SlideShare a Scribd company logo
(19) BY (11) 10340
(13) U
(46) 2014.10.30
(51) МПК
ОПИСАНИЕ
ПОЛЕЗНОЙ
МОДЕЛИ К
ПАТЕНТУ
(12)
РЕСПУБЛИКА БЕЛАРУСЬ
НАЦИОНАЛЬНЫЙ ЦЕНТР
ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ
СОБСТВЕННОСТИ
G 01R 27/26 (2006.01)
(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЗАВИСИМОСТИ
ТАНГЕНСА УГЛА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОТЕРЬ
КОМПОЗИЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ
ОТ ОТНОШЕНИЯ НАПОЛНИТЕЛЯ К СВЯЗУЮЩЕМУ
(21) Номер заявки: u 20131003
(22) 2013.11.28
(71) Заявитель: Белорусский государст-
венный университет (BY)
(72) Авторы: Зубко Денис Васильевич;
Зубко Василий Иванович (BY)
(73) Патентообладатель: Белорусский госу-
дарственный университет (BY)
(57)
Устройство для определения зависимости тангенса угла диэлектрических потерь ком-
позиционных материалов от отношения наполнителя к связующему, состоящее из двух
дисковых электродов, микрометрического устройства с встроенным микровинтом, соеди-
ненным с подвижным дисковым электродом, симметрично расположенным с неподвиж-
ным электродом, съемных контактов, отличающееся тем, что дополнительно содержит
цифровой измеритель иммитанса.
(56)
1. А.с. СССР 292120, МПК G 01R 27/26, 1971.
2. BY 9457 C1, МПК G 01R 27/26, 2007.
3. BY 9001 U, МПК G 01R 27/26, 2013.
Фиг. 1
BY10340U2014.10.30
BY 10340 U 2014.10.30
2
Полезная модель относится к контрольно-измерительной технике, а именно к элек-
трическим измерениям, и может быть использована для автоматического определения за-
висимости тангенса угла диэлектрических потерь композиционных материалов от
отношения наполнителя к связующему в различных областях промышленности.
Известны устройства для контроля диэлектрических свойств материалов [1, 2], содержа-
щие высокопотенциальные электроды, переключаемый и низкопотенциальный электроды,
которые закреплены на изоляционном основании, служащем одновременно рукояткой
конденсатора.
Основным недостатком этих устройств является низкая точность измерения диэлек-
трических свойств материалов, связанная с необеспечением однородного постоянного
электрического поля в объеме контролируемого материала, одинаковой силы прижатия и
одинаковых условий прилегания электродов к поверхности материала.
Наиболее близким по конструкции и принципу действия к заявляемому устройству
является устройство для измерения электрических свойств полимерных композиций [3],
состоящее из двух дисковых электродов, микрометрического устройства с встроенным
микровинтом, соединенным с подвижным дисковым электродом, симметрично располо-
женным с неподвижным электродом, фторопластовой прокладки, основания и съемных
контактов.
Основной недостаток данного устройства связан с невозможностью определения зави-
симости тангенса угла диэлектрических потерь композиционных материалов от отноше-
ния наполнителя к связующему. Погрешность, связанная с указанным фактором, никак не
учитывается и, таким образом, вносит существенный вклад в точность определения тан-
генса угла диэлектрических потерь композиционных материалов.
Задачей предлагаемой полезной модели является повышение точности и расширение
диапазона определения тангенса угла диэлектрических потерь композиционных материа-
лов за счет контроля отношения наполнителя к связующему в интервале от 3 до 0,33,
обеспечения однородного электрического поля в объеме композиционного материала в
диапазоне частот от 102
до 106
Гц, одинаковой силы прижатия и одинаковых условий при-
легания электродов к поверхности материала.
Поставленная задача решается тем, что устройство для определения зависимости танген-
са угла диэлектрических потерь композиционных материалов, состоящее из двух дисковых
электродов, микрометрического устройства с встроенным микровинтом, соединенным с
подвижным дисковым электродом, симметрично расположенным с неподвижным элек-
тродом, съемных контактов, дополнительно содержит цифровой измеритель иммитанса.
Технический результат достигается за счет контроля частоты электрического поля,
обеспечения однородного электрического поля в объеме композиционного материала,
одинаковой силы прижатия и одинаковых условий прилегания электродов к поверхности
материала.
В результате применения предлагаемого устройства становится возможным повысить
точность и расширить диапазон определения удельного электрического сопротивления
композиционного материала за счет контроля частоты электрического поля в интервале
частот 102
-106
Гц, обеспечения однородного электрического поля в объеме композицион-
ного материала, одинаковой силы прижатия и одинаковых условий прилегания электродов
к поверхности материала.
Сущность полезной модели поясняется фиг. 1-2.
На фиг. 1 схематично изображено устройство для определения зависимости удельного
электрического сопротивления композиционных материалов от частоты электрического
поля.
На фиг. 2 приведен пример реализации устройства для определения зависимости
удельного электрического сопротивления композиционного материала на основе вторич-
ного полиэтилена от частоты электрического поля при различных отношениях резиновой
BY 10340 U 2014.10.30
3
крошки РК к вторичному полиэтилену ВПЭ: кривая 7 - РК/ВПЭ = 0,33, кривая 8 -
РК/ВПЭ = 1, кривая 9 - РК/ВПЭ = 3.
Устройство включает в себя микрометрическое устройство с встроенным микровин-
том 1, соединенным с подвижным верхним дисковым электродом 2, симметрично распо-
ложенным с неподвижным нижним электродом 2, рабочие поверхности которых
отшлифованы, отполированы, хромированы и притерты друг к другу, композиционный
материал 3, съемные контакты 4, 5 устройства и цифровой измеритель 6 иммитанса E7-20.
Устройство работает следующим образом.
Пластину из композиционного материала 3 помещают в центре на нижний неподвиж-
ный дисковый электрод 2. Вращением микровинта 1 приближают верхний подвижный
дисковый электрод 2 к поверхности пластины материала 3 до срабатывания трещотки.
Цифровой измеритель 6 иммитанса E7-20 подсоединяют к съемным контактам 4, 5 уст-
ройства и измеряют электропроводимость Gx ячейки с пластиной композиционного мате-
риала.
Удельное электрическое сопротивление композиционного материала вычисляется по
формуле:
dG
S
x
=ρ , (1)
где ρ - удельное электрическое сопротивление композиционного материала, Ом·м; Gx -
электропроводимость композиционного материала, Ом-1
,
,
CC
C
21
'
2
'
1
0
ε−ε
−
= (2)
где C'1 и C'2 - измеренные емкости рабочего объема ячейки с двумя эталонными пласти-
нами соответственно; ε1 и ε2 - известные диэлектрические проницаемости двух эталонных
пластин соответственно.
Тангенс угла диэлектрических потерь композиционного материала вычисляется по
формуле:
,
C
G
tg
0
'
x
ωε
=δ (3)
где Gx - электропроводимость композиционного материала; ω = 2π·ν - круговая (цикличе-
ская) частота.
Примеры реализации устройства для определения тангенса угла диэлектрических по-
терь композиционных материалов на основе вторичного полиэтилена.
Пример 1.
Композиционный материал на основе вторичного полиэтилена: Т = 20 °С; ν = 102
Гц;
отношение РК/ВПЭ = 3; C0 = 1,98·10-12
Ф; C2 = 107·10-12
Ф; C1 = 5,34·10-12
Ф; Gx = 4,77·10-8
Ом-1
;
ε' = 52,3; tgδ = 0,733.
Пример 2.
Композиционный материал на основе вторичного полиэтилена: T = 20 °С; ν = 102
Гц;
отношение РК/ВПЭ = 0,33. Процедура измерения и вычисления далее, как в примере 1.
ε' = 3,96; tgδ = 0,022.
Пример 3.
Композиционный материал на основе вторичного полиэтилена: Т = 20 °С; ν = 103
Гц;
отношение РК/ВПЭ = 3. Процедура измерения и вычисления далее, как в примере 1.
ε' = 30,34; tgδ = 0,398.
Пример 4.
Композиционный материал на основе вторичного полиэтилена: T = 20 °С; ν = 103
Гц;
отношение РК/ВПЭ = 0,33. Процедура измерения и вычисления далее, как в примере 1.
ε' = 3,89; tgδ = 0,017.
BY 10340 U 2014.10.30
4
Пример 5.
Композиционный материал на основе вторичного полиэтилена: Т = 20 °С; ν = 104
Гц;
отношение РК/ВПЭ = 3. Процедура измерения и вычисления далее, как в примере 1.
ε' = 20,42; tgδ = 0,258.
Пример 6.
Композиционный материал на основе вторичного полиэтилена: T = 20 °С; ν = 104
Гц;
отношение РК/ВПЭ = 0,33. Процедура измерения и вычисления далее, как в примере 1.
ε' = 3,80; tgδ = 0,018.
Пример 7.
Композиционный материал на основе вторичного полиэтилена: T = 20 °С; ν = 106
Гц;
отношение РК/ВПЭ = 3. Процедура измерения и вычисления далее, как в примере 1.
ε' = 11,34; tgδ = 0,188.
Пример 8.
Композиционный материал на основе вторичного полиэтилена; Т = 20 °С; ν = 106
Гц;
отношение РК/ВПЭ = 0,33. Процедура измерения и вычисления далее, как в примере 1.
ε' = 3,53; tgδ = 0,033.
Вычисленная погрешность определения тангенса угла диэлектрических потерь компо-
зиционного материала на основе вторичного полиэтилена составляет примерно ±1,9 %.
Таким образом, использование заявляемого устройства позволяет существенно повы-
сит точность и расширить диапазон определения тангенса угла диэлектрических потерь
композиционного материала за счет контроля отношения наполнителя к связующему в
интервале от 3 до 0,33, обеспечения однородного электрического поля в объеме компози-
ционного материала в диапазоне частот 102
-106
Гц, одинаковой силы прижатия и одинако-
вых условий прилегания электродов к поверхности материала.
Фиг. 2
Национальный центр интеллектуальной собственности.
220034, г. Минск, ул. Козлова, 20.

More Related Content

Similar to 10340

7129
71297129
7236
72367236
7211
72117211
7281
72817281
10337
1033710337
6991
69916991
6698
66986698
6686
66866686
Патент на полезную модель Республики Беларусь
Патент на полезную модель Республики БеларусьПатент на полезную модель Республики Беларусь
Патент на полезную модель Республики Беларусь
Иван Иванов
 
7154
71547154
6888
68886888
7067
70677067
7175
71757175
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТЯГОВОГО УСИЛИЯ НИЗКОЧАСТОТНОГО ЭЛЕКТРОДИНАМИЧЕСКОГО ВИБРОВОЗБУДИ...
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТЯГОВОГО УСИЛИЯ НИЗКОЧАСТОТНОГО ЭЛЕКТРОДИНАМИЧЕСКОГО ВИБРОВОЗБУДИ...ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТЯГОВОГО УСИЛИЯ НИЗКОЧАСТОТНОГО ЭЛЕКТРОДИНАМИЧЕСКОГО ВИБРОВОЗБУДИ...
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТЯГОВОГО УСИЛИЯ НИЗКОЧАСТОТНОГО ЭЛЕКТРОДИНАМИЧЕСКОГО ВИБРОВОЗБУДИ...
ITMO University
 
7044
70447044

Similar to 10340 (20)

7129
71297129
7129
 
лекция 19
лекция 19лекция 19
лекция 19
 
7236
72367236
7236
 
7211
72117211
7211
 
7281
72817281
7281
 
10337
1033710337
10337
 
6991
69916991
6991
 
6698
66986698
6698
 
4
44
4
 
6686
66866686
6686
 
Патент на полезную модель Республики Беларусь
Патент на полезную модель Республики БеларусьПатент на полезную модель Республики Беларусь
Патент на полезную модель Республики Беларусь
 
лекция 17
лекция 17лекция 17
лекция 17
 
7154
71547154
7154
 
6888
68886888
6888
 
лекция 13
лекция 13лекция 13
лекция 13
 
29655ip
29655ip29655ip
29655ip
 
7067
70677067
7067
 
7175
71757175
7175
 
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТЯГОВОГО УСИЛИЯ НИЗКОЧАСТОТНОГО ЭЛЕКТРОДИНАМИЧЕСКОГО ВИБРОВОЗБУДИ...
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТЯГОВОГО УСИЛИЯ НИЗКОЧАСТОТНОГО ЭЛЕКТРОДИНАМИЧЕСКОГО ВИБРОВОЗБУДИ...ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТЯГОВОГО УСИЛИЯ НИЗКОЧАСТОТНОГО ЭЛЕКТРОДИНАМИЧЕСКОГО ВИБРОВОЗБУДИ...
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТЯГОВОГО УСИЛИЯ НИЗКОЧАСТОТНОГО ЭЛЕКТРОДИНАМИЧЕСКОГО ВИБРОВОЗБУДИ...
 
7044
70447044
7044
 

More from ivanov15666688

10375
1037510375
10374
1037410374
10373
1037310373
10372
1037210372
10371
1037110371
10370
1037010370
10369
1036910369
10368
1036810368
10367
1036710367
10366
1036610366
10365
1036510365
10364
1036410364
10363
1036310363
10362
1036210362
10361
1036110361
10360
1036010360
10359
1035910359
10358
1035810358
10357
1035710357
10385
1038510385

More from ivanov15666688 (20)

10375
1037510375
10375
 
10374
1037410374
10374
 
10373
1037310373
10373
 
10372
1037210372
10372
 
10371
1037110371
10371
 
10370
1037010370
10370
 
10369
1036910369
10369
 
10368
1036810368
10368
 
10367
1036710367
10367
 
10366
1036610366
10366
 
10365
1036510365
10365
 
10364
1036410364
10364
 
10363
1036310363
10363
 
10362
1036210362
10362
 
10361
1036110361
10361
 
10360
1036010360
10360
 
10359
1035910359
10359
 
10358
1035810358
10358
 
10357
1035710357
10357
 
10385
1038510385
10385
 

10340

  • 1. (19) BY (11) 10340 (13) U (46) 2014.10.30 (51) МПК ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (12) РЕСПУБЛИКА БЕЛАРУСЬ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ЦЕНТР ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ G 01R 27/26 (2006.01) (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЗАВИСИМОСТИ ТАНГЕНСА УГЛА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОТЕРЬ КОМПОЗИЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ ОТ ОТНОШЕНИЯ НАПОЛНИТЕЛЯ К СВЯЗУЮЩЕМУ (21) Номер заявки: u 20131003 (22) 2013.11.28 (71) Заявитель: Белорусский государст- венный университет (BY) (72) Авторы: Зубко Денис Васильевич; Зубко Василий Иванович (BY) (73) Патентообладатель: Белорусский госу- дарственный университет (BY) (57) Устройство для определения зависимости тангенса угла диэлектрических потерь ком- позиционных материалов от отношения наполнителя к связующему, состоящее из двух дисковых электродов, микрометрического устройства с встроенным микровинтом, соеди- ненным с подвижным дисковым электродом, симметрично расположенным с неподвиж- ным электродом, съемных контактов, отличающееся тем, что дополнительно содержит цифровой измеритель иммитанса. (56) 1. А.с. СССР 292120, МПК G 01R 27/26, 1971. 2. BY 9457 C1, МПК G 01R 27/26, 2007. 3. BY 9001 U, МПК G 01R 27/26, 2013. Фиг. 1 BY10340U2014.10.30
  • 2. BY 10340 U 2014.10.30 2 Полезная модель относится к контрольно-измерительной технике, а именно к элек- трическим измерениям, и может быть использована для автоматического определения за- висимости тангенса угла диэлектрических потерь композиционных материалов от отношения наполнителя к связующему в различных областях промышленности. Известны устройства для контроля диэлектрических свойств материалов [1, 2], содержа- щие высокопотенциальные электроды, переключаемый и низкопотенциальный электроды, которые закреплены на изоляционном основании, служащем одновременно рукояткой конденсатора. Основным недостатком этих устройств является низкая точность измерения диэлек- трических свойств материалов, связанная с необеспечением однородного постоянного электрического поля в объеме контролируемого материала, одинаковой силы прижатия и одинаковых условий прилегания электродов к поверхности материала. Наиболее близким по конструкции и принципу действия к заявляемому устройству является устройство для измерения электрических свойств полимерных композиций [3], состоящее из двух дисковых электродов, микрометрического устройства с встроенным микровинтом, соединенным с подвижным дисковым электродом, симметрично располо- женным с неподвижным электродом, фторопластовой прокладки, основания и съемных контактов. Основной недостаток данного устройства связан с невозможностью определения зави- симости тангенса угла диэлектрических потерь композиционных материалов от отноше- ния наполнителя к связующему. Погрешность, связанная с указанным фактором, никак не учитывается и, таким образом, вносит существенный вклад в точность определения тан- генса угла диэлектрических потерь композиционных материалов. Задачей предлагаемой полезной модели является повышение точности и расширение диапазона определения тангенса угла диэлектрических потерь композиционных материа- лов за счет контроля отношения наполнителя к связующему в интервале от 3 до 0,33, обеспечения однородного электрического поля в объеме композиционного материала в диапазоне частот от 102 до 106 Гц, одинаковой силы прижатия и одинаковых условий при- легания электродов к поверхности материала. Поставленная задача решается тем, что устройство для определения зависимости танген- са угла диэлектрических потерь композиционных материалов, состоящее из двух дисковых электродов, микрометрического устройства с встроенным микровинтом, соединенным с подвижным дисковым электродом, симметрично расположенным с неподвижным элек- тродом, съемных контактов, дополнительно содержит цифровой измеритель иммитанса. Технический результат достигается за счет контроля частоты электрического поля, обеспечения однородного электрического поля в объеме композиционного материала, одинаковой силы прижатия и одинаковых условий прилегания электродов к поверхности материала. В результате применения предлагаемого устройства становится возможным повысить точность и расширить диапазон определения удельного электрического сопротивления композиционного материала за счет контроля частоты электрического поля в интервале частот 102 -106 Гц, обеспечения однородного электрического поля в объеме композицион- ного материала, одинаковой силы прижатия и одинаковых условий прилегания электродов к поверхности материала. Сущность полезной модели поясняется фиг. 1-2. На фиг. 1 схематично изображено устройство для определения зависимости удельного электрического сопротивления композиционных материалов от частоты электрического поля. На фиг. 2 приведен пример реализации устройства для определения зависимости удельного электрического сопротивления композиционного материала на основе вторич- ного полиэтилена от частоты электрического поля при различных отношениях резиновой
  • 3. BY 10340 U 2014.10.30 3 крошки РК к вторичному полиэтилену ВПЭ: кривая 7 - РК/ВПЭ = 0,33, кривая 8 - РК/ВПЭ = 1, кривая 9 - РК/ВПЭ = 3. Устройство включает в себя микрометрическое устройство с встроенным микровин- том 1, соединенным с подвижным верхним дисковым электродом 2, симметрично распо- ложенным с неподвижным нижним электродом 2, рабочие поверхности которых отшлифованы, отполированы, хромированы и притерты друг к другу, композиционный материал 3, съемные контакты 4, 5 устройства и цифровой измеритель 6 иммитанса E7-20. Устройство работает следующим образом. Пластину из композиционного материала 3 помещают в центре на нижний неподвиж- ный дисковый электрод 2. Вращением микровинта 1 приближают верхний подвижный дисковый электрод 2 к поверхности пластины материала 3 до срабатывания трещотки. Цифровой измеритель 6 иммитанса E7-20 подсоединяют к съемным контактам 4, 5 уст- ройства и измеряют электропроводимость Gx ячейки с пластиной композиционного мате- риала. Удельное электрическое сопротивление композиционного материала вычисляется по формуле: dG S x =ρ , (1) где ρ - удельное электрическое сопротивление композиционного материала, Ом·м; Gx - электропроводимость композиционного материала, Ом-1 , , CC C 21 ' 2 ' 1 0 ε−ε − = (2) где C'1 и C'2 - измеренные емкости рабочего объема ячейки с двумя эталонными пласти- нами соответственно; ε1 и ε2 - известные диэлектрические проницаемости двух эталонных пластин соответственно. Тангенс угла диэлектрических потерь композиционного материала вычисляется по формуле: , C G tg 0 ' x ωε =δ (3) где Gx - электропроводимость композиционного материала; ω = 2π·ν - круговая (цикличе- ская) частота. Примеры реализации устройства для определения тангенса угла диэлектрических по- терь композиционных материалов на основе вторичного полиэтилена. Пример 1. Композиционный материал на основе вторичного полиэтилена: Т = 20 °С; ν = 102 Гц; отношение РК/ВПЭ = 3; C0 = 1,98·10-12 Ф; C2 = 107·10-12 Ф; C1 = 5,34·10-12 Ф; Gx = 4,77·10-8 Ом-1 ; ε' = 52,3; tgδ = 0,733. Пример 2. Композиционный материал на основе вторичного полиэтилена: T = 20 °С; ν = 102 Гц; отношение РК/ВПЭ = 0,33. Процедура измерения и вычисления далее, как в примере 1. ε' = 3,96; tgδ = 0,022. Пример 3. Композиционный материал на основе вторичного полиэтилена: Т = 20 °С; ν = 103 Гц; отношение РК/ВПЭ = 3. Процедура измерения и вычисления далее, как в примере 1. ε' = 30,34; tgδ = 0,398. Пример 4. Композиционный материал на основе вторичного полиэтилена: T = 20 °С; ν = 103 Гц; отношение РК/ВПЭ = 0,33. Процедура измерения и вычисления далее, как в примере 1. ε' = 3,89; tgδ = 0,017.
  • 4. BY 10340 U 2014.10.30 4 Пример 5. Композиционный материал на основе вторичного полиэтилена: Т = 20 °С; ν = 104 Гц; отношение РК/ВПЭ = 3. Процедура измерения и вычисления далее, как в примере 1. ε' = 20,42; tgδ = 0,258. Пример 6. Композиционный материал на основе вторичного полиэтилена: T = 20 °С; ν = 104 Гц; отношение РК/ВПЭ = 0,33. Процедура измерения и вычисления далее, как в примере 1. ε' = 3,80; tgδ = 0,018. Пример 7. Композиционный материал на основе вторичного полиэтилена: T = 20 °С; ν = 106 Гц; отношение РК/ВПЭ = 3. Процедура измерения и вычисления далее, как в примере 1. ε' = 11,34; tgδ = 0,188. Пример 8. Композиционный материал на основе вторичного полиэтилена; Т = 20 °С; ν = 106 Гц; отношение РК/ВПЭ = 0,33. Процедура измерения и вычисления далее, как в примере 1. ε' = 3,53; tgδ = 0,033. Вычисленная погрешность определения тангенса угла диэлектрических потерь компо- зиционного материала на основе вторичного полиэтилена составляет примерно ±1,9 %. Таким образом, использование заявляемого устройства позволяет существенно повы- сит точность и расширить диапазон определения тангенса угла диэлектрических потерь композиционного материала за счет контроля отношения наполнителя к связующему в интервале от 3 до 0,33, обеспечения однородного электрического поля в объеме компози- ционного материала в диапазоне частот 102 -106 Гц, одинаковой силы прижатия и одинако- вых условий прилегания электродов к поверхности материала. Фиг. 2 Национальный центр интеллектуальной собственности. 220034, г. Минск, ул. Козлова, 20.