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■外観図OUTLINE 
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00 
00 
N 
ロット記号(例) 
① ② ① ② 
1.8 
3.9 
管理番号(例) 
Control No. 
1.4 
品名略号 
Type No. 
外形図については新電元Webサイトをご参照下さい。捺印表示については 
捺印仕様をご確認下さい。 
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourwebsite.Asforthe 
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection". 
Single 
M1FE60 
600V1A 
■定格表RATINGS 
●絶対最大定格AbsoluteMaximum Ratings(指定のない場合はTl=25℃/unlessotherwisespecified) 
www.shindengen.(J534-p〈2014.02〉) co.jp/product/semi/ 
単位 
Unit 
規格値 
Ratings 
条件 
Conditions 
記号 
Symbol 
項目 
Item 
保存温度Tstg -55~150 ℃ 
StorageTemperature 
接合部温度Tj 150 ℃ 
OperatingJunctionTemperature 
VRM 600 V 
せん頭逆電圧 
Maximum ReverseVoltage 
A 
50Hz正弦波,抵抗負荷,プリント基板実装,Ta=25℃ 0.65 
50Hzsinewave,Resistanceload,Onglass-epoxysubstrate,Ta=25˚C 
出力電流Io 
AverageRectifiedForwardCurrent 50Hz正弦波,抵抗負荷,アルミナ基板実装,Ta=25℃ 1.0 
50Hzsinewave,Resistanceload,Onaluminasubstrate,Ta=25˚C 
50Hz正弦波,抵抗負荷,Tl=129℃ 1.0 
50Hzsinewave,Resistanceload,Tl=129˚C 
A 
50Hz正弦波,非繰り返し1サイクルせん頭値,Tj=25℃ 30 
50Hzsinewave,Non-repetitive1cyclepeakvalue,Tj=25˚C せん頭サージ順電流IFSM 
PeakSurgeForwardCurrent tp=1ms,Tj=25℃,非繰り返し70 
tp=1ms,Tj=25˚C, Non-repetitive IFSM1 
●電気的・熱的特性ElectricalCharacteristics(指定のない場合はTl=25℃/unlessotherwisespecified) 
パルス測定MAX1.10 V 
Pulsemeasurement VF IF=1A, 
順電圧 
ForwardVoltage 
パルス測定MAX 10 μA 
Pulsemeasurement IR VR= 600V, 
逆電流 
ReverseCurrent 
C=150pF,R=150Ω,極性±,気中放電TYP 25 kV 
C=150pF,R=150Ω,Polarity±,Airialdischarge VESD 
静電気耐量 
ElectrostaticDischargeCapability 
℃/W 
接合部・リード間MAX 20 
Junctiontolead θjl 
熱抵抗 
ThermalResistance MAX108 接合部・周囲間, アルミナ基板実装 
Junctiontoambient,Onaluminasubstrate θja 
接合部・周囲間, プリント基板実装MAX186 
Junctiontoambient,Onglass-epoxysubstrate 
特長 
煙小型SMD 
煙高ESD 
煙AEC-Q101準拠 
Feature 
煙SmallSMD 
煙HighESDCapability 
煙BasedonAEC-Q101
M1FE60 
DC 
D=0.8 
0 IO 
VR=VRM 
D=tp/T 
T 
tp 
0 
2 
1.5 
1 
0.5 
0 
0.5 
0.3 
0.2 
0.1 
0.05 
ディレーティングカーブ 
Derating Curve 
1.5 
1 
0.5 
せん頭サージ順電流減少率- 接合部温度 
80 
60 
40 
20 
* Sinewaveは50Hzで測定しています。 
* 50Hzsinewaveisusedformeasurements. 
■特性図CHARACTERISTIC DIAGRAMS 
Tl=150℃(TYP) 
Tl=125℃(TYP) 
Tl=100℃(TYP) 
0 IO 
VR 
VR=VRM 
D=tp/T 
T 
tp 
0 
on glass-epoxi substrate 
Soldering land 2mm 
Conductor layer 35μm 
Substrate thickness 1.0mm 
Tl=75℃(TYP) 
Tl=50℃(TYP) 
100 
10 
1 
0.1 
ディレーティングカーブ 
Derating Curve 
1 
0.8 
0.6 
0.4 
0.2 
D=0.8 
100 
Transient Thermal Impedance θja,θjl〔℃/W〕 
80 
1000 
100 
10 
1 
0.1 
Sine wave 
IFSM1 
tp 
Non-repetitive 
Tj=25℃ 
10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 102 103 
www.shindengen.co.jp/product/semi/ (J534-p〈2014.02〉) 
VR 
on almina substrate 
Soldering land 2mm 
Conductor layer 20μm 
Substrate thickness 0.64mm 
On alumina substrate 
Soldering land 2mm 
Conductor layer 20μm 
Substrate thickness 0.64t 
Tl=150℃(MAX) 
Tl=150℃(TYP) 
Tl=25℃(MAX) 
Tl=25℃(TYP) 
Pulse measurement 
0 VR 
Sine wave 
10ms10ms 
1cycle 
IFSM 
Non-repetitive 
Tj=25℃ 
Transient Thermal Impedance θja,θjl〔℃/W〕Time t〔s〕 
θja 
θjl 
on glass-epoxi substrate 
Soldering land 2mm 
Conductor layer 35μm 
Substrate thickness 1.0mm 
順方向特性 
Forward Voltage 
10 
1 
0.1 
0.01 
0.001 
0 0.5 1 1.5 2 
Forward Current IF〔A〕 
Forward Voltage VF〔V〕 
Pulse measurement 
逆方向特性 
Reverse Current 
0.01 
0.001 
0 100 200 300 400 500 600 
Reverse Current IR〔μA〕 
Reverse Voltage VR〔V〕 
D=tp/T 
T 
tp 
IO 
Tj=150℃ 
順電力損失曲線 
Forward Power Dissipation 
SIN 
Average Rectified Forward Current IO〔A〕 
Forward Power Dissipation PF〔W〕 
0 0.5 1 1.5 2 
ディレーティングカーブ 
Derating Curve Tc-Io 
2 
1.5 
1 
0.5 
0 
D=0.8 
0.5 
0 20 40 60 80 100 120 140 160 
Lead Temperature Tl 〔℃〕 
Average Rectified Forward Current IO〔A〕 
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SIN 
0.3 
0.2 
0.1 
0.05 
0 IO 
D=tp/T 
T 
tp 
VR=VRM 
0 
0 20 40 60 80 100 120 140 160 
Ambient Temperature Ta〔℃〕 
Average Rectified Forward Current IO〔A〕 
DC 
SIN 
0.5 
0.3 
0.2 
0.1 
0.05 
0 
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Ambient Temperature Ta〔℃〕 
Average Rectified Forward Current IO〔A〕 
DC 
SIN 
0.5 
0.3 
0.2 
0.1 
0.05 
D=0.8 
せん頭サージ順電流耐量 
Peak Surge Forward Capability 
40 
35 
30 
25 
20 
15 
10 
5 
0 
Number of Cycles〔cycle〕 
Peak Surge Forward Current IFSM〔A〕 
1 10 100 
過渡熱抵抗 
Transient Thermal Impedance 
1000 
100 
10 
1 
0.1 
0.01 
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θjl 
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Peak Surge Forward Capability 
60 
40 
20 
0 
Pulse Width tp〔ms〕 
Peak Surge Forward Current IFSM 1〔A〕 
1 10 
Peak Surge Forward Current Derating 
vs Junction Temperature 
100 
0 
0 25 50 75 100 125 150 
Junction Temperature Tj〔℃〕 
Peak Surge Forward Current Derating〔%〕
ご 注 意 
1. ご採用に際しては、別途仕様書をご請求の上、ご確認をお願いいたします。 
2. 本資料に記載されている当社製品の品質水準は、一般的な信頼度が要求される標準用途を意図しています。 
その製品の故障や誤動作が直接生命や人体に影響を及ぼすような極めて高い品質、信頼度を要求される特 
別、特定用途の機器、装置にご使用の場合には必ず事前に当社へご連絡の上、確認を得て下さい。 当社の 
製品の品質水準は以下のように分類しております。 
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コンピュータ、OA 等の事務機器、通信用端末機器、計測器、AV 機器、アミューズメント機器、家電、 
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機器等 
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原子力制御システム、航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、生命維持のための装置、システム 
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3. 当社は品質と信頼性の向上に絶えず努めていますが、必要に応じ、安全性を考慮した冗長設計、延焼防止 
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検討下さい。 
4. 本資料に記載されている内容は、製品改良などのためお断りなしに変更することがありますのでご了承下さ 
い。製品のご購入に際しましては事前に当社または特約店へ最新の情報をご確認下さい。 
5. 本資料の使用によって起因する損害または特許権その他権利の侵害に関しては、当社は一切その責任を負 
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6. 本資料によって第三者または当社の特許権その他権利の実施に対する保証または実施権の許諾を行うもの 
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7. 本資料に記載されている製品が、外国為替及び外国貿易管理法に基づき規制されている場合、輸出には同 
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8. 本資料の一部または全部を当社に無断で転載または複製することを堅くお断りいたします。
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2. All products described or contained herein are designed with a quality level intended for use in standard 
applications requiring an ordinary level of reliability. If these products are to be used in equipment or devices 
for special or specific applications requiring an extremely high grade of quality or reliability in which failures or 
malfunctions of products may directly affect human life or health, a local Shindengen office must be contacted 
in advance to confirm that the intended use of the product is appropriate. Shindengen products are grouped 
into the following three applications according the quality grade. 
【Standard applications】 
Computers, office automation and other office equipment, communication terminals, test and 
measurement equipment, audio/visual equipment, amusement equipment, consumer electronics, 
machine tools, personal electronic equipment, industrial equipment, etc. 
【Special applications】 
Transportation equipment (vehicles, ships, etc.), trunk-line communication equipment, traffic signal 
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3. Although Shindengen continuously endeavors to enhance the quality and reliability of its products, customers 
are advised to consider and take safety measures in their design, such as redundancy, fire containment and 
anti-failure, so that personal injury, fires, or societal damages can be prevented. 
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M1FE60

  • 1. RectifierDiode ■外観図OUTLINE Package:M1F Unit:mm カソードマーク Cathode mark Date code 00 00 N ロット記号(例) ① ② ① ② 1.8 3.9 管理番号(例) Control No. 1.4 品名略号 Type No. 外形図については新電元Webサイトをご参照下さい。捺印表示については 捺印仕様をご確認下さい。 Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourwebsite.Asforthe marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection". Single M1FE60 600V1A ■定格表RATINGS ●絶対最大定格AbsoluteMaximum Ratings(指定のない場合はTl=25℃/unlessotherwisespecified) www.shindengen.(J534-p〈2014.02〉) co.jp/product/semi/ 単位 Unit 規格値 Ratings 条件 Conditions 記号 Symbol 項目 Item 保存温度Tstg -55~150 ℃ StorageTemperature 接合部温度Tj 150 ℃ OperatingJunctionTemperature VRM 600 V せん頭逆電圧 Maximum ReverseVoltage A 50Hz正弦波,抵抗負荷,プリント基板実装,Ta=25℃ 0.65 50Hzsinewave,Resistanceload,Onglass-epoxysubstrate,Ta=25˚C 出力電流Io AverageRectifiedForwardCurrent 50Hz正弦波,抵抗負荷,アルミナ基板実装,Ta=25℃ 1.0 50Hzsinewave,Resistanceload,Onaluminasubstrate,Ta=25˚C 50Hz正弦波,抵抗負荷,Tl=129℃ 1.0 50Hzsinewave,Resistanceload,Tl=129˚C A 50Hz正弦波,非繰り返し1サイクルせん頭値,Tj=25℃ 30 50Hzsinewave,Non-repetitive1cyclepeakvalue,Tj=25˚C せん頭サージ順電流IFSM PeakSurgeForwardCurrent tp=1ms,Tj=25℃,非繰り返し70 tp=1ms,Tj=25˚C, Non-repetitive IFSM1 ●電気的・熱的特性ElectricalCharacteristics(指定のない場合はTl=25℃/unlessotherwisespecified) パルス測定MAX1.10 V Pulsemeasurement VF IF=1A, 順電圧 ForwardVoltage パルス測定MAX 10 μA Pulsemeasurement IR VR= 600V, 逆電流 ReverseCurrent C=150pF,R=150Ω,極性±,気中放電TYP 25 kV C=150pF,R=150Ω,Polarity±,Airialdischarge VESD 静電気耐量 ElectrostaticDischargeCapability ℃/W 接合部・リード間MAX 20 Junctiontolead θjl 熱抵抗 ThermalResistance MAX108 接合部・周囲間, アルミナ基板実装 Junctiontoambient,Onaluminasubstrate θja 接合部・周囲間, プリント基板実装MAX186 Junctiontoambient,Onglass-epoxysubstrate 特長 煙小型SMD 煙高ESD 煙AEC-Q101準拠 Feature 煙SmallSMD 煙HighESDCapability 煙BasedonAEC-Q101
  • 2. M1FE60 DC D=0.8 0 IO VR=VRM D=tp/T T tp 0 2 1.5 1 0.5 0 0.5 0.3 0.2 0.1 0.05 ディレーティングカーブ Derating Curve 1.5 1 0.5 せん頭サージ順電流減少率- 接合部温度 80 60 40 20 * Sinewaveは50Hzで測定しています。 * 50Hzsinewaveisusedformeasurements. ■特性図CHARACTERISTIC DIAGRAMS Tl=150℃(TYP) Tl=125℃(TYP) Tl=100℃(TYP) 0 IO VR VR=VRM D=tp/T T tp 0 on glass-epoxi substrate Soldering land 2mm Conductor layer 35μm Substrate thickness 1.0mm Tl=75℃(TYP) Tl=50℃(TYP) 100 10 1 0.1 ディレーティングカーブ Derating Curve 1 0.8 0.6 0.4 0.2 D=0.8 100 Transient Thermal Impedance θja,θjl〔℃/W〕 80 1000 100 10 1 0.1 Sine wave IFSM1 tp Non-repetitive Tj=25℃ 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 102 103 www.shindengen.co.jp/product/semi/ (J534-p〈2014.02〉) VR on almina substrate Soldering land 2mm Conductor layer 20μm Substrate thickness 0.64mm On alumina substrate Soldering land 2mm Conductor layer 20μm Substrate thickness 0.64t Tl=150℃(MAX) Tl=150℃(TYP) Tl=25℃(MAX) Tl=25℃(TYP) Pulse measurement 0 VR Sine wave 10ms10ms 1cycle IFSM Non-repetitive Tj=25℃ Transient Thermal Impedance θja,θjl〔℃/W〕Time t〔s〕 θja θjl on glass-epoxi substrate Soldering land 2mm Conductor layer 35μm Substrate thickness 1.0mm 順方向特性 Forward Voltage 10 1 0.1 0.01 0.001 0 0.5 1 1.5 2 Forward Current IF〔A〕 Forward Voltage VF〔V〕 Pulse measurement 逆方向特性 Reverse Current 0.01 0.001 0 100 200 300 400 500 600 Reverse Current IR〔μA〕 Reverse Voltage VR〔V〕 D=tp/T T tp IO Tj=150℃ 順電力損失曲線 Forward Power Dissipation SIN Average Rectified Forward Current IO〔A〕 Forward Power Dissipation PF〔W〕 0 0.5 1 1.5 2 ディレーティングカーブ Derating Curve Tc-Io 2 1.5 1 0.5 0 D=0.8 0.5 0 20 40 60 80 100 120 140 160 Lead Temperature Tl 〔℃〕 Average Rectified Forward Current IO〔A〕 DC SIN 0.3 0.2 0.1 0.05 0 IO D=tp/T T tp VR=VRM 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 Ambient Temperature Ta〔℃〕 Average Rectified Forward Current IO〔A〕 DC SIN 0.5 0.3 0.2 0.1 0.05 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 Ambient Temperature Ta〔℃〕 Average Rectified Forward Current IO〔A〕 DC SIN 0.5 0.3 0.2 0.1 0.05 D=0.8 せん頭サージ順電流耐量 Peak Surge Forward Capability 40 35 30 25 20 15 10 5 0 Number of Cycles〔cycle〕 Peak Surge Forward Current IFSM〔A〕 1 10 100 過渡熱抵抗 Transient Thermal Impedance 1000 100 10 1 0.1 0.01 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 102 103 過渡熱抵抗 Transient Thermal Impedance 0.01 Time t〔s〕 θja θjl せん頭サージ順電流耐量 Peak Surge Forward Capability 60 40 20 0 Pulse Width tp〔ms〕 Peak Surge Forward Current IFSM 1〔A〕 1 10 Peak Surge Forward Current Derating vs Junction Temperature 100 0 0 25 50 75 100 125 150 Junction Temperature Tj〔℃〕 Peak Surge Forward Current Derating〔%〕
  • 3. ご 注 意 1. ご採用に際しては、別途仕様書をご請求の上、ご確認をお願いいたします。 2. 本資料に記載されている当社製品の品質水準は、一般的な信頼度が要求される標準用途を意図しています。 その製品の故障や誤動作が直接生命や人体に影響を及ぼすような極めて高い品質、信頼度を要求される特 別、特定用途の機器、装置にご使用の場合には必ず事前に当社へご連絡の上、確認を得て下さい。 当社の 製品の品質水準は以下のように分類しております。 【標準用途】 コンピュータ、OA 等の事務機器、通信用端末機器、計測器、AV 機器、アミューズメント機器、家電、 工作機器、パーソナル機器、産業用機器等 【特別用途】 輸送機器(車載、船舶等)、基幹用通信機器、交通信号機器、防災/防犯機器、各種安全機器、医療 機器等 【特定用途】 原子力制御システム、航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、生命維持のための装置、システム 等 3. 当社は品質と信頼性の向上に絶えず努めていますが、必要に応じ、安全性を考慮した冗長設計、延焼防止 設計、誤動作防止設計等の手段により結果として人身事故、火災事故、社会的な損害等が防止できるようご 検討下さい。 4. 本資料に記載されている内容は、製品改良などのためお断りなしに変更することがありますのでご了承下さ い。製品のご購入に際しましては事前に当社または特約店へ最新の情報をご確認下さい。 5. 本資料の使用によって起因する損害または特許権その他権利の侵害に関しては、当社は一切その責任を負 いません。 6. 本資料によって第三者または当社の特許権その他権利の実施に対する保証または実施権の許諾を行うもの ではありません。 7. 本資料に記載されている製品が、外国為替及び外国貿易管理法に基づき規制されている場合、輸出には同 法に基づく日本国政府の輸出許可が必要です。 8. 本資料の一部または全部を当社に無断で転載または複製することを堅くお断りいたします。
  • 4. Notes 1. If you wish to use any such product, please be sure to refer to the specifications issued by Shindengen. 2. All products described or contained herein are designed with a quality level intended for use in standard applications requiring an ordinary level of reliability. If these products are to be used in equipment or devices for special or specific applications requiring an extremely high grade of quality or reliability in which failures or malfunctions of products may directly affect human life or health, a local Shindengen office must be contacted in advance to confirm that the intended use of the product is appropriate. Shindengen products are grouped into the following three applications according the quality grade. 【Standard applications】 Computers, office automation and other office equipment, communication terminals, test and measurement equipment, audio/visual equipment, amusement equipment, consumer electronics, machine tools, personal electronic equipment, industrial equipment, etc. 【Special applications】 Transportation equipment (vehicles, ships, etc.), trunk-line communication equipment, traffic signal control systems, anti-disaster/crime systems, safety equipment, medical equipment, etc. 【Specific applications】 Nuclear reactor control systems, aircraft, aerospace equipment, submarine repeaters, life support equipment and systems, etc. 3. Although Shindengen continuously endeavors to enhance the quality and reliability of its products, customers are advised to consider and take safety measures in their design, such as redundancy, fire containment and anti-failure, so that personal injury, fires, or societal damages can be prevented. 4. Please note that all information described or contained herein is subject to change without notice due to product upgrades and other reasons. When buying Shindengen products, please contact the Company’s offices or distributors to obtain the latest information. 5. Shindengen shall not bear any responsibility with regards to damages or infringement of any third-party patent rights and other intellectual property rights incurred due to the use of information on this website. 6. The information and materials on this website neither warrant the use of Shindengen's or any third party’s patent rights and other intellectual property rights, nor grant license to such rights. 7. In the event that any product described or contained herein falls under the category of strategic products controlled under the Foreign Exchange and Foreign Trade Control Law of Japan, exporting of such products shall require an export license from the Japanese government in accordance with the above law. 8. No reprinting or reproduction of the materials on this website, either in whole or in part, is permitted without proper authorization from Shindengen.