1. Електричний струм у
Тема: “
напівпровідниках.
Електропровідність напівпровідників”

2. Широкий клас речовин, які за своїм
питомим опором займають проміжне
місце між провідниками і
діелектриками, називають

3. До напівпровідників належать 12
хімічних елементів:
•B, C, SI, Ge,
Sn, P, As, Sb,
Se, Te, I

4. Здатність будь якої речовини
проводити електричний струм
під дією електричного поля
називають

5. Тип провідності зумовлений
видом носіїв струму.
• Метали мають електронну провідність,
так як носіями струму в них являються
електрони.
• В електролітах носіями струму є вільні
позитивні і негативні йони, тому в них
йонна провідність.

6. Напівпровідники мають основні
такі властивості:
• 1.Електпровідність напівпровідників дуже
залежить від стану речовини (температура,
освітлення, наявність домішок, тощо).
• 2. З підвищенням температури електричний
опір напівпровідників на відміну від металів
різко спадає.
• 3. Струм у напівпровідниках зумовлений
напрямленим рухом електронів, а не йонів.

7. Опір напівпровідника зменшується з
підвищенням його температури.
• Електричний опір залежить від ступеня
освітлення.
• Під час освітлення напівпровідника
сила струму в електричному колі значно
зростає.
• Це свідчить про зменшення опору
напівпровідника під дією світла

8. Залежність опору
напівпровідників від освітлення і
нагрівання залежить
• від внутрішньої будови цих матеріалів.

9. Ge –германій.
• Порядковий номер 32.
• Чотири електронні оболочки мають 32 електрони:
• на першій оболонці найближчої до ядра -2 електрони,
• на другій-8, на третій-18, на четвертій-4 електрони.
• Електрони трьох внутрішніх оболонок мають стійкі
конфігурації і не беруть участі в хімічних реакціях.
• Електрони зовнішньої оболонки слабко звязані з
ядром атома.Їх називають валентними електронами.
• Валентність Ge дорівнює 4.

10. При зближенні одного атома з іншим
їх валентні електрони внаслідок
слабкого звязку із своїми ядрами
• легко взаємодіють, утворюючти стійкий
хімічний зв’язок, який називають

11. За низьких температур усі валентні
електрони атомів зайняті у ковалентних
звязках, тобто не є вільними.
• Через брак вільних електронів
напівпровідники за низьких температур
поводять себе, як діелектрики.
• Для того, щоб напівпровідник проводив
струм, треба розірвати парноелектронні
звязки, тобто звільнити електрони.

12. Під час нагрівання або освітлення
кристалу деякі електрони набувають
надлишкової енергії і стають вільними.
• Чим більше нагрівається або
освітлюється напівпровідник, тим
більше в ньому зявляється вільних
електронів і тим більшою стає його
електрична провідність, тобто
зменшується опір напівпровідника.

13. Електрон, що звільнився покидає своє місце,
яке було у системі звязків між атомами.
• У цьому місці утворюється вакансія , тобто незаповнений
електронний зв’язок, яку називають діркою.
• Дірка поводиться як позитивний заряд.Заряд дірки за значенням
дорівнює заряду електрона.
• Дірка може захоплювати електрон від сусіднього звязку, де завдяки
цьому виникне нова дірка, тоді як первісна дірка зникає.
• Це еквівалентно переміщенню дірки в просторі, тому вона може
рухатисьу кристалі подібно до вільного електрона.
• Електричне поле впорядковує рух як вільних електронів, так і
дірок.Позитивні дірки почнуть рухатись до негативного полюса
джерела- катода,а вільні електрони – до позитивного полюса- анода.
• У кристалі напівпровідника виникає електричний струм, зумовлений
рухом носіїв двох типів, тобто діркова і електронна
провідність.

14. Провідність хімічно чистих
напівпровідників, яка виникає під час їх
нагрівання або освітлення,
• називають

15. Провідність напівпровідників,
зумовлену наявністю домішкових
атомів, називають

16. Розрізняють
електронну домішкову
провідність,
діркову домішкову
провідність.

17. Домішки, що легко віддають
електрони, І, отже, збільшують
кількість вільних носіїв
називають