1. UNIVERSITETI I PRISHTINËS “Hasan Prishtina”
FAKULTETI I SHKENCAVE TË APLIKUARA MITROVICË
Grupi A- PROVIM ME SHKRIM NGA KOMPONENTET ELEKTRONIKE, Prilli 2013
1. Rezistori i silicit është pasuruar me atome akceptore. Rezistori gjysmëpërçues ka gjatësi prej 20 μm, syprina e sipërfaqes
së prerjes tërthore 5 μm2
, kurse lëvizshmëria e vrimave në resistor ka vlerën 150 cm2
/Vs. Në rezistor është i kyçur tensioni
1V,kështu që nëpër të rrjedh rryma me vlerë 0,6 mA. Temperatura T = 300 K. Gjeni:
a) Koncentrimin e atomeve akceptore. (15 p)
b) Intensitetin e fushës elektrike në pllakë (5 p)
Zgjidhje
a) Nisemi nga Ligji i Omit në formë Lokale, si dhe nga fakti që rezistori gjysmëpërçues është i tipit p.
3 4
18 3
8 2 19 2
0.6 10 [ ] 20 10 [ ]
10 /
5 10 [ ] 1.6 10 [ ] 150[ / ] 1[ ]
A n
A
n
J E
I U
e N
S l
I l A cm
N atome cm
S e U cm C cm Vs V
 
 
 
    
   
  
       
b) 4
1
500
20 10
U V V
U E l E
l cm cm
     

2. Për qarkun kufizues, diodat konsideroni ideale.
a) Duke bërë analizën e qarkut, të paraqitet forma e saktë valore e tensionit në dalje (12 p)
b) Gjeni vlerën mesatare të tensionit në dalje. (18 p)
Zgjidhje
Tensioni në hyrje është sinusoidal me amplitudë 6 V
I 0 2iv V  , D1 dhe D2 janë të polarizuara revers dhe nuk përçojnë, prandaj vo = vi
II 2iv V , D1 përçon, ndërsa D2 është e polarizuar revers dhe nuk përçon, prandaj
1
2 2
10 10 20
i iv v
i
 
 


2. Tensioni në dalje është: 2 1
1 1
2 ( 2) 2 1
2 2
o i iv R i v v       
Nëse vi = 6 V, atëherë vo = 4 V
III 4 0iv V   , D1 dhe D2 janë të polarizuara revers dhe vo = vi.
IV 4iv V  , D1 nuk përçon (e polarizuar revers), ndërsa D2 përçon dhe tensioni në dalje është
4ov V 
Në figurën e mëposhtme, në të njëjtin sistem koordinativ është paraqitur forma valore e tensionit në hyrje dhe tensionit të
kërkuar në dalje.
b) Vlera mesatare e tensionit në dalje llogaritet me shprehjen:
31 2
1 2 4
2
4 3
0
1
1 4( )
2
2
i i i i
mes
v d v d v d v d
U
  
  
 
        
 


   
Ku janë: 16 sin 2   dhe 36 sin 4    , ndërsa θ2 dhe θ4 llogariten nga simetria e tensionit në dalje!
3. Për qarkun me emiter të përbashkët janë të njohura: hfe = 100, rπ = 100 Ω, RF = 150 k Ω dhe RC = RL = 2 kΩ
a) Paraqitni qarkun ekuivalent për sinjale të vogla (3 p)
b) Gjeni amplifikimin e tensionit Au = vo/vs (8 p)
c) Gjeni amplifikimin e rrymës Ai = io/is (15 p)
d) Gjeni rezistencën hyrëse Ri (4 p)

3. Zgjidhje
a) Skema ekuivalente
b) Amplifikimi i tensionit: Au = uo/us
Nga skema ekuivalente:
( || )o C L fe bv R R h i   dhe s bv r i 
( || ) 2 2 100
1000
( ) 0.1 4
C L fe b C L feo
u
s b C L
R R h i R R hu
A
u r i r R R 
     
       
   
c) Amplifikimi i rrymës: AI = io / is
C fe bo o
o u
L s C L
R h iu u
i A
R u R R
 
    

Rryma nëpër rezistorin RF është:
( )
C L feB C s o
F b
F F F F C L
R R hu u r
i i
R R R R R R

    
     
  
1
( )
C L fe
s b F b
F F C L
R R hr
i i i i
R R R R

  
      
  
29.98
( ) ( )
1
( )
C fe b
F C feo C L
i
C L fes F C L C L fe
b
F F C L
R h i
R R hi R R
A
R R hi R r R R R R hr
i
R R R R

 

 
     
        
   
  
d) Rezistencën hyrëse e gjejmë nga raporti i mëposhtëm:
1 1
1
o
i s o s o s s
i
ou s o s L o L s L
s
i
i
u L
i
A i i v i v v
R
uA i v i R i R i R
u
A
R
A R
         

 

4. Pra,
29.98
2000 59.96
1000
i
i L
v
A
R R
A

     

4. Në qarkun me NMOSFET në Fig. 4
a) Llogaritni ID dhe VDS nëse kn’ = 200 µA/V2
, VTN = 0.6 V, ndërsa W/L = 3. (15p)
b) Verifikone gjendjen e supozuar të polarizimit (5 p)
Zgjidhje
a) Supozojmë se punon në modin e ngopjes, kështu që:
' 2 21 1
( ) 200 3(1.8 0.6)
2 2
D n GS TN
W
I k V V
L
      432µA
Aplikojmë Ligjin e Dytë të Kirkofit për konturën e Drejnit:
0 5 5 0.432 2.84DD D D DS DS DD D DV R I V V V R I V         
b) Për kushte të ngopjes vlen: DS GS TNV V V  2.84 1.8 0.6   , çka është plotësisht e vërtetë dhe NMOS-i punon në
ngopje.