ca ab c d e e ca be a ed.
T e d ca ab e e ed NAND fab ca ( Fab) e . T ca ab
de e ab a fac e a d ce e NAND f a e , ead f a g
c a e e e a e . T ca ab a beca e c ea e a c ad a age
f e e . Fab e a e e f acce e NAND e f
a age . F a e fab ca c e e e e f e e ead g
edge ce de , c ca be e e e e e e. T e c f b d g a ead g edge fab
ca be e a d f $10B. Of e a c e e d , a b Seaga e49
e NAND Fab , g Seaga e a a d ad a age a d e e a a e a e .
S e a e e ca ac , a g e- - a e ad a age e ead g edge de , b , a
, c ea e a g a d e a c e e ad a age ce a f a e a g
e ece a e e e e ead g edge de.
T e f ca ab e e e f a SSD e e ca eg a . S a e
e c e , e e c e e e d ce e a , e be e ec ca
de a d g e a e f eac c e , a g e d ce a be e e f g
d c b g e a eac c e ge e . M f d f eg a e
d e e c a c e e a c e . Of e a c e , T ba,
Sa g, a d Sa d a e f eg a ed SSD ca ab , ea g e ca a e a e
c ca c e e a a d a e a e f-b a ded d c a e .
Sa g a e f a e 3D NAND ec g 2013 a d a ab e
e eaf e b g 3D TLC NAND ec g , c a e NAND de e a a g e
ca ac a d c ea e a c ad a age f 2D MLC NAND. See Exhibit 9 f eac f
ec g ad a . T a g e Sa g e a d c a d e e d
ge e a e a e a c ad a age e e c e a e a c e a e
a d c 3D TLC a d e d e c c e.
49

E e g Sa g a f a e 3D NAND, a a ed
c e f e g ea ec g ca e e 3D NAND. T ba
e ec ed be f a e 64-La e 3D MLC a d TLC NAND, Sa g a g
e e be de e d c 48-La e . T c ea e a e a c e e ad a age
f T ba e e ab e ca c e .
T e f a ca ab e e ed e e e f d c d e f ca eac f a e
g ea e age/ e a e . T e f d e f ed f ca ab e f a fac g SSD ,
HDD a d e f a age d c , a g e f add e a c e eed f a
e f age d c a d c ea g a ad a age f e c e a e
dea e e f a f e age eed . C e , T ba a ca ab .
W e Seaga e e c e e HDD a e , e d a e e ca ab
a fac e NAND a d SSD e e e . S a , I e ca a fac e NAND f SSD ,
b HDD . T ca ab a e, b c d be a ed, c ea e a e a
c e e ad a age f T ba.
Value - Cost (Willingness to Pay)
Ma a e d e f a SSD f e c g a c e g e a c de
e f a ce/GB a d g a e f a ce ca a ( d c e d a ce), c e
e SSD c e ( c d ec ac ba e fe) a d e a f ca ace e
SSD a e de ce. If a g f ca a f c g de ce b f a e a
(f a a ea e ec e), ea e e f e a d a e. SSD ffe g f ca
e e a ee f e e a ea e HDD , c be e ed c ea e e e ce ed
a e e HDD . T ca e a e, a a da d 256GB ca ac HDD, e f e
e a e age e a e , a c a ed e a e d e ed ab e a
f d a SSD. SSD ffe e e e HDD e a ge f 5-10 ed
e f a ce. T e e e e fac e e e a ed ba ed c e a ce, a d
ad ed f e a a e c ea e d e b e f a ce e HDD d e e b e a a
a c e c a g a SSD a e e e fea e . T ead a g e a f
$184 f ca ac SSD. T a e be e ed be c a a g e a b a d
beca e, a ee d c ca ab e a d e fea e be ee e , e e eade

d c e e a de ca f a g e ca ac . Ke fea e ad e ed e d c , c
a 5- ea a a e , c g f a e a d eed b g f a e, e e ffe ed a d c .
T e d ffe e ce be de ed a e e f NAND ced e SSD, c
a a c c de a f e f . Exhibit 10 de a d c c a
g g g e e . F ea , a b e g e a e a a c ac
e a c e g b a d . I afe a e a ead g b a d c c a
e e d e f a fea e e ec e, a d a a d c
e ca ed e c e g ca ac d c .
T a e e a c e a ge V-P SSD d c , a Exhibit
11. E d e e age a e a e e e e ce e e g e e a a f
a e a e e a e c e f be ee HDD a d SSD : a e e d f e da e e a e
da a age a d a c e d ca e ab a e f ec g e f f
eed f e . T e ec a e f e c e eg e a c a e a
SSD HDD f a a c e . C e ca c be ee e e age ec g e
a e c , a g e d c c g c e .
G e e ce e a e , f a c e e c e NAND
ace. T e e e ce a d ca ab e , c a ead g edge Fab , a d e
ec g e , c a 3D NAND, a a e a d eac a e c f e. A c
dec e, f a dec e e e d e e f f a e ce e c ea e
SSD a e ad . T e d ca be ee Exhibit 12. F ea , T ba, Sa g,
Sa d , a d I e a e a e ed ea NAND fab a d c e e ca eg a e e
a f e c a . L g a Exhibit 13, e ee a Sa g e c eade
a g e ee f , c e a e e a ge P-C a d e ge d c a g .
T a e a a a e ce e a e T ba a d a a a be e a g
c e. T ba ec d e f P-C: e a e a a c c e Sa D , b
a e ab e ca e g e a e f e c e a Sa D ca g e g e
ce. T e d e b a d e a d e e f NAND e ce e SSD.
Comparative Financial Analysis

A Exhibit 14 , c e e e d , a e age, a e ee
de g e e e g e e a ee ea . Sa g a d I e a g
FY16, g e a e age, e a e dec ed. T ba a ee ee c ec e ea
f e e e dec e, c d g a 8% dec e 2016 e e d g e a a e age 2%.
A e age g a g a e a bee e dec e e e d, a a d e COGS %
a a d e d, c e d e e d a 3D NAND
a fac g e d ea e ec g a . A f e a e f a g f
d a e a e age bee e dec e ce 2013, b a e e a ed e, e
T ba e f a g a bee ega e ce 2014. 50 51 52 53 54
T ea e eac c a ' c e g a d f e d c de e e ,
a a e a e R&D e e a a e ce f e e e a d e ca f Ca E
a . Sa D a d I e a g g R&D e a e R&D e e a e c e ⅕
f e c a a a e e e, e T ba' a e a de 6-7%. A c a e a e bee
e a d e d ce 2012. ca f Ca E a bee fa ab e be ee 1.5 a d 2
e e a fe ea . A g e ca f Ca E a g a a c a a ff c e
ca a f d e a , c a f e d . A a g , T ba a bee
e g c e 0 e e a 2 ea , c c d be a a g g a e c a
ab e e g e b e e f e. A e c a e ece e ed a
a ab e 2, ab We e D g a a d Seaga e, a e c e 4. Seaga e c e
g e a e d a e age ca f Ca E a ea - e - ea . T a g e
e c f de ce eff c e Seaga e a age e b e .
Rega d g e f ab a , eac c e fa g Re
E , a ab e e d a e age, e e ce f Sa D ( ece ) a d T ba
ac a f e ea . T ba a c e bee e be e a e age a d e ed ega e
ROE e e a ee ea . T e ea a a age e g a e eff c e
ge e a e ea g a d c ea e a ea e e e c a e c e e a eg e . A
c e ea C e Ra a d 2+ e e ce f T ba, a
50
We e n Digi al 2016 Ann al Repo and Fo m 10-K. (2016, Se e be 22).
51
SanDi k Co po a ion Fo m 10-K. (2016, Feb a ).
52
Seaga e In e o . (2017).
53
In el In e o Rela ion . (2016).
54
To hiba Financial Info ma ion. (2016).

e C e Ra a e d a e age. W e T ba c e ab e a b
a d g- e b ga , f a c a a ab e a c e , c
c d be a a g f e f e. T ba Deb - -E a a ab e e d
a e age, c a be a g a e c a a bee ab e a ac ca a a e
a e de g , e d e ega e ROE. Seaga e a d We e D g a a e e
e c e a e Deb - -E a e 1, bab beca e e ece e e ed
f d ac . Seaga e e e a e g e e e , g f ca g e
a e d a e age a d g d b e T ba , g a g a e c c e a d/
a ge d c . Sa g a a a c ge e a a T ba.
Industry Dynamics
T e e c d c d d ded ee a ca eg e : c ce ,
e , a d age e . De a d f e e e c d c a e c ea g ac e b a d,55
b e fac affec g eac eg e a e e d ffe e . W e e f c f a a
e age f e e a e , e c d c eg e e d a d
e e ce . T e NAND-Me eg e e g age f e fe c c e, g e
e d ece f e HDD f a NAND- e ed SSD ; e e ,
eg e a ead face e e e a d f ced c e e c . A ee ea e Exhibit
12, SSD ce a e bee a ee dec e ce d-2008 a c e d ce
ce e c e c g f HDD SSD . I e f a e ec ed 2017
age NAND d e b e d a 3D NAND ec g , IDC e ec
b e ded SSD ce/GB d ea 21% ea - e - ea . T ea e e f c e e56
e c a d R&D a .
A e ceab e e d a e d ead g a d a , a d e a
ac f ca ab , b a d e c d a c . Exhibit 15 de a e e f a c a57
b de e ce de e a d d ce c e e a e e e e d .
T ead d a e c da a a f ad ca e a eg e a
a e e a c e e. F e a e, a e f a f c c e d e a d
55
56
T e , N. (2016, Ma 10). Fi e Mon h in o he Yea and Ma ke Finall Reaching Bo om.
57
Ib d.

ec a ed d c a ca ge ac ed b a ge f ga acce a eg e f e
a e a d d e ec e f ca e (e . SK H e ge 2012). T e e a bee a be
f d a e , c d g T ba a d Sa D e e c -de e NAND
ec g e a d Fab , a d I e a d M c e e de e ead g edge f a
ec g e , e e ge e a 3D-NAND. T e e a e a Seaga e a SK
H f a e f a e a e e g e d a d g- e c e . 58
Sa g T ba a c e a a e ed e age d
beca e e ac e ed ca e e d e a ea e f HDD a d e c e
a fac g e e e a d c a eg a .
I ge e a , e e a e a e eac g d c a d R&D c , a e a
e a e f b c e e a a d de a e e e . T e d c e a c a ed
e c d c e e e ce a d b e a d, e ef e, acce e a ed d c fe c c e a
f ea c f be e ec g e , a g c a e e ece a . T e e f
NAND 3D-NAND a e e e e a d c ea ed c e ea e a e 3D
e c d c fab ca ec g e a . T ead a e a f e d c fe c c e
a e d e a d g ea e g f ab a . T e e c fac , c b ed
c e de a d f ce f e , ead f f c c e e f
age c e eg e . A ee a a , T ba a e e ed a de e e
e e d . O e e a c e b g e d e e c e
a f a e a ge a e e b e , g f e d c da . T e
DRAM e ec a a ead ee a d c da , a d e NAND ec c e
f a c ed e a a d c da , ea g f e a a e e f
a e a e.
A de f g c a d e a e c g, e e a e e de a e ec ca
e fac g e e c d c d . O e e, acc d g J Ha , a c b a
F be , ca ed ea age, c cc e a f e c d c a e a , e ca59
ge f c a e c a ge . T e c a ge ea e g b g eg a d e
e ec c e age a e ge e. T e d a e e a e e b e , b e
58
Me , C. (2016, Dece be 19). SK H ni and Seaga e e plo ing fla h hook p.
59
Ha d , J. (2014, A 30). The Bigge P oblem Facing Semicond c o .

a e de e ed b f c g 3D-NAND, c b d a d , c a ed ad a
e d f b d g . T e e e a ee e ge a e a e a a
3D-NAND, e e , a f , e f e e e fa e a d ge e c d c . If
b e ed, c e e a e c d c e f a ce e e a a ba e .
Summary of External Analysis
T a a a a fab ca a a e a g c e e e
d e d ff c f a a d a ge a e a e e e g ea f a c a ca a
b d e a , b a a a e g e . H e e , Fab e ab e e e e
ce e d c c e e a d e a f ab e a c d ed d . W e
a e e e fac , ga a ca e c e e g e e . S b a
e d ff c ea e c e ce e d e a e a ge a e a f
e c g c . O e b g de, g ba de a d g g a d f e a
ec g a e e bec e a a e c e e e da e . T g ba
c ea e de a d c b ed a ge ba e e a e e d a ac e
e g a e ca ee e c e g a c e e. O e e e g g
f e ce e d Na a Sec a e a d ec g be g ed
c ea g b g e e f a ea . S a e- ed a e ( a C e e
c a ), ca a e e b de f c a c a ed e ea c , de e e , a d
a fac g e g e e , be ef a e ga a ad a age b a e g. T e
C ee F e g I e e e U ed S a e (CIFUS) a b c ed e -US
e f c a g US- ed e c d c c a e -- a g g e d e
d a d a bec e a a b ac e f f ee a e e c d c b e e e
f e.
INTERNAL ANALYSIS
Organizational Analysis
Goals and Objectives
T ba G a c g e a e a e a e e e a d c b e , a f
c e e T ba b a d. T e c e e c ed b de d e , a g e
T ba f c e f a b e e : E e g , I f a c e, S age a d E ec c

De ce , a d I f a Tec g C g. W e e f e e a e a ge a e a ed,
e e e c d be ee a c e e a a e , e e a e e d ffe e
d e .
W c a b ad d c ffe g, T ba a b ed a b a d a e e g de e
a b e a d b d a e : T ba: Lead g I a . T e c a e60
a a ffe a e d c a ead a afe , e d c e e , ec e
e e , a d f e c e e a . T e b e a g e g a a61
e e a d e f e. I c ea a e c a a be a e a d f e e e62
a d d e a e c a e e c ea e a d e e g eff c e c d c ,
c a bec e e f b gge eg e . T c ea e a be e f e f a e e, T ba
c a a e e g a d e ec c e e a ed g ba
e e a e a a g, ea c e . 63
P a c g e ed e e e b e , T ba a ea ed be
g a d e e g a a d b ec e . H e e , e g ba c a a ed e
d ffe e a eg c de e d g e d c a c e g. T e age
e b e , f e a e, f c ed c e g f b e c a d e ec g
eade NAND, c a c ea d , a f c e d g e
c g edge ec g , ega d e f ce. T de a de ac f e c g e a e
e a c g a e e , ac g ab e ec e a f ed c a e a eg .
Management Structure and Policies
T e T ba G ga ed a e a c ca a e -- e ed a ag g
e c g e a e de g da ce a d ece e e f e eade f eac f e b e
. T e a age a e e e b e f e e ec f eac g a . T e a
b e e a e T ba a e ed f e a e , e e g c e e a
b e e f e ge e .
Eac f e a e f e ga a a e g ded b a ec f c ga a
a e de e ed b c a eade e e c a a e a -d a ac
60
To hiba B and S a emen . (2017).
61
M ac , M. (2016, Ma c 18). To hiba FY2016 B ine Plan.
62
Ib d.
63
The To hiba Commi men . (2016, Oc be ).

a ag g b a d a d f ce.
The Toshiba Commitment
T ba Ma age e V e a f c e c ab a a g e ee
e f e g d d a b a g edge, a , a d c e . I a e e ,
ca f a age e de g da ce, c e, a d d ec f e ee . G d g
a age e a d e ee e T ba G S a da d f C d c . T ba e ab ed
g de a e a age e c e a d a ea a d a a ba g de
ac e a e ca e a e de e c e f fa e , eg a d a a e c a d
c b e e f a f a a ab e c e . T e e a da d add e 19 e a a e64
de c e, f a g a d c d ab c ce , acc g a d a e g.
Organizational Practices for Managing and Evaluating Employees
Be g a b ad a d d e e c a , T ba a a a ge ba e f e ee , b a a
c e e ce, e a e c e gage a d add e e e ee a b ad c e.
T e c a c ea ed T ba-GLOBAL, a e e f be a a d d e a e ee
e b d f e c a be cce f . T ba a be a f a d- ea g,
a e c a . T ba-GLOBAL a e a g g a a d e d ed
e a d e a a e e ee e e e ce , e a ad ca g f d e .65
T e e c a ac e c c d f e a c ea e, a e e e ; e e ,
a e ed b e e a c ca a ac a age e a e T ba. F e a e,
e e e c c e ab g a e ee de e a a e a ac a b e ,
e e a c ea e a d a e ee f de e g a a . T e c a
d e de ce e f e ee ed e ea c , a d e e a e e e a e f66
a ce a b e c a a cc ed a be ef ed e c a .67
H e e , e de e e f e d c , a ac e , a d e d a e fe a d fa be ee
de f e R&D de a e . I ead, e c a c e ee e f c ed
a a g e g b e e a e e e g e ee-ge e a ed dea .
T a be e e f ed b e f F Ma a, e T ba e g ee
64
To hiba G o p S anda d of Cond c . (2014, Oc be ).
65
66
F f d, B. (2002, J e 24). Un ng he o.
67
To hiba pa k a a e of inno a ion. (2006). H a Re ce Ma age e I e a a D ge , 14 (6), 5-7.

g a de e ed NAND ec g . U d c e f e , T ba ed
de e , e e ega ed a d ffe e e. A a e , I e a ab e de e f a
e ce T ba be e ed d f c e de e e f DRAM, e g e
c a g b f d a e e e. Had e c a bee c68
e a c , e c a d e d a c a ge a e f e e a e a d d
e a be a c ge f a c a , e e g e f eed g e .
Ethical Responsibility
T ba a ed ed a e a e e ca a d c a e b e
be a e ace, a g c a e g e a ce, e e a a a e e , a d
c a e b e be a . I ca , e acc g ca da a ag ed e c a f69
e e ea (e d g 2015) ca e e e a f e e c e e .
Environmental Awareness
T ba a b c a ed a a e bec e e f e ead g ec -f e d
c a e e d, a d d g , a c ed e E e a 2050 a e FY
2012, a g g e g a a d a e e . I de c b g e a e, T ba
c a ed, We a ea e a d c e e ca e aff e fe e a
e Ea b e ea 2050. T e e e e G c ea e e deg ee f
e e e a ec -eff c e c b e e (Fac 10) b 2050 aga e 2000 e e .
T g a e, T ba a ga e effec ca ed b g ba a g, d e70
c e a eff , a d ed ce e effec f a fac g e e e . I a , T ba
ac g e e e b f c g f a ea e e ca e e g ee -c ce :
d c , ec g , ce , a d a age e .71
Social Responsibility
T ba f c c a e b ce e ed a d e ee , c ,
a d ed ca . T ba e e a a a d , c a e C a a A a d a d ASHITA ,
ec g e e ee a e e c b e c e a d e g d
c a e c e . Add a , T ba ac e c eac g
68
F f d, B. (2002, J e 24). Un ng he o.
69
70
En i onmen al Managemen . (2014).
71
En i onmen al Polic . (2017).

a e c a P e e Pe e, c eac e age d d c e
b d a g g b b , a a e , a d a f e T ba- e a ed d c . T ba a
c b e e c b g ac e c a , c a e fa e, c e ce
ec g ed ca , a d d a e e ef. T g a e c a e T ba/NSTA
E aV P g a a d e T ba A e ca F da , e e gage a c
eff eac c d e a a d c e ce .72
Corporate Governance
A e ed ea e , T ba ece ca e de e e c 2015 f e
c a e g e a ce ea e a d acc g ac ce a T ba e a ed e f
b $1.9B e a e e - ea a . T ca da ed e de a e f T ba CEO, ea g a73
e e ec e e b e f e a g T ba b a d age. T e ca da a b g f
e a e e e, acc d g BBC, e e a a c a e c e [ T ba]
c e c d g aga e e f e ." I ea ab e a e c ea ed74
a e e a d d a , b a e e e e ee fe
d ce ed be a e. T e acc g ca da g g ed e effec e e f e
eb g e a d e ed e eed f a ea c a f e ga a .
Corporate Strategy
T ba e a e a be f b e a f a c a -d e e a ed
d e f ca a eg . I a e e ed a d e a a a e e ce
ca ab -ba ed e g e be ee e e a d e g b e e . T e a a e
e a e a a d T ba a e e a e e e b e e a d a f ed
a e e ( a ed ab e). Acc d g e c a 2016 B e P a (bef e e
N c ea e- ff e e a ced), T ba a ed ea e c a e a eg d
e a a e -f c e g e b e f ab . T e d d b75
c e g a be f b e e c g a d ed c g e e bea g ab e e
ba a ce ee . S e f e e be d c ed e de a a e .76
Business Unit Strategy
72
Comm ni . (2017).
73
74
To hiba chief e ec i e e ign o e candal. (2015, J 21).
75
76
Ib d.

T ba G ba a e a e ac f b e . W e eac e e
e c e ba e a d de d c d c e ce e c e , e
c a e e a g e e f e a eg c a ac e , a d e d . A
a f ece e f a c a da a f eac f e e b e e ed Exhibit 16.
Energy Systems & Solutions Company77
T e E e g S e a d S f T ba f c ed e ge e a . T
a e a face ed a ac g e b e f ge e a g, g, a d
a g e . I acc e b ga g e ee d :
1. La ge-Scale Po e -Gene a ion S em -- N c ea a d T e a P e
2. Rene able Ene g -- H d a d Ge e a P e a g P a c ec g
3. T an mi ion and Di ib ion / Ene g S o age -- Ba e Ba ed E e g S age
S e , F e Ce , S a Me e S e , H d ge -ba ed A E e g S
S e a e a E e g T a a d D b ec g .
T ba a be a g ba e e g c a ...b d g e d ec g e a d
e ce f a g, a g a d g c ea e e g . I 2016, e e d e a e78
a e a be f d ffe e e e g eg e , c d g c ea . T ba a a d
c ea e e g e f b gge g e . 79
T b e f c e a a a e a d e e a e e ce ed b e
b e a e ce f e c e e ad a age. Acc d g P e Ge e c S a eg e ,
d ea , e a e a e a F c D ffe e a a ac . T e a eg c g f
b e Acce -Ba ed, ce e f f e b ad eed f a c e
a a a e . T e e e ed 29% f e c a e e e e f 6 f
FY 2016, acc d g e a e ed 10-Q. I ba e a g a f , e e e e e a
bee a a d e d e e a .80
Infrastructure Systems & Solutions Company
T e I f a c e S e a d S f c e d g d c a e ab e
a ge, b c f a c e a e e e ec be c e ed. S a e E e g
77
Co po a e P ofile To hiba Toda . (2016, Oc be ).
78
79
Ib d.
80
To hiba Anno nce Con olida ed Re l fo he Fi Si Mon h and he Second Q a e fo he Fi cal Yea 2016, Ending Ma ch 2017.
(2016, N e be 11).

, a ga ed ee d :
1. P blic Inf a c e S em -- a e ea e , ec a d a a , a aff c
c a d b adca g e
2. B ilding and Facili -- g g, a c d g, a d e e a
3. Ind ial S em -- a a e , ge e a d a e , a d ec a geab e
ba e e
T b e a f c e a a a e , g e b e ' e ce ed a e a e
ce f e c e e ad a age. T e a e a a e a F c D ffe e a a ac
a d e a eg c g f b e a Acce -Ba ed, beca e e a
f f e b ad eed f a c e a a a e . T a ab 22% f e
c a e e e a d ba e a g a f . 81
Storage & Electronic Devices Solutions Company
T a f c ed d c g ee e d c :
1. NAND memo -- c a g B CS F a a d 3D NAND ec g
2. Solid S a e D i e -- e d d c
3. Ha d Di k and H b id D i e -- e e da a ce e a d e e eed
T b e f c e a b ad a e a d, e d c , e e a e
e ce ed b e b e (e e e) a e ce f e c e e ad a age, e e
a f e b e c e e c . T ba f ced c e e ce beca e f e
fec c e f e c d c , e g c f a e e , a e a g R&D, c
e a e a g g a e g a g . T a a e a eg e d ec ed
a ec e f ca e a d a a c e d a e a a f c . F a ,
e e fac , c b ed e c e e d ffe e a a d e
c g c , ead ea b .
A a c e e ce, e a eg c be ee C Leade a d B ad
D ffe e a . T e a eg c g f b e a Va e Ba ed a e
a e e g fe eed f a c e . T T ba a ge e e e a 31% f a
81

e e e , a d c e a g a 10% f , T ba g e f b e .82
Industrial ICT Solutions Company83
T e I d a ICT (I f a C ca Tec g ) S b e
e e ce e ed f T ba. T e c a f c ed e ee f g a ea :
1. Info ma ion and Comm nica ion Technolog Con l ing, ea f c I T
ec g de e e
2. Clo d Comp ing, f c Edge C g, ec g a b g da a ce g
c e e de ce ead f e c d g eed a d ce g ca ac 84
3. Media In elligence, f c eec , age, a d e c a ac e ec g
ec g .
S a e E e g a d I f a c e b e , e I d a ICT a f c e a
a a e a d e e a e e ce ed b e b e a e ce f e c e e
ad a age. T e a e a a e a F c D ffe e a a ac . T e a eg c g f
b e a Acce -Ba ed, beca e e a f f e b ad eed f a
c e a a a e . T T ba a e e ab e eg e a 4% f a
e e e, a d c e a g a 5% f .85
Correlations Across Business Lines
B e E e g a d I d a eg e a ge c e e g e e e e ,
eg a age c e , a d a ge c a . Sa e a e ge e a ed f bb g, d ec a e
e a , a d g e e c ac b d . B e a e a ce e f c ce a d,
ead, a e ab , afe , ge , a d c e . H e e , ce a fac
e b e c a e c ac b d . I e e d e , e e d- e b e b e a d
e c e f e c c T ba d c be ef . Me a e c e a
e e b e .
Other Subsidiaries
T e c g e a e a a e e a be f b e e , c a T ba
82
(2016, N e be 11).
83
N , H. (2016, J 6). Ind ial ICT Sol ion Compan B ine S a eg .
84
85
(2016, N e be 11).

TEC, e e , a e a a e c a f c T ba G ba a a a e. T
c a ac de e de f T ba G ba , b ce T ba a a e
TEC, c de e f a c a e g d c e . T e b d a d ce e , e a
f a e e , a d de a a e f e e e e ce g e T ba B a d
a e, a e a g g 10% f T ba G ba e e e . Beca e b d a ,86
a d e e a T ba e , ac de e de f e c g e a e, a eg
a d g e e c de ed f a a .
Recent Divestitures and Restructurings
I Ma c 2016, T ba d Med ca U b e Ca f $5.9B e a e f
acc g ca da a ef T ba c a b g e e d e c da e b e e
e f ab . F g a ac , T ba d a a a e f e87
a a ce b e M dea G C ., C a a ge a e f e a a ce , f $473M.
T ba e a ed 20% f e b e a de L fe e P d c & Se ce C .
I add d e g e Med ca U a d H e A a ce e , T ba bega
ef e PC b e b f g e f c e a d e Ja a e e a e ,
g e U.S. e a . T ba a eac ed d a c a e c da e
e b e e a , ead g a f ce ed c f 1,600 e ee . D g FY 16,
a a e f ac a d e a a e c g, T ba ed ced f ce b
g 19,000 e ee . O e e a ee ea , T ba a ed ced f ce b
g 34,000 e ee a e ee e f ab a g ca da a d ea
f a c a e f a ce f a f b e e .88
Alliances and Partnerships
A e ed ea e , Oc be 2015, T ba a d Sa D g ed a e afe
fab ca fac ag ee e a e ab ed e a fac g f 3D f a e
Y a c , Ja a . I de f e a f e c a e c e 2D NAND
a fac g 3D NAND 2016. U de e e f e ag ee e , Sa D c ed
50% f Ne Fab 2 a - c , a e a 50% f e a d c a Ne Fab
86
(2016, N e be 11).
87
A e e , P., A a , T. (2016, Ma c 17). To hiba Ge $5.9 Billion Deal o Sell Medical Uni o Canon.
88
To hiba ag ee o ell hi e good ni o China Midea fo 53.7 billion. (2016, Ma c 30).

2. T a eg c e effec e a d be ef c a a T ba a d Sa D a e ec ca89
e g e g f a a g e a ed a fac g f 3D f a e . I
a e a b c a e d be be e - ff f a ac e e a e ace,
ca e Sa D ac g T ba - ff e b e . T e e a e a e f e
a g b e- - a g b e e ce / ed , a b c a e d e d c de g
a bef e c g ge e f a fac g. W e eac c a a
de g ce , e e d d c a e e a e a . T ba a d Sa D a e a g
e e f ed da e ce , d c g c a ab e 3D f a d c , ea g e e a g
deg ee f c e f e a e e ce . F a , e deg ee f a e ce a
a be e ed e e c e be de a d f 3D f a e f e f e eeab e f e.
Rumelt s Classification - Before Move
T e a e e effec f e a e f e e b e e c g e a e, R e
C a f ca ed a e g - e e a eg , e eac b e ' a eg
e a ed de e de de f a c e a be ee . Bef e e e a e,
T ba Speciali a ion Ra io ed - a 0.34 a f FY 2016 e e e (e c d g TEC),
ef ec g a e a ge f e b e gea ed a d e E e g &
I f a c e eg e , c d g e N c ea a d S c a I f a c e S e b e e .
W e ee be a g f ca ece f e b e , T ba a a e e a g
a e I f a c e a d S age b e a e c b f e
I d a ICT b e a d O e e e e .
W e a a e f b e ed d g a age, a e f d c
e a ed f e c a ' e ffe g , ea a e a Rela ed Ra io f
T ba. W e e a e e a a e b e a e e a e c a ac e
add bac -e d ad a e f c , e e e f .
T ba Ve ical Ra io ed - . W e d ff c e SSD &
NAND b e e ca eg a e e e a g b e , ea ab e a e
a e a e e ac a e b - d c / e ed a e/e d d c . O e
e a e a be g SSD/NAND ec g e d c e b e .
89
SanDi k (SNDK), To hiba En e Ne Y2 Facili Ag eemen . (2015, Oc be 21).

Cla ifica ion: Ba ed T ba S ec a a Ra , ed - g Re a ed
Ra , a d e a e Ve ca Ra , T ba e a b e c a f e a a Un ela ed
B ine , e a f e e a ed e c g f E e g a d I f a c e. T e
e a b e e a ed beca e a c b a f b e d e a e a ea
70% f e b e . T e a e c e e e ac eac e ed
Exhibit 17.
Rumelt s Classification - Post Move
If T ba e e e e e b e , c ea e e Speciali a ion Ra io
0.43, ed b e E e g eg e . W e e a f e Me & S age b e , e90
Rela ed Ra io c ea e be ee e b e beca e e ea f d c a d
ec g ece a e e a ge- ca e f a c e a d e e g d c a e c e
e a ed. T ba e e be ac ce f e I f a c e e e
E e g b e f a d, ca g T ba e a ed a c ea e e e. T e a e f a
a a a e e e b e a e a a effec , a g be g f ca
ed.
T ba Ve ical Ra io e e a ed - , ce e e a f a a
f e e b e e e a c e d ce e a c d be e ca
eg a ed e ffe g . H e e , b e g e age b e , e e g ea e
c a ce a ea f d c a d e ee be ac ce bec e e f ac
e c a .
Cla ifica ion: Ba ed e - e f a g R e a , T ba
e e a b e d be Rela ed Linked d e e e e e f e
b e d e e c ea ed e a ed e f e E e g a d I f a c e , a d e g ea e
g f ca ce e f . If e c a dec ded e a , e c a d
e a Un ela ed
Effect of the Move on Business Unit Level Strategy
If T ba e a a e e , a e a eg e bec e e f .
T c e a a c e e ce f e g e b e e f a d e
90
Ind Segmen Info ma ion. (2016, A 1).

e a F c D ffe e a a eg . T e e a g b e d c a ge e
a eg c a ac e g f e a e f e e b e , b a e c e e e a
a a e , c e g a e a e a ce.
Business Level Strategy Aligning with Corporate Level Strategy
T ba c a e ea f c ed a g f e a e a
face a f e. T e c g e a e ee e f a be g a a a e ac g a
be f g ba e , ec f ca g ba a g. T e c e e ce f , g f e
a eg c e, a T ba a b e e be e e c a e
a eg af e e a e f e e b e . W e e e b e a effec e, e
c a ed e d c a d g a f T ba G ba e ffe g , e e b e
a eg d e a g . T e ef e, e a e f e e f ab e f e e ec e
f f c ed a eg a d f .
V-C Position - Before Move
A d c ed e e e a a a , b e be e e e a SSD b a d a e a
a e , a g c a e g g f e f ca e e V-C g c ea ed
e e a e d e . I ead, f c e e b e g e ce & ca ab e a
a e ed ce c a d . A e c e , e e ce
e g a g , c ea g e b e V-P , a d de a d f e NAND d c .
If a f ab e ed ce c fa e a a c e , ab e e a e f e
ca ed a e g a e P-C , a g e e c ed c e e e
a .
T e a c d e c b g a eg c de ca e ec e , ea g
c e , a d e ca eg a . T ac e e ec e f ca e, T ba, Sa g, We e
D g a /Sa d , a d I e a e ade -b d a e e NAND d c fab
a a e e ca ac d ce f NAND c da . A e de a d f SSD e ,
e a e ab e ead e f ed c e e a d ac e e a e c c e. T e
a e ea ec g e a ca a e ac e e a be e c c e, fa e .
T e f a ab e e d e ea g c e f a e ec g e fa e , c a
e a g f 3D NAND a e d ce ac NAND e ca a e a f a ea,

a e a e P-C e c e g f a e ab e ca c . T ba,
Sa g, a d Sa d a e a e ed e ca eg a a a a d e d c .
T e a a e ed ea e Exhibit 11 a T ba c e a e #2 P-C
f e SSD a a ed, Sa g d g e ge P-C . T ba
b e e e a eg e a e Sa g a d ac e e e g e P-C SSD . I
e FY 16 I e P a , T ba g g a e d e e a $16B e e
e ea e e ac e e e c c e e e a d b f ab . T e
a c ded a e e NAND d c fac e C a a d N A e ca, a d
e e e e ce acce e a e a d e e 3D NAND . T c de
ea R&D 64 La e 3D NAND, c T ba ca B C Sca g 3, a d
e ec a e 2017. 64 a e ec g g e T ba a f - - a e ad a age,
a g e ea e e de a d c eff c e c e e c e a d a
e a c e e ad a age.
V-C Position - Post Move
I c ea f e e V-C c a ge af e a a e f e e
. W T ba f ced a e a e e-d N c ea b e , e
a e c a be ab e a a e e e f e e eeded ee e e
b e c e e. W a e e e f e, e e a Sa g a d e
c e e a e T ba e ace b g ead g edge c eff c e c e a e
f . If e e a e , T ba d be ab e c e e ce a ac
b e g e V-P ca e, a d de a d f e d c d fa . E e a , T ba
d bec e c e e a d be f ced e e . T c d be a f e a
f T ba a age e c e a g a a e.
If T ba e e b e , a d e b e ab e b 1. e a T ba f IP
a e ( c a e e a d c e), a d 2. a a e ca a e e e e eeded
a a ac e e e P-C e a e c e , e e ea a T ba
a ec a e c a ge, a d e 64- a e ec g d c ea e a e a c
ad a age f T ba, d g ea - e f ab a d .

I de V-C a a f e T a e a g f c e f a e , b
e a e a g , e N c ea , ca ace e f c c ed c a a a
e e V-C a d e e P-C ga e ea e . O e e, e
c g e a e a f d a e e age e a e g e a d be e eg a e
e a g e ce E e g a d I f a c e b e e ffe a ge c e , c a
c e a d g e e , e ce a a e e c e a g ed. T c d d e e V-P
f e ca cce f c ea e a be e ge e e e e ce.
Toshiba s Digital Storage VRIO Analysis
W ega d e , e ea e VRIO a a Exhibit 8 ed a a a
a e a e a ec g ed SSD b a d, T ba ab e ac e e a e b a d
age. T ba a e ed b f a NAND fab a d a c e e
e e c e g ca ac . Ge e a , fab e a e d e e a e,
-f e ed c , b T ba a c e a e a ade e e ed e e
d , e ce a a c ea ed a . T ba a e ed - e e
ec g , e ca eg a , a d 64 La e NAND ec g , a f c e e
e f ab g P-C. B e be e e c e ca a d c e e
a eg e , c ea e e e ce c ea e a e a c e e ad a age f
T ba. H e e , d e ea e fa e a ab e . T ba a e a ed a d
g c e ba e b c ea g a a e e b e V-P . T
a eg a ade e e #2 NAND d ce e d, c d ca e f a e
a e . A g a T ba c e a e e ece a e e
b e , e c d a a e .
Recommendation
Strategy Options
T e T ba c g e a e e a e ed be ee b e . T e
a f e e e ge e a ed b T ba I d a , C , P e , a d E ec c
De ce d . A e d c ed, e a e f e e d d c ea e e
e a ed e f e b e e , a g e a e e e d e a d c de ed b a

a a be e c e e f T ba b e e . T ba e a e a a e f91
d e a d e a f c d ffe e a e f eg e . T a eg d e
f e a e d e a d c d a . G g de a d f
e , c b ed e g e d e , a e a a ac e a e f
ed a e , a g b e e c e .
Ba ed a a f T ba c e a , a ea e e a e ee e a
T ba ca a e e ca e f a c a c . F , e c a c d e ff d g
TEC, a b d a a a ed a g $1B. T d de a f f eeded ca ,92
e g ab e e c a e - e , b d de e g ca c e
e e f b e acc g ca da a d e a ge ed e c ea e
b e . T e ec d a a ab e T ba e f e af e e ed
Wa S ee J a a c e. T e e g a g 20% a e
e b e , c de e d g e a a f e b e , d be e g
ca c e e e f e ece e d E e g d a d e a e
ba a ce ee . W e a eg d e T ba e - e , d a
e a be e ed c a af e e c e c abaded. Se g a 20% a e d
e e a c a ge f a eg a e , d e e c a be
e f c ed ac a e f b e .
A d d be e be eag e ed E e g b e . H e e , e a e f
b e a ab e e a e beca e f e a e e ce f e
e-d N c ea . T ba e b e e e f NAND f a e a
e a g a e f a e, acc d g Be e Re ea c . Ma e ea c f ca a93
e ce , a d a g- e a e e c d ge e a e d e be g ea d c ed
beca e f e ce a d e ece f a c a c g .
We ec e d T ba e a f , c d e e g en i e
e d a d ICT b e , a a a e e E e g a d
I f a c e b e e . T e c b a f e e a e ac e e, a f f
91
Re , S. (2017, Feb a 14). To hiba o Sell i En i e NAND B ine ?
92
K , C., F a, J. (2017, Ma c 12). To hiba Tec ha e i e mo e han 6 pe cen on ale epo .
93
Re , S. (2017, Feb a 14). To hiba o Sell i En i e NAND B ine ?

ca a a ca e ab e T ba, b d g e e e a ed e a g e
e a g b e e a c e e c g e a e. T e e c a be e f c ed,
e a ed ac ce a d ce e ce e f c f e c a be
a ge- ca e ffe g ea e e a a ge c e , ec f ca g e e e e a d
a ge c a .
Why a Full Exit Strategy Makes Sense
T ba a bee cce f a e , a de a ed b e a f a e
a e e a e ca ed. W e e f e f e NAND e d e a
a d g g a e e d e b g e SSD ad a d e c a g f a a e
f d g a a d a e d c , e d a a ac e a a ea a f b . F
c e g d a e e e e ced dec g f e e a fe ea , a d a
NAND ce c e a d dec e, c ea f e d e e e. F e f
c ce , b e ca dee a e d c b e e f a e ec g e e ge . S ce
b e a e c ef c ce ed e f c a f a d g a age d e, a e e
a a e ec g e a NAND c d e e a e . W c g c ,
ea f e b e a e d c , c ea g e ea f b e , e a ge
e e e ec g e e a a f d ce c e e d . If
T ba ab e ee g e e f e e eeded c ea e e e
ec g e , a ee e d e e c e f a c a , e #2 e
a e bec e ea e ed. I add , ba e e a e g a e beca e f e
g e e f ca a eeded a d c f e d c . F c e a e
a c a , e e c a e , b d eed be ea ed f a e a e . T e ef e,
b ffe g e b e f a e, T ba d g a ea e e f a c a a
c e a c a g e a e , b e . T a e e age a e
a ac e c a e a e e a .
V-C a a a ce a e e ec g e ab ed a e ,
c bec e c d ed d e e a e f e d c . Beca e f , b e
g e a a c ac e ead g b a d . F a e e e e e
c e e c de c ea e e P-C ead f c ea g e V-P. A g e

f e a e e a e , e VRIO a a a Sa g c e a e be c
c e d e e e a c e e ad a age c ea ed b e g ea 3D NAND.
F T ba c e c e a c g a g e c e e , add a a ge ca a
e e d e d be e ed. VRIO a a a T ba a a e a e a
c e e ad a age e b ea g 64 La e 3D NAND, b
a a , eed c e e ea R&D. I g f T ba c e
f a c a a e, e .
C a a e f a c a a a a T ba be e d a e age b
R&D e d g a d Ca E c a ed e ee . T e a a e a e ca f
Ca E a e a e e d a e age, d ca g a e e be ab e g
e b e e e e e ed e a c e e.
Fac g a e g f e c a ece acc g ca da , e-d , a d
c e e c ea d , T ba a c . Of e a a f e b e
a c d e ab e e c a f a c a , T ba e b e e
a ac e a d d e e a ge e e e e c f de ce f e a e de .
M a , e a e f T ba Me ca de a d a ce g e g ab e e
ca a d e e e e b e e . T e c e ea e e
d ca de a d c a a g ce d e e g g de a d e ec ed f e
NAND-Me eg e . If T ba e e e e e e e d , e e.
O e c e a d e e c e (C a) a e de a ed a a ge e e
a fac g e a d e e f ce e e a c da e e a e . F e e,
e g e e d e a e e e a d b g e c a de a
c e e F c D ffe e a a d a g f c ac a d .
W e e g e e eg e c ea e T ba ca , e ca
e a e a eg e a ge e a e a ge e e e a d a e bac a d
eg a e. O e e a d, e e b e c e e c ef c , a d e
a b e a d e e c g e a e. Re g e e b e c d
a T ba a e a c a eg ac e c a . I add , e g e
e b e e g e R e ' c a f ca f e e a b e a Re a ed

L ed c a f ca f a g f e a ed b e e . N d e e c da e
e ffe g , b d g d c ea e e g f ca ce f e e a ed e f e E e g a d
I f a c e b e e , ce e d c b e 77% f e e e e c b ed.
Memory Valuation
W a ec e da e e , a a a e a e fa a e
ce f T ba e d a d de a f ce f T ba. W a g,
g g de a d f NAND, e a a e fa a a a d $20.5B, a ee de a
Exhibit 18. T e d f e a ge f a a . T e e d a 5 ea f f ee
ca f ec , c a b e c e g e e ce a f e b e be d
a . T e g e d a e f ee ca f a e a a e ca ed a 20- ea
d c fe c c e f NAND-Me ba ed e ec g be g e a da d f e
e 10 ea a e f NAND a e a a e c d c ec g ef fe94
c e (a ed Exhibit 19). T a ac a c e d e e a d ace f b e
e e c d c eg e a d e -b d a ca a e e d e eeded e
fac e de c e e e f e. T e a a a a fac affec g e
c a : e e ec ed g a e a d e dec ea e NAND c f g d a ea g a d
ce e e cc . W e e g, e be a e ce ca be fe ed a d
be ba ed c f de e ca e f a ed c c f g d d e ec g e
e 64 La e 3D NAND. M a , a dec ea e c f g d d f a ea 5% eed
cc f a g a a . T dec ea e ea ab e g e T ba ece b ea g
3D NAND a d e ca a e e ade. A dec ea e f 7.5% a e e be e
5 ea . Re e e g f a ea 10% acce ab e e e f eca , e e , e d
e ec ed g 20%, e d g f e a g e a a .
ICT Valuation
W e e a e f e ICT b e a d ff c de e e, ce e
d e e e a e e ea ed, g a c a ab e ca e de e e e a e f e
. HP E e e, c de a c g e ce , a ed a g $37B af e
b g g a a e $50B e e e. T ea a e a e f a a b e
94
O a d, E. (2012, Feb a 20). C en olid- a e d i e echnolog i doomed, a Mic o of Re ea ch.

g 74% f a a e e e. U g e a e c e a e ca c a , T ba ICT
d be d f a ce g e a e 74% f a a e e e f $2B, g
$1.75B. W e a ba a f g e, ca ed g e a e f e .
Target Buyer Analysis for Memory
T a a e T ba d a ge b e b e , e e a e a e e e
c de ed: A e, F c , TSMC, Sa D /We e D g a , Seaga e, SK H , a d
T g a U g (C a). Eac b e a c ed b e f a c a a d b a g
a a e e e e f e Ac . A a ce F a e eac c a . S g95
b e a e ea f a c a , c d g deb - -ea g a d g ca ba a ce .
T e a e a g e a d e e e d f e g e f e g g
T ba e b e . T e g ad g c e e fac a eg c c de a f e
c a e f eac a ge . Exhibit 20 c a a a f e e g f eac e a b e
g e a ac ed ab e.
Apple - Ra ing: Medium/High
A e c e T ba a ge c e e d , e f a
age f A e P e, Pad, a d MacB de ce . If A e e e ac e T ba
e b e , d a A e e ca eg a e e d c ce a e
d e f a age g g e de ce . Add a , A e e a ge
e , F C , g c de g c a g T ba, e eb a g F C
c a a f e d c f e c A e e f e de ce . If e e
a e , d g ea c ea e e e f F c , c c d f ce A e
a g e f e e eed d F C a e e eg a e ce . A e a
c e c g e f a c e , Sa g, e b e de ce ace,
ac g T ba e b e c d ea e e a ce Sa g, e eb de e g a
a eg c b e f a c e . H e e , g e a A e c e a
e a fac e , e e e f ed da e ce d e be , e a a g
a a a ce e a a e. Rea ed e g e d e be e e a a T ba a e
e a d e a e A e eg a e e de ce , a e a a g a
95
D e , J., Ka e, P., S g , H. (2004, J ). When o All and When o Ac i e. .

a a ce a be e f . A f Dec., 2016 A e ad $230B ca a d a d c d ea f d a
ac f T ba e b e .
FoxConn - Ra ing: Medium/High
F C , T ba, a d Sa g a e c e e a ge e e f a f
A e d c . Ac g T ba d a e F C /T ba e a ge e e
f A e d c a d e g e e f a e a e . F C a a
e a d a ge c ee d a b e a d g T ba NAND f a e
b e e e e e c eed be a a ab e. Add a , e ac96
a F C be be e ed f e c g 8K de ea g a e a d
e e e e , a g f e e a f ec ca e g e a e ee
c ea e a be e d c ed f e eed f a a e . G e a F C a ead a a ge
ca e ec g a fac e , a ac d e c ea e a a ge a f d a
e g e , a g a g ca e f ac . F a c a , F C a a a e $50B
ca a d, c d a e ea f a ce e e; e e , e a a
ee a a e a e c a TSMC SK H , c d be e c . O e
a d e f F C e Ja a e e g e e e g a e a f
T ba b e , a g e e a e ea a a ec a e a e
c ce ed e f e a e c d a d e ca ab e a , C a. T b de e f U.S.97
c a e , b f Ta a -ba ed F C .
TSMC - Ra ing: Medium
Ta a Se c d c Ma fac g (TSMC) c d e T ba e b e a
a a e e e 3D NAND F a a e , b e g e d be c ea . Rea ed e g e
d e be e e a a edge a g d be ece a f d c e ec .
T a e a ac a eg e ab e, e e , TSMC c d be ef f a
ac b g a ge c b ed ca e f e e c e g e
f d b e e a ed c g a fac g a d d c c f T ba e g
e b e . G e a TSMC a ead a eade ec g a fac g, e e
d e be a a ge be f ed da e ce f a ac ed. T e c a
96
Ga e , J. (2017, Ma c 7). Wa ch O Sam ng, Fo conn Wan o B To hiba Memo B ine .
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d e a e a g ca e A e a d F C , b a ca e a e deb
ea g a , a g e ab f d a ac f e e e .
U f a e , a ed b e a e, TSMC ba ed Ta a a d a c e de e
c f e Ja a e e g e e f a g e C a, a F C , a c d
ea e e b d ac e T ba.
SanDisk / Western Digital - Ra ing: Medium/High
T ba a d Sa d e e ed e e e 2001, ag ee g a b a e
d c - e NAND Fab a d c -de e ead g edge NAND ec g e . Sa D
c ac a b ga ed c a e ab a f f e NAND afe c g f e
c - ed d c fac e a a f e ag ee e . T e c a e ece98
c ab a ed de e B CS3, e f 64 a e 3D NAND ec g . T e cce f
c ab a de a e e e e ce f ec ca e g e , c ca e be f e
e a ced f e a e e a g de e a e c a e a eg . F e , e a ead
c - e a e e f e a fac g e g e , a d c b g a a d a e d e
ead c ea ed e g e a d a ge P-C. Of e , We e D g a g
e ed e HDD , a a d dec g a e , e e af e e ac f Sa d . A
e ge T ba d g e e a b SSD a e a e a d e e be e c e e
aga e a e eade , Sa g. F a c a , We e D g a a a e g Deb /EBITDA
a a d a ed c e ca , a g ab f d e ac e ab e a be .
Seagate - Ra ing: Medium
L e We e D g a , Seaga e a a e e e HDD a e , c a
f ab e e a fe ea . A e ge T ba d g e e a a a d a ge
a e a e e e ce NAND a d SSD . I d a g e e acce e f
NAND Fab , e g e c a d e c e e , c c ea e a c
ad a age f e c a . Seaga e c e a eg ce NAND e e a e .
W a e ec ed age 2018, a e ge T ba d g a a ee
ce Seaga e SSD d c . A ac d ge e a e g ec ca e g e a
e c a e c ab a e c ea e be e e ec g e . H e e , e e e
98
Ca e a , R. (2017, Ja a 23). We e n Digi al F e B ine Depend on To hiba NAND Spin-Off Deci ion.

be ed , ed da e ce beca e Seaga e a e b a g ca ab
a d NAND a d SSD , a g a ac a eg e fa ab e. U f a e , Seaga e
a a ca a d ed c e Deb /EBITDA a , a g ab f d e
ac c ea .
SK Hynix - Ra ing: High
SK H c e a e #5 a e NAND a fac g a d a e ge
T ba d a e be d Sa g e #2 a e , c ea g
c e e be ef f b T ba a d SK H . G e e c e a e a e ,
SK H d be e e face eg a c f a a a a b gge
e We e D g a g . A ac a e e a f a ec ca e g e
a e c a e c ab a e b d e e a d age ec g e . I d
a e ec e f ca e, c ea g c ad a age a d b g P-C f b c a e .
T e e d e be a be f ed da e ce ac g e e a e f
e c a e , a g a ac a eg a a e. F a c a , SK H a a e
deb a a d g EBITDA a a % f e e e. A g e ca e a e
e e a b dde , e fee a e d a e a b e a g e ece a ca
g e e ea f a c a . A b d f SK H a e e ece e g
c f e Ja a e e g e e g e a e c a ca ed S K ea e
C a.
Tsinghua Unigroup (China) - Ra ing: Low
T e C e e g e e a e e ed de e g -c e c d c
ec g e a d ca ab e , a g e d e a $100B a e e e a
f e g - c a e . T g a, a b c e C a, a c a ed a be f99
ec g c a e e g a . R ed be bac ed b e C e e g e e ,
2015 T g a ade a a e ac e US-ba ed e a fac e M c f $23B,
a a ge e e e c a a e ce, ga acce e e a e . T100
a g g e a f c a e e T ba, a d a c ea e e e a f a
a ge e f e ac a a . T e c a c e a e e ce e
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100
China T ingh a Unig o p plan $23B bid fo Mic on Technolog . (2015, J 13).

e a e e g e d e be d a a be , a d e ce e a d be
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e e g a a ce, b c ea f e c a c d aff d b d g e e g deb
c e a d ed c e f a c a . F a , a F C ac a e e a f
g ec ca e g e a e c a e c ab a e e e e a e . T e a a e
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Appendix I - Exhibits
Exhibit 1: T ba I d A a

Exhibit 2: NAND Ma e S e a d S a e101
101

Le el Anal i for Complemen Po er
Por er Anal i S mmar

Exhibit 4: C a ge Me Ma e S a e a g e US, Ja a , a d K ea (1990 2013)102
S : Da a a a 1990 2004 a S a a 2005 2013.
Exhibit 5: I d Ha d e S e & NAND C e 103
Exhibit 6: NAND F a De a d D e
102
103
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S ce: DRAM eXc a ge Ma e I e ge ce Re , N . 21 , 2016
Exhibit 7: S a a d Ra a e f P a C e

Exhibit 8: VRIO A a f NAND C e
Resource/
Capability
Valuable? Rare? Difficult to
Imitate?
Exploited by
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Competitive
Implications
Rec g ed SSD
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Seaga e: -

Exhibit 9: NAND Tec g R ad a b C e
*No e: Sam ng ha lipped hei ched le on 64 La e NAND and ill hip af e To hiba
:// . ec g .c / ec g /ab - ec g /a c e /dee -d e- - e- e - c -3D-32L-FG-NAND/
Exhibit 10: Fea e C a f F ag SSD M de

Exhibit 11: V-C A a f SSD (T ba, Sa g, & Sa d )
Exhibit 12: P ce c a f SSD HDD
So ce: DRAM eXchange Ma ke In elligence Repo , No . 21 , 2016

Exhibit 13: V-C C a (Sa g, Sa d , & T ba)

Exhibit 14: I d & C a ab e F a c a Ra
104
105
104
Sam ng Ann al Repo . (2017). ; G foc SSNLF. (2016).
105
SanDi k Co po a ion Fo m 10-K. (2016, Feb a ). ; G foc SNDK. (2016).

106
107
106
We e n Digi al 2016 Ann al Repo and Fo m 10-K. (2016, Se e be 22).
107
Seaga e In e o . (2017). ; G foc STX. (2016).

108
109
108
In el In e o Rela ion . (2016). ; G foc INTC. (2016).
109
To hiba Financial Info ma ion. (2016). ; G foc TOSYY. (2016).

Exhibit 15: Fab ca C Pe N de
R&D C e N de S e

Exhibit 16: Rece F a c a Pe f a ce f T ba Re ab e Seg e 110
Re e e, 10-Q
M
Re e e % f B P e
M e Re e e O e a g P f O e a g P f %
E S a
S 29% $7,508 $94.8 1%
I a S
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R a a P
S * 10% $2,445 $64.2 3%
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T a 100% $25,457 955.5 4%
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Exhibit 17: Re a Be ee U

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Exhibit 20: S e g f P e a B e

Appendix II - Financial Background
Contents:
2016 10K
F e-Yea S a
Re f O e a : O e e f C da ed Re
C da ed Re b Seg e
Re ea c a d De e e
Ca a E e d e
Ma S b d a e a d Aff a ed C a e
C da ed Ba a ce S ee
C da ed S a e e f O e a
C da ed S a e e f C e e e I c e
C da ed S a e e f E
C da ed S a e e f Ca F
N e C da ed F a c a S a e e
2016 10Q2
F S M Re
Sec d Q a e Re
C a a e C da ed Ba a ce S ee
C a a e C da ed S a e e f O e a
C a a e C da ed S a e e f C e e e I c e
C a a e C da ed S a e e f Ca F
I d Seg e I f a

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