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Original Mosfet FHP40N20 40N20 40A 200V TO-220 New
- 1. 产品描述 产品特点
20A, 400V, RDS(on) = 0.24Ω @VGS = 10 V
低电荷、低反向传输电容
开关速度快
FH 20N40为N沟道增强型功率MOS场
效应管,适用于开关模式电源
。
参数名称 符号 单位FHP20N40
漏极-源极电压
漏极电流@Tc=25℃
栅源电压
耗散功率@Tc=25℃
结温
储存温度
雪崩
ID
VDS
VGS
PD
TJ
Tstg
EAS
400
20
±30
273
150
-55~175
1100
V
A
V
W
℃
℃
mJ
极限值 (TC=25℃)
动态特性值
参数说明 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
输入电容
输出电容
反向传输电容
Ciss
Coss
Crss
VDS=9,9*6 9I 0+]
VDS 9,V*6 9I 0+]
VDS=25v,VGS 9I 0+]
--
--
--
--
--
--
pF
pF
pF
- 2. BVDSS VGS=0V, ID=250ȝ$ -- -- V
IDSS VDS=6009,VGS=0V -- 1 μA
IGSS(F/R) VGS= ,VDS=0V -- 100 Q$
RDS(ON) VGS=10V,ID=A --
VGS(th) VDS VGS,ID=250μ$ -- V
VFSD IS=A,VGS=0V -- -- V
Qg V*6 9 -- nC
Qgs 9D6=9 -- Q
Qgd I 0+] - Q
( ) Td(on) V*6=9 -- ns
Tr ID=A -- ns
Td(off) 5* Ÿ -- ns
tf 9'' 9 -- ns
- 10. 9*6 9 ,' $
38/6( '85$7,21 μV
'87 /( 0$;
电容S)
- 12. 9*6 9 I 0+]
266
,66
566
9
9*6栅-源电压9
- 32. 4.50 ±0.209.90 ±0.20
1.52 ±0.10
0.80 ±0.10
2.40 ±0.20
10.00 ±0.20
1.27 ±0.10
ø3.60 ±0.10
(8.70)
2.80±0.1015.90±0.20
10.08±0.3018.95MAX.
(1.70)
(3.70)(3.00)
(1.46)
(1.00)
(45°)
9.20±0.2013.08±0.20
1.30±0.10
1.30
+0.10
–0.05
0.50
+0.10
–0.05
2.54TYP
[2.54 ±0.20]
2.54TYP
[2.54 ±0.20]
TO-220
外形尺寸