回路設計者向けご提案書(2004)

1. エレクトロニクス業界・自動車業界の回路設計者の皆様へデバイスモデルを活用した回路設計へのご提案シミュレーション技術を使いこなし、回路設計に活かすシミュレーション結果は「デバイスモデル」の精度に依存いたします株式会社ビー・テクノロジー http://www.bee-tech.com All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2004

3. 回路シミュレーションとは　→実験室がコンピュータ上で再現する実験室にて回路実験、試作を繰り返します。ここで、開発時間・コストを費やします。実験室 .SUBCKT U4SBA60 1 2 3 4 .SUBCKT DE0910-1E_102M-KX 1 4 D1 2 1 U4SBA60A L1 1 2 10n D2 3 2 U4SBA60A R1 2 3 50.23m D3 3 4 U4SBA60A C1 3 4 1060p D4 4 1 U4SBA60A .ENDS .MODEL U4SBA60A D + IS=939.00E-12 + N=1.6000 + RS=11.900E-3 + IKF=1.7400 + CJO=79.200E-12 + M=.3231 + VJ=.525 + BV=600 + IBV=10.000E-6 + TT=9.2E-6 .ENDS コンピュータ SPICE MODEL 回路解析 All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2004

4. SPICE MODEL情報流通活用側(回路設計者) 材料表ベースでの各部品の SPICE MODELを必要とする。機器企業側の問題点 .SUBCKT U4SBA60 1 2 3 4 .SUBCKT DE0910-1E_102M-KX 1 4 D1 2 1 U4SBA60A ①SPICE MODEL入手困難 L1 1 2 10n D2 3 2 U4SBA60A R1 2 3 50.23m D3 3 4 U4SBA60A C1 3 4 1060p D4 4 1 U4SBA60A .MODEL U4SBA60A D .ENDS 　→サプライヤ企業の準備不足 + IS=939.00E-12 + N=1.6000 + RS=11.900E-3 　→技術不足 + IKF=1.7400 + CJO=79.200E-12 ②モデル精度が悪い + M=.3231 + VJ=.525 SPICE MODEL ③入手期間が長期である + BV=600 + IBV=10.000E-6 + TT=9.2E-6 .ENDS 株式会社ビー・テクノロジー .SUBCKT U4SBA60 1 2 3 4 D1 2 1 U4SBA60A D2 3 2 U4SBA60A D3 3 4 U4SBA60A D4 4 1 U4SBA60A .MODEL U4SBA60A D + IS=939.00E-12 + N=1.6000 + RS=11.900E-3 + IKF=1.7400 + CJO=79.200E-12 + M=.3231 + VJ=.525 + BV=600 SPICE 半導体 + IBV=10.000E-6 + TT=9.2E-6 .ENDS MODEL LIBRARY .SUBCKT DE0910-1E_102M-KX 1 4 L1 1 2 10n R1 2 C1 3 3 4 50.23m 1060p 電子部品をモデリングし、 .ENDS SPICE MODELを顧客に提供する。一般電子部品測定→モデリング All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2004

5. SPICE MODEL 　デバイスモデリングプロセスについて .SUBCKT U4SBA60 1 2 3 4 .SUBCKT U4SBA60 1 2 3 4 D1 2 1 U4SBA60A D1D2 2 3 1 2 U4SBA60A U4SBA60A D2D3 3 3 2 4 U4SBA60A U4SBA60A D3D4 3 4 4 1 U4SBA60A U4SBA60A D4 4 1 U4SBA60A .MODEL U4SBA60A D .MODEL U4SBA60A D + IS=939.00E-12 半導体 + + N=1.6000 IS=939.00E-12 数学(微分・積分) + + RS=11.900E-3 N=1.6000 + + IKF=1.7400 RS=11.900E-3 半導体物性 + + CJO=79.200E-12 IKF=1.7400 測定技術 + + M=.3231 CJO=79.200E-12 + + VJ=.525 M=.3231 等価回路開発 + + BV=600 VJ=.525 + + IBV=10.000E-6 BV=600 電子部品動作 + + TT=9.2E-6 IBV=10.000E-6一般電子部品・半導体 + .ENDS TT=9.2E-6 .ENDS ・一般電子部品電子回路技術 SPICE MODEL データ解析技術コンピュータ技術計測器制御技術評価電子部品測定特性図モデリング理論等価回路開発測定方法確立抽出方法確立デバイスモデリング技術確立数学(微分・積分) 等価回路開発測定技術コンピュータ技術半導体物性電子回路技術計測器制御技術データ解析技術電子部品動作 All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2004

6. SPICE MODEL 　半導体部品について一般ダイオード/スタンダード一般ダイオード/プロフェッショナルショットキ・バリア・ダイオードツェナ・ダイオード MOSFET POWER MOSFET トランジスタパワー・エレクトロニクスパワー・トランジスタ業界の回路設計者向けダーリントン・トランジスタに様々なパワー・半導体 IGBT もご提供しております。ボルテージ・リファレンスボルテージ・レギュレータシャント・レギュレータオペアンプサイダックフォトカプラバリスタ a-Si TFT poly-Si TFT ご詳細は、WEBにて最新情報をご参照して下さい。 All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2004

7. SPICE MODEL 　受動部品についてセラミックコンデンサ電解コンデンサフィルムコンデンサインダクタ抵抗器トランスコモン・モード・チョーク・コイルチョーク・コイル受動部品は全て周波数特性によるデバイスモデルです。周波数によるインピーダンス特性を再現しております。例えば、コンデンサをC=容量値で回路解析シミュレーションすると寄生素子を含まないので理論値で解析してしまいます。しかし、実際には寄生素子がありますので、それを考慮しなければなりません。ご詳細は、WEBにて最新情報をご参照して下さい。 All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2004

8. SPICE MODEL 　バッテリーについて負荷抵抗=2.7(Ohm) 負荷抵抗ニッケルマンガン電池ニッケル水素電池アルカリ電池現在、ご提供可能な等価回路モデルは、負荷抵抗一定時の放電特性です。シミュレーション 1.6 Vdc(Simulation) Vdc(Measurement) 1.4 1.2 1 Vdc (V) 0.8 0.6 PROFESSIONAL MODEL 0.4 0.2 0 .5 .5 .5 .5 .5 .5 5 5 5 12 15 18 21 24 27 30 0 3 6 9 1. 4. 7. 10 13 16 19 22 25 Time (kSec) ご詳細は、WEBにて最新情報をご参照して下さい。 All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2004

9. SPICE MODEL 　バッテリーについて現在、開発中のデバイスモデルです(負荷抵抗可変。現在、開発中のデバイスモデルです負荷抵抗可変)。負荷抵抗可変負荷抵抗=2.7(Ohm) 負荷抵抗 Simulation RL = 2.2, 2.7, 3.3, 4.7 ohm ご詳細は、WEBにて最新情報をご参照して下さい。 All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2004

10. 当社のデバイスモデルを活用した検証回路 R20 L11 DF5KQ60 R10 D211 L211 RL211 0.32 11.31uH VoutP 0 C108 D109 R11-1 1 0.012 0.009 14 L8 2.93uH APHF-200K223_0100 D1N60 R104 D222 RL221-2 8.22uH 0 CM11 4.15k CM5 1 I L105 100K 40.31p C211 41 7.5k 0 0 1 L5 1 DF5KQ60 1 3 18.06p RJJ-35V561MI5-T4 CL211 C214 41 R105 RM5 348.38uH R_LOAD 1 RJJ-35V221MG5-T20 0 0 FBA04HA600AAB-00 100k R11 2.38p 14 C113 I I C212 1 41 C110 45.44K ECKN3D471KBB Q103 0 1 0.011 RJJ-35V561MI5-T4 5.7 1 41 L9 1 R211 0 D110 ECQ-B1H103JF3 SMH200VN270-22A R119 L111 8.74uH C213 1.5k 41 DEG01C M2SK2188 0 1 1 1 3 RJJ-35V561MI5-T4 0 27K R201 C111 1 41 I FBA04HA600AAB-00 220 L103 1 1 L104 I 0 1 L6 0 1 1 3 R6 1.72uH 1 3 0.004 0 FBA04HA600AAB-00 FBA04HA600AAB-00 R116 C116 K T101 0 1 K_Li1near 41ECQ-B1H103JF3 R202 COUPLING = 1 Q101 220 D104 R110 1 D111 Q2SC3377 220 R106 PC101 12k 1 D106 Q102 DMTZJ3B L7 2 0 C A 41 C125 D1SK2188 M2SK2188 R2060Vdc 27K 3 10Vac ECKN3D471KBB R114 2.69uH E K 1K 0 1 R113 R112 R203 1k 41 DRD22FB2 C117 1k TLP721 4.7k 6.2K ECQ-B1H102JF3 C115 D105 0 0 1 R7 R107 41 C201 TRAN = pulse(0 135 0 1u 1u 25ms 30ms) D1SS270A 0.005 0 1 ECQ-B1H103JF3 41 0.22 ECQV1H104JL3 R204 270 2 U46 C 0 R 0 A C202 ANT1431T 41 0 1 TC04RKME50VB1 1 R205 1.2k Drooper V2 0 2 VoutP 1 V2P VOUTP 3 S V2N VOUTN RLSWEEP_01_V2 Implementation = V2 0 Title <Title> RCCMODEL_VALI_DCINPUT Size Document Number Rev B <Doc> <RevCode> Date: Monday, June 26, 2000 Sheet 1 of 1 採用回路：FETスナバー型RCC回路仕様：入力AC90-132(V) 出力DC16(V),2.8A,f=50-110kHz All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2004

11. 結果実モデルでの有効性を実証○起動特性実測 100V/div○動作波形検証 2A/div○垂下特性 5V/div○主スイッチ損失計算○ダイオード損失計算○過渡応答特性　　対入力　　対負荷 2us/div 50V/div Simulation 1A/div 2.5V/div アナログ分野で回路シミュレーションが困難な電源回路で実証を実施した。 2us/div 波形比較 Vds，Id，Vgs（Q101）　全負荷 All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2004

12. デバイスモデルを整備するだけで設計環境が変る対象となる回路従来の方法 ①サプライヤとの交渉(2 ヶ月) (2- ①サプライヤとの交渉(2-5ヶ月) デバイスモデルの要求提供しないメーカーもある) (提供しないメーカーもある) ②デバイスモデルの評価(1- ヶ月) ②デバイスモデルの評価(1-2ヶ月) (1 ③評価してモデルの精度が悪い場合、自分でモデリングしなければならない(2 ヶ月) (2- らない(2-6ヶ月) 半導体部品受動部品 ③回路解析シミュレーション実施メーカーメーカー半日) (半日) (8社) (12社) 整備された環境では整流ダイオードセラミックコンデンサ ①ファイルを格納先からダイオード電解コンデンサダウンロード(1分ダウンロード(1分) (1ツェナーダイオードフィルムコンデンサ ②回路解析シミュレーショトランジスタサーミスタン実施（半日）MOSFET コモンモードCH コモンモードPUT チョークコイルフォトカプラビーズコンデンサ当社は10 当社は10日間以内にご 10日間以内にごシャントレギュレータ（IC）シャントレギュレータ（）コア提供致します。ボビン All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2004

13. デバイスモデル　製品ロードマップRF&マイクロ波デバイス分野マイクロ波トランジスタバッテリー分野放電特性(負荷抵抗一定) 放電特性(負荷抵抗可変) 放電充電特性ディスプレイ分野 a-Si TFT poly-Si TFTサーマル分野ダイオードトランジスタ MOSFET IGBTアナログデバイス分野オペアンプコンパレータ仮想的なトランス JFET サーミスタ仮想的なチョークコイルサイリスタ光半導体トライアックヒューズダイアック 2003 2004 2005 2006 注意）ロードマップは予告なく変更する場合があります。詳細についてはご確認下さい All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2004

16. 回路開発及び設計におけるEDAモデル支援体制回路開発及び設計におけるモデル支援体制システム開発グループデザインセンター営業テクニカル・サポート顧客回路開発グループデザイン・コンサルティンググループデジタルCAD アナログCAD モデリング製造/プロセスグループグループグループグループデバイスモデルの整備が必要である All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2004

18. 回路開発以外のシミュレーション活用事例１高付加価値の部品情報としてのデバイスモデルをPDMに格納し、部品選定(シミュレーションベースの部品選定)に活用する。また、代替品部品の評価としてシミュレーションを活用する。 Circuit Simulation Shindengen/SF3L60U International Rectifier/HFA08TB60 Harris Semiconductor/RURD460 General Semiconductor/UF5406 同一測定条件での部品の評価が可能になります All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2004

19. 回路開発以外のシミュレーション活用事例２海外移管での部品評価に活用する。事例）中国に生産移管した場合中国で部品の調達を検討する場合、代替品の部品の評価が必要になる。評価時間短縮にもデバイスモデルベースでの評価は、有効である。部品の電気的振る舞いを同じパラメータの数値で判断することが可能である。 All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2004

回路設計者向けご提案書(2004)

Tsuyoshi Horigome

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