ЛАБОРАТОРНА РОБОТА №5
 «Дослідження залежності 
опору напівпровідників від 
температури».
Мета роботи: Дослідним шляхом встановити закон зміни опору
напівпровідника при його нагріванні визначити ширину
забороненої зони і концентрацію зарядів у напівпровіднику при
різній температурі.
Прилади та матеріали: Експериментальна установка, яка має
досліджуваний термоопір, термостат з нагрівачем і стабілізатор
струму. Джерело постійної напруги(U=16В). Міліамперметр
постійного струму (Імах=200мА). Цифровий вольтметр або
мультіметр для вимірювання постійної напруги (Umax=20B).
Короткі теоретичні відомості: Напівпровідники - це речовини, які за
своєю електропровідністю, мають проміжне місце між провідниками
першого роду і діелектриками. Навідміну від металів вони мають
від'ємний температурний коефіцієнт опору (в певних температурних
інтервалах).
Термістори - об'ємні опори, що виготовляють з напівпровідникових
матеріалів. Вони мають від'ємний коефіцієнт опору, який у багато разів
перевищує температурний коефіцієнт опору металів. Термістори можуть
бути найрізноманітніших розмірів і форми, а також мають різні термічні
та електричні властивості, високу механічну міцність.
Залежність опору напівпровідників від температури у значних
інтервалах описується виразом
kTE
AeR 2/∆
=
Схема експериментальної установки
Ct 0
, 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70
ΑΙ ì,
Β,1U
Β,2U
Β,ñðU
ÎìR,
16
10,36
10,11
9,85
9,34
9,27
8,6
8,67
8,05
8,0
7,6
7,35
7,30
Розрахунки
235,10
2
11,1036,10
25 =
+
=ñðU
595,9
2
34,985,9
30 =
+
=ñðU
935,8
2
6,827,9
35 =
+
=ñðU
36,8
2
05,867,8
40 =
+
=ñðU
2
21 UU
Uñð
+
=Β
8,7
2
6,70,8
45 =
+
=ñðU
65,14
2
30,735,7
50 =
+
=ñðU
64,0
16
235,10
25 ==R
56,0
16
935,8
35 ==R
6,0
16
595,9
30 ==R
5225,0
16
36,8
40 ==R
I
U
R =
5,0
16
8,7
45 ==R
10,0
16
65,14
50 ==R
Контрольні питання
1.Які речовини належать до напівпровідників ?
До напівпровідників, належать деякі хімічні елементи
(кремній,германій, селен, бор, телур),а також окиси (СuО),сульфіди
(CdS, PbS, JnS), телуриди (HgTe, Cd, Te) , фосфіди (CaP,JnP, JnP2).
2. Пояснити власну провідність напівпровідників
У напівпровідниковому кристалі серед валентних електронів
обов'язково є електрони, кінетична енергія яких настільки велика, що
вони можуть залишити зв'язок і стати вільними.
Якщо напівпровідниковий кристал помістити в електричне поле, то
вільні електрони почнуть рухатися до позитивного полюса джерела
струму і в напівпровіднику виникне електричний струм. Зі збільшенням
температури середня кінетична енергія електронів збільшується, у
результаті дедалі більше електронів стають вільними. Тому,
незважаючи на те що йони внаслідок коливального руху ще більше
заважають рухові вільних електронів, опір напівпровідника
зменшується. Провідність напівпровідників, зумовлену наявністю в них
вільних електронів, називають електронною провідністю, а вільні
електрони — електронами провідності.
3. Пояснити домішкову провідність напівпровідників (донорна,
акцепторна).
До цього було розглянуто електричний струм у чистих напівпровідниках.
У таких напівпровідниках кількість вільних електронів і дірок є
однаковою.
Проте якщо в чистий напівпровідник додати невелику кількість домішки,
то картина дещо зміниться
Домішки, атоми яких легко віддають електрони, називаються донорними
домішками (від латин. сїопаге — дарувати, жертвувати).
Домішки такого роду називаються акцепторними домішками (від латин,
ассеріог — той, що приймає). У напівпровідниках з акцепторними
домішками основними носіями заряду є дірки.
4. Як виникає діркова та електрона домішкова провідність
напівпровідників?
Провідність напівпровідників зумовлена рухом вільних електронів
(електронна провідність) і рухом дірок (діркова провідність).
Домішки,що викликають у напівпровіднику збільшення вільних
електронів, називається донорними,а виликаючи збільшення
дирок- акцепторні.
5. Що називається енергією, активації?
Енергія активації - характерний параметр процесів, зокрема
хімічних реакцій, кінетика яких описується рівнянням
Арреніуса.
Енергія активації вимірюється зазвичай у кДж/моль або
ккал/моль.
Активація - процес отримання з стабільних ядер радіоактивних
ядер - являє ядерну реакцію.
6. Як залежить опір напівпровідників від температури і
освітлення
При низьких температурах електропровідність мала зменшення опору з
ростом температурами пояснюється число носіїв заряду,тобто
збільшується концентрація вільних електронів.
7. Що таке терморезистори і яке їх застосування ?
Терморезистор, термістор — напівпровідниковий резистор,
активний електричний опір якого залежить від температури;
терморезистори випускаються у вигляді стрижнів, трубок, дисків,
шайб і бусинок; розміри варіюються від декількох мкм до декількох
см; на їх основі розроблені системи і пристрої дистанційного та
централізованого вимірювання і регулювання температури,
протипожежної сигналізації та теплового контролю, температурної
компенсації різних елементів електричного кола, вимірювання
вакууму та швидкості руху рідин і газів та ін.
Ct 0
, 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70
ΑΙ ì,
Β,1U
Β,2U
Β,ñðU
ÎìR,
16
10,36
10,11
9,85
9,34
9,27
8,6
8,67
8,05
8,0
7,6
7,35
7,30
10,2359,595 8,935 8,36 7,8 14,65
0,64 0,6 0,56 0,5225 0,5 0,10

Laboratorna robota 5

  • 1.
  • 2.
    Мета роботи: Досліднимшляхом встановити закон зміни опору напівпровідника при його нагріванні визначити ширину забороненої зони і концентрацію зарядів у напівпровіднику при різній температурі. Прилади та матеріали: Експериментальна установка, яка має досліджуваний термоопір, термостат з нагрівачем і стабілізатор струму. Джерело постійної напруги(U=16В). Міліамперметр постійного струму (Імах=200мА). Цифровий вольтметр або мультіметр для вимірювання постійної напруги (Umax=20B).
  • 3.
    Короткі теоретичні відомості:Напівпровідники - це речовини, які за своєю електропровідністю, мають проміжне місце між провідниками першого роду і діелектриками. Навідміну від металів вони мають від'ємний температурний коефіцієнт опору (в певних температурних інтервалах). Термістори - об'ємні опори, що виготовляють з напівпровідникових матеріалів. Вони мають від'ємний коефіцієнт опору, який у багато разів перевищує температурний коефіцієнт опору металів. Термістори можуть бути найрізноманітніших розмірів і форми, а також мають різні термічні та електричні властивості, високу механічну міцність. Залежність опору напівпровідників від температури у значних інтервалах описується виразом kTE AeR 2/∆ = Схема експериментальної установки
  • 4.
    Ct 0 , 2530 35 40 45 50 55 60 65 70 ΑΙ ì, Β,1U Β,2U Β,ñðU ÎìR, 16 10,36 10,11 9,85 9,34 9,27 8,6 8,67 8,05 8,0 7,6 7,35 7,30
  • 5.
    Розрахунки 235,10 2 11,1036,10 25 = + =ñðU 595,9 2 34,985,9 30 = + =ñðU 935,8 2 6,827,9 35= + =ñðU 36,8 2 05,867,8 40 = + =ñðU 2 21 UU Uñð + =Β 8,7 2 6,70,8 45 = + =ñðU 65,14 2 30,735,7 50 = + =ñðU
  • 6.
    64,0 16 235,10 25 ==R 56,0 16 935,8 35 ==R 6,0 16 595,9 30==R 5225,0 16 36,8 40 ==R I U R = 5,0 16 8,7 45 ==R 10,0 16 65,14 50 ==R
  • 7.
    Контрольні питання 1.Які речовининалежать до напівпровідників ? До напівпровідників, належать деякі хімічні елементи (кремній,германій, селен, бор, телур),а також окиси (СuО),сульфіди (CdS, PbS, JnS), телуриди (HgTe, Cd, Te) , фосфіди (CaP,JnP, JnP2).
  • 8.
    2. Пояснити власнупровідність напівпровідників У напівпровідниковому кристалі серед валентних електронів обов'язково є електрони, кінетична енергія яких настільки велика, що вони можуть залишити зв'язок і стати вільними. Якщо напівпровідниковий кристал помістити в електричне поле, то вільні електрони почнуть рухатися до позитивного полюса джерела струму і в напівпровіднику виникне електричний струм. Зі збільшенням температури середня кінетична енергія електронів збільшується, у результаті дедалі більше електронів стають вільними. Тому, незважаючи на те що йони внаслідок коливального руху ще більше заважають рухові вільних електронів, опір напівпровідника зменшується. Провідність напівпровідників, зумовлену наявністю в них вільних електронів, називають електронною провідністю, а вільні електрони — електронами провідності.
  • 9.
    3. Пояснити домішковупровідність напівпровідників (донорна, акцепторна). До цього було розглянуто електричний струм у чистих напівпровідниках. У таких напівпровідниках кількість вільних електронів і дірок є однаковою. Проте якщо в чистий напівпровідник додати невелику кількість домішки, то картина дещо зміниться Домішки, атоми яких легко віддають електрони, називаються донорними домішками (від латин. сїопаге — дарувати, жертвувати). Домішки такого роду називаються акцепторними домішками (від латин, ассеріог — той, що приймає). У напівпровідниках з акцепторними домішками основними носіями заряду є дірки.
  • 10.
    4. Як виникаєдіркова та електрона домішкова провідність напівпровідників? Провідність напівпровідників зумовлена рухом вільних електронів (електронна провідність) і рухом дірок (діркова провідність). Домішки,що викликають у напівпровіднику збільшення вільних електронів, називається донорними,а виликаючи збільшення дирок- акцепторні.
  • 11.
    5. Що називаєтьсяенергією, активації? Енергія активації - характерний параметр процесів, зокрема хімічних реакцій, кінетика яких описується рівнянням Арреніуса. Енергія активації вимірюється зазвичай у кДж/моль або ккал/моль. Активація - процес отримання з стабільних ядер радіоактивних ядер - являє ядерну реакцію.
  • 12.
    6. Як залежитьопір напівпровідників від температури і освітлення При низьких температурах електропровідність мала зменшення опору з ростом температурами пояснюється число носіїв заряду,тобто збільшується концентрація вільних електронів.
  • 13.
    7. Що такетерморезистори і яке їх застосування ? Терморезистор, термістор — напівпровідниковий резистор, активний електричний опір якого залежить від температури; терморезистори випускаються у вигляді стрижнів, трубок, дисків, шайб і бусинок; розміри варіюються від декількох мкм до декількох см; на їх основі розроблені системи і пристрої дистанційного та централізованого вимірювання і регулювання температури, протипожежної сигналізації та теплового контролю, температурної компенсації різних елементів електричного кола, вимірювання вакууму та швидкості руху рідин і газів та ін.
  • 14.
    Ct 0 , 2530 35 40 45 50 55 60 65 70 ΑΙ ì, Β,1U Β,2U Β,ñðU ÎìR, 16 10,36 10,11 9,85 9,34 9,27 8,6 8,67 8,05 8,0 7,6 7,35 7,30 10,2359,595 8,935 8,36 7,8 14,65 0,64 0,6 0,56 0,5225 0,5 0,10