SiC SITのデバイスモデリングに必要な測定データについて(株式会社ビー・テクノロジー)

1. SiC SIT（Static Induction. Transistor)
SiC SITのデバイスモデリングに
必要な測定データについて(Version1)
Vds-Ids Characteristics
Vg-Ig Characteristics
Gate Charge Characteristics
Turn - on Characteristics
Turn - Off Characteristics
デバイスの耐圧情報もお知らせ下さい。
04JUN2012
株式会社ビー・テクノロジー
Bee Technologies Inc.
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2. Vds-Ids Characteristics
Ids
Vds
Vgsを変化させ、複数の特性図にして下さい
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3. Vg-Ig Characteristics
Ig
Vg
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4. Gate Charge Characteristics
Vgs
測定条件：Vdd
Qg
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5. スイッチング特性
Turn - on Characteristics
Turn - Off Characteristics
それそれのスイッチング特性の値と測定条件、評価回路図を
ご提供下さい。
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6. オプション
下記の2特性も再現する事が出来ます。
Withstanding Voltage of SD (Vd-Id) Characteristics
Vg-Ig Reverse Characteristics
Withstanding Voltage of SD (Vd-Id) Vg-Ig Reverse Characteristics
Characteristics
Id 測定条件：Vg Ig
Vd Vg
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