2. Pendahuluan
• Dioda, terbuat dari dua bagian material semikonduktor
(baik itu jenis silikon atau germanium), yang
membentuk sambungan PN.
• Bila dua buah dioda dihubungkan back-to-back, maka
diperoleh dua sambungan PN yang terhubung seri
dengan berbagi terminal P atau N bersama.
• Gabungan dua dioda menghasilkan tiga layer, dua
sambungan, tiga terminal yang disebut dengan bipolar
junction transistor (BJT).
5. Dasar Kerja
• Transistor memiliki dua fungsi, yaitu: sebagai saklar
(switching) dan sebagai penguat (amplification).
• Oleh karena itu BJT dapat bekerja dalam tiga bentuk:
1. active, transistor bekerja sebagai amplifier ( Ic=β.IB)
2. Saturasi, transistor “On” sebagai saklar (Ic = Isat)
3. Cut-off, transistor “off” sebagai saklar (Ic = 0)
6. Konfigurasi BJT
• Diketahui BJT memiliki tiga terminal, maka terdapat
tiga metode dasar untuk menghubungkannya dalam
rangkaian elektronika dengan satu terminal menjadi
input dan output bersama.
• Tiap metode memiliki respon yang berbeda terhadap
sinyal input dalam rangkaian sebagai fungsi dari
karakteristik statis
7. Konfigurasi Dasar BJT
1. Konfigurasi Common Base - has Voltage Gain but
no Current Gain.
2. Konfigurasi Common Emitter - has both Current and
Voltage Gain.
3. Konfigurasi Common Collector - has Current Gain but
no Voltage Gain.
9. Konfigurasi Common Base
• Berdasarkan namanya (konfigurasi base di ground):
Base dihubungkan bersama dengan sinyal input dan
sinyal output dengan sinyal input diberikan antara
terminal base dan emitter.
• Sinyal output berada di terminal antara base dan
collector.
• Common base voltage gain:
11. Konfigurasi Common Emitter
• Berdasarkan namanya (konfigurasi emitter di ground):
Sinyal input diberikan antara terminal emitter dan
base, sementara sinyal output dari terminal collector
dan emitter.
• Persamaan konfigurasi ini:
13. Konfigurasi Common Collector
• Berdasarkan namanya (konfigurasi collector di ground):
sinyal input diberikan di base, dan sinyal output pada
beban emitter.
• Persamaan konfigurasi ini:
16. Koneksi Transistor NPN
• Tegangan VBE: positif pada base dan negatif pada
emitter.
• Tegangan VCE: positif pada collector dan negatif pada
emitter.
17. Koneksi Transistor NPN
• Collector dihubungkan dengan suplai VCC melalui beban
resistor RL, RL juga berfungsi untuk membatasi arus
maksimum yang melalui transistor.
• Suplai tegangan base VB dihubungkan dengan resistor
RB, yang juga berfungsi untuk membatasi arus
maksimum base.
18. Dasar Operasi
• Bias maju membuat lapisan
deplesi BE mengecil
• Bias mundur membuat lapisan
deplesi BC membesar
• Tingkat doping E>C>B
• Krn B didoping sangat kecil
(sedikit hole) maka hanya
sedikit elektron bebas yg
bergabung dng hole.
• Akibatnya, hanya ada sedikit
arus basis
19. Dasar Operasi
• Kebanyakan elektron yg tdk
berekombinasi akan
menuju kolektor,
membentuk arus kolektor
• Mengapa???
• Krn lapisan deplesi B
sangat tipis dan elektron
bebas memiliki masa hidup
yg lama di B
• Elektron yg ada dikolektor
akan ditarik oleh (+)
terminal.
20. Aliran arus pd transistor dapat dilihat dari diagram berikut :
Sehingga, persamaan arusnya menjadi :
B
C
E I
I
I C
E I
I C
B I
I
26. contoh
• Sebuah transistor NPN memiliki gain arus DC β sebesar
200. Hitunglah arus base IB yang dibutuhkan untuk
men”switch” beban resistif dengan arus 4mA.
• Jawab:
27. contoh
Tentukan IB, IC, IE, VBE, VCE, dan VCB untuk rangkaian berikut
Bila transistor memiliki beta DC 150.
30. Kondisi Cutoff
• Daerah kerja transistor
bila IB=0.
• Saat ini, ada sejumlah
kecil arus leakage
collector ICEO dihasilkan
pembawa thermal.
• Sehingga, VCE = VCC.
• Lapisan base-emitter dan
base-collector dibias
mundur.
31. Keadaan Saturasi
IB dinaikkan sehingga IC
juga membesar (IC=ßDC.IB).
Akibatnya VCE mengecil.
Pd saat VCE(Sat) tercapai, Ic
tidak akan bertambah lagi
meskipun IB dinaikkan.
Pd titik saturasi, hubungan
IC=ßDC.IB tidak berlaku lagi.
32. Garis Beban DC
Titik saturasi dan cutoff pd
kurva kolektor dpt dihub
dng garis beban DC.
Titik terbawah adlh titik
ideal cutoff bila IC=0 dan
VCE=VCC.
Titik teratas adlh titik
saturasi bila VCE=VCE (Sat)
33. contoh
Tentukan apakah transistor pd gambar
Berikut berada dlm keadaan saturasi atau tidak.
Asumsikan VCE(sat)=0.2V.
Penyelesaian
Pertama, tentukan IC(sat)
Kemudian, tentukan apakah
IB cukup besar untuk menghasilkan IC(sat)
Ini berarti, IB dpt menghasilkan IC
yg >> IC(sat). Berarti transistor
saturasi.
