Current source

1. ممننااببعع ججرريياانن

2. ددوو ععاامملل ممههمم ددرر ممننااببعع
ججرريياانن ::
-1 مقاومت خروجي بسيار زياد باشد .
I I V O = +
R
بيشتر باشد ، جريان خروجـي منبع جريان كمتر تحت تأثير R • هر چه
ولتاژ مدار قرار
مي گييرد .
2 - جريان خروجي ثابت باشد و تحت تأثير عوامل طبيعي و
ولتاژ منبع قرار نگيرد .
• براي اينكه جريان داراي خروجي ثابت باشد ، بايد مدار سازنده جريان
در منطقه فعال باياس شود . Iref مرجع

3. انواع منابع جريان:
current source : -1 جريان ده
current sink : -2 جريان خور
براي باياس ترانزيستور در منطقه فعال :
: BJT • ترانزيستور
CE BE CEsat V = V > V
بنابراين در ناحيه فعال باياس شده است .

4. : MOSFET • ترانزيستور
: ( PMOS و NMOS شرط ناحيه اشباع ( براي
: NMOS در
: PMOS در
: (NMOS) در اين مدار
VDS ³ VGS -VT
DS GS T V ³ V -V
DS GS T V £ V -V
T
V =
V
V ³ V - V GS Þ DS 0
³ -
V DS GS T

5. ييكك ممننببعع ججرريياانن
سسااددهه ::
• در منابع جريان بايد نقطه كـار ترانزيستورهـا در ناحيه فعـال واقع
شـود ( بيس به كلكتور وصل شود ) . در اين ناحيه جريان خروجي
نيست . DC ثابت است و تابع ولتاژ
در ناحيه فعال است ، T در اين مدار علوه بر اينكه 1
T 2 . نيز بايد در ناحيه فعال باشد

6. Vout • در صورتي كه ترانزيستور خروجي به يك مدار با ولتاژ
وصل شود ، شرط واقع شدن در ناحيه اشباع به صورت زير
بدست مي آيد :
DD SG GG V = V +V
Þ = - (I) GS GG DD V V V
از طرفي :
DD SD out SS V = V +V +V
Þ = + - (II) DS out SS DD V V V V

7. شرط ناحيه اشباع :
: PMOS براي
<0
) و شرط ناحيه اشباع II ) و ( I بنابرايـن بـا توجـه بـه روابـط (
خواهيم داشت :
متصل PMOS شرط اينكه ترانزيستور
به مدار در ناحيه اشباع باشد :
DS GS T V ³ V -V
DS GS T
V
DS GS T Or V V V V V V T £ - Þ £ +
out SS DD GG DD T V +V -V £ V -V + V
out GG SS T V £ V -V + V

8. : RO محاسبه
در اين حالت ولتاژ بدنه به سورس صفر است .
Þ
= 0 bs V m ds m = g r
= + (1+m) O ds S R r R
بيشتر PMOS از NMOS به دل يل اي نكه مقدار موبيلي ته ترانزيستور
است بنابرا ين به ازاي يك جريان و ابعاد ثا بت مقاو مت خروجي
بيشتر است و به همين دليل منبع جريان ايد ها لتر و NMOS
تقويت كنند هه ائي با بهره بيشتر مي توان ساخت.
يادآوري : مدار معادل ترانزيستور
باشد ، يكي از منبع جريان ها مدار باز مي شود . Vbs= وقتي 0

9. : RO محاسبه
: ac در حالت
از قبل داشتيم :
m ds m = g r
ولي در اين مدار :
بنابراين :
bs gs V = V
( ) m mbs ds m ¢ = g + g r
= + (1+m¢) O ds S R r R
<< Þ @ + (1+ m ) mbs m O ds S if g g R r R

10. ::((CCaassCCooddee)) ممننببعع ججرريياانن ككااسسككوودد
از ايـن منبـع جريان جايـي اسـتفاده م يشود كه
مي خواهيـم مقاومـت خروجـي بال داشته باشيـم و مثل
اين است كه دو آئينه جريان روي هم وصل شده باشند .

11. در اين مدار فرض مي شود كه :
æ = ÷ø
W
ö çè
æ = ÷ø
W
ö çè
æ = ÷ø
W
ö çè
÷ø
و ترانزيستورها داراي يكسان باشند .
نيز ب هصورت زير تعريف مي شود : VGS همچنين
و به اين معني است كه :
1 2 3 4
W
çè
æ
ö L
L
L
L
GS T GS T V = V + DV or DV = V -V
K¢

12. در ناحيه اشباع داريم :
¢
I K W -
( )2
D GS T V V
GS T DV = V -V
1
2
L
=
¢
I K W D D
1 V
2
با توجه به فرض خواهيم داشت :
2
L
=
W
• درصورتي كه دو ترانزيستور با نسبت هاي مختلف با همديگر
سري باشند :
K W V K W
÷ø
D 1 ¢æ
1
V
ö çè
æ ¢ = D ÷ø
ö çè
L
I = I 2
D1 D2 2
بنابراين :
2
2
1
1 2
2
L
L
( )
( )1
2
Þ
V 1
=
D
2
L
L
W
W
D
V
DV W
L
• پس هر چه مقدار در ترانزيستورهاي سري افزايش يابد
مقدار
ب هصورت مجذور كاهش مي يابد .

13. W
• اگير ترانزيستور با نسبت مختلف با هم موازي باشند :
• پس :
= ¢æ 2
و
بنابراين :
GS1 GS 2 V = V 1 2 DV = DV
I K W D D ÷ø
1 V
2
1
1
1 2
ö L
çè
2
I K W D D ÷ø
1 V
2
2 2
ö L
çè
= ¢æ
( )
( )1
2
D 1
=
2
L
W
L
W
I
I
D
Þ
L

14. تتححللييلل ممدداارر ::
Mبا هم سري هستند پس : M 3 و 4
و چون پس :
از طرفي :
W V V V GS T = + D 3
æ = ÷ø
W
ö çè
÷ø
و
æ = ÷ø
W
ö çè
÷ø
پس :
بنابراين :
يا
V V V GS T = + D 4
4 3
çè
æ
ö L
L
D2 D3 I = I
2 3
W
çè
æ
ö L
L
2 3 DV = DV
V V V V out DS T = + + D 2
V V V V out DS T = + + D ,min 2,min

15. براي اينكه ترانزيستور در ناحيه اشباع واقع شود VDS • حداقل
Weak صفر است اما باععث مي شود ترانزيستور در ناحيه
قطععع) قرار گيرد . براي اطمينان از اينكه ) Inversion
ترانزيستور در ناحيه اشباع واقع شد هاست :
• بنابراين حداقل ولتاژ خروجي براي باياس منبع جريان در
ناحيه اشباع ب هصورت زير بدست مي آييد :
در ناحيه غير خطي (تريود) . M و 2 M1 : • ناحيه 1
تريود . M اشباع و 2 M1 : • ناحيه 2
در نزديكي اشباع قرار مي گيرند . M و 2 M1 : • ناحيه 3
V V DS = D ,min
V V V out T = + 2D ,min

16. از يك ترانزيستور ( Vout,min) • براي كاهش ولتاژ حداقل خروجي
با اندازه
استفاده كنيم .
W
4
L
1

17. در اين مدار فرض م يشود كه :
و
æ = ÷ø
W
ö çè
÷ø
بنابراين :
پس :
æ = ÷ø
W
ö çè
æ = ÷ø
W
ö çè
æ = ÷ø
W
ö çè
æ = ÷ø
W
ö çè
÷ø
1 2 3 5 6
W
çè
æ
ö L
L
L
L
L
1
4 1 4
W
çè
æ
ö L
L
V V V out DS = + D 2
V V V out DS = + D ,min 2,min
V V out = 2D ,min

18. ::((WWiillssoonn)) ممننببعع ججرريياانن ووييللسسنن
• منبععع جريان ويلسن داراي
مقاومت خروجي زيادي است.
مقاومعت خروجعي ايعن منبع
جريان بيشتعر از آيئينه جريان
به M اسععت. چون گيععت 2
درين اش متصعل اسعت جهت
از روش انعكاس ROut محاسبه
امپدانس نمي توان استفاده كرد
. بنابرايععن از روش تحليل
سعيگنال كوچعك اين مدار را
بررسي مي كنيم .

19. تتححللييلل سسييگگنناالل ككووچچكك ممننببعع ججرريياانن
ووييللسسنن ::

20. (1) out ds1 out 1 gs1 ds2 out 2 gs2 V = r I -m V + r I -m V
و
از روابط ( 1) و ( 2) و ( 3) و ( 4) نتيجه م يگيريم :
از طرفي :
(2) gs1 gs2 ds3 ref 3 gs3 V +V = r I -m V
(4) ref out (3) I = I gs1 gs2 V = V
( ) gs gs ds out V V r I 1 3 3 3 + 1+ m =
V V r I V V V r ds
I
gs gs ds out gs gs gs ( ) out
2
2
m
2 3 2 2 2 2 3 1 +
m
= = - Þ = =

21. بنابراين :
m ( )
ö
= - +
1
m
3
همچنين :
يا
ö
æ
V r r I r r I r m
2 2
I
out ds ds out ds ds out از طرفي :
بنابراين :
( 1
+
)
V +
3
r I =
r I gs 1 ( 1 +
m
2
) ds 2 out ds 3
out ( )÷ ÷ø
æ
ç çè
+
2
1 3 2 1
m
gs out ds ds Þ V I r r
( ) out ds ds out gs out gs out V r r I V I V I 1 2 1 1 2 2 = + -m -m
( ) ( )
ds
m
3
+
( ) ( ) out
2
1 2 1 3 1 2 1 1
2
1
m
m
m m
+
- ÷ ÷ø
ç çè
+
= + + - +
out
R = V
out
out I
( )
2
2
m
2
m +
m
1 2 1 3 1 2
1
1 3
2
1
out ds ds ds ds ds R r r r r r
m
m
m
+
-
+
= + - +

22. با فرض :
, 1 2 3 m m >>
خواهيم داشت :
2
m m
R r r 1 3
r
out ds1 1 ds3 ds m
2
@ - m +
l
• درصعورتي كه مقدار مقدار ناچيزي نباشعد ، بعه دليل
در (VDS) وابستگي جريان خروجي به ولتاژ درين سورس
آينها با هم يكسان است نمي توان VGS دو ترانزيستوري كه
جريان دري نها را برابر گرفت .
I = K¢W - 1+l
1 2
( ) D GS DS I = f V ,V
( ) ( ) D GS T DS V V V
L
2

23. براي حل مشكل اين مدار مدار را ب هصورت زير در مي آيورند :
ترانزيستورها است . VDS در اين مدار برابر كردن M نقش 4

24. در اين مدار :
چون :
GS 4 DS 3 GS1 GS 2 V +V = V +V
D1 D2 D3 D4 I @ I @ I @ I
و
W
ö çè
æ = ÷ø
W
ö çè
æ = ÷ø
W
ö çè
æ = ÷ø
W
ö çè
÷ø
L
L
L
1 2 3 4
بنابراين :
GS1 GS 4 V = V
æ
L
DS 3 GS 2 DS 2 V = V = V
ها هم طبق مدار با هم برابر VGS ها با هم برابر و VDS • چون
است مي توان گفت دقيقا :
D2 D3 I = I

25. ععوواامملل ممههمم ددرر تتغغييييرر ججرريياانن
خخررووججيي ممننااببعع ججرريياانن ::
( VDD يا VCC ) -1 وابستگي به ولتاژ منبع
-2 وابستگي به درجه حرارت

26. ووااببسستتگگيي ببهه ووللتتااژژ ممننببعع ::
I
V
I
I
= ¶
D
I
V V
CC
CC
D
ò =
CC ¶
V
CC
V
CC
I
• هر چه حساسيت كمتر باشد منابع جريان از عوامل مداري مستقل تررند .

27. ممننببعع ججرريياانن ووييددللرر ::
I V -
V CC BE
1 ref
=
ref R
ö
÷ ÷ø
æ
ç çè
=
I
I
R I V ref
t ln 2

28. VCC حال مي خواهيم حساسيت جريان خروجي را نسبت به
بدست آيوريم :
æ
- ¶
I
¶
V
R I 2 Þ
R I 2 2 ÷ ÷ø
Þ
I
ò = ¶
I CC
V V
CC
I
V
CC ¶
ö
I ¶ I - I ¶
I
ref ref
( ) ÷ ÷ø
æ
ç çè
¶
=
¶
¶
CC
ref
t
CC I V
I
I
V
V
ö
ç çè
¶
¶
V
CC =
¶
¶
CC
ref
ref
CC
t
ref
I
I
I
V
I
V
ö
÷ ÷
ø
æ
R I 1 1
2
ç ç
è
I
- ¶
¶
I
¶
¶
=
¶
¶
ref
CC CC
ref
t
I
V I
V
CC V
V
ref
CC
V
t
ref
I
CC
R V
çè
t
ö I
¶
V
I
V
I
¶
=
¶
¶
÷ø
æ + 2
ö
÷ ÷
ø
æ ¶
V
V
I
I CC t
V V
ç ç
è
+
=
¶
¶
I R V
ö çè
÷ø
æ +
ò =
ref
CC
CC
ref
t
t
ref
CC
t
ref
I
I
R I V
V
I
V
I
V
CC 2
2
1
Þ ò ò
= ref
CC CC
R I 1 +
2
I
V
t
I
V
V

29. صرف نظر شود : VBE اگر در منبع جريان آئينه جريان از
بنابراين :
V
= ´ 1 = 1
در نتيجه :
V
CC
ref
V -
V
I = CC BE
1
@
ref R
ref
R
I
¶
ref V
I CC
V ¶
V
I R
ò =
CC
ref ref
ref
CC
ref
I
CC
1
+
ò =
CC R2 I 1
V
t
I
V
I = mA I = A R = KW ref 1 , 10 , 12 2 m
مثال : اگر خواهيم
داشت :
ò @0.18 I
VCC

30. چچنندد ننككتتهه ::
• منبع جريان ويدلر در مقايسه با منبع جريان آئينه اي
برخوردار است . VCC از حساسيت كمتري نسبت به
• درمنبع جريان آئينه اي حساسيت جريان خروجي به
Vبرابر يك است و اين مناسب نيست . CC
• منبمع جريانمي مناسمب اسمت كمه عواممل طبيعي و
مداري روي آن اثري نداشته باشد .

31. حال حساسيت در مدار زير را بررسي م يكنيم :
با صرف نظر از جريان بي سها :
V
t ref
ref
I
R I = V = V Þ =
2 1 ln ln
S
out BE t out
I
1 2 1
S
I
R
I
I
V
t S
out
V
I
¶
I VCC - VBE -
VBE V -
2
V
V
1 2 CC BE @
CC
ref R
R
R
=
1 1 1
=
ref
t
S
ref
ref
R I
I
I
I
R
I
2
1
1
2
1
= =
¶
1
ref =
¶
V R
1
I
CC
¶

32. بنابراين :
1
V
t
R I R
ref
2 1
V
I
I
ref
¶
V
I
¶
I
V
I
I
out
¶
V
V
I CC
V
I
CC
out
CC
out
ref
CC
out
CC
out
ò out
=
CC
=
¶
¶
=
¶
V
= =
V V out
I t
V
BE out
Þ ò = Þ ò = =
V I
BE ref
1
V R I
V R I
1 2 1 1
I CC t
V
V I R
BE ref
CC
CC ref
1 1 1 ln
S
I
out
CC
I
ln
• عدد بسيار بزرگي است . بنابراين حساسيت اين منبع
جريان به ولتاژ منبع ولتاژ بسيار كم است .
• كاملا وابسته به است و اين مشكل ساز است .
V
CC I out • I
I
out ref V I CC out براي اينكه كاملا مستقل از شود كاري مي كنيم كه را
بسازد. ( استفاده از منبع جريان آئينه جريان)
ref
I
1
S
ref I
• ب هدليمل رابطمه لگاريتممي حساسيت بما مقدار آمن نسبت به
مقدار قبلي خيلي كمتر است .

33. براي اينكه كاملا مستقل V
از شود از مدار زير استفاده
I CC out م يكنيم :
معروف است و متشكل Current Repeater اين مدار به مدار
است . ( Q و 4 Q از يك منبع جريان آئينه جريان ( 3

34. با صر فنظر از جريان بيس ها در منبع جريان خواهيم
داشت :
I
RI = V = V ref
V
Þ I =
t ref
از طرفي :
C BE t I
: ( با استفاده از روابط ( 1) و ( 2
(1) ref C2 I = I
ln ln (2)
1
2
1
2 1
S
C
S
I
R
I
2
1
I
V
t C
2 ln
S
C R
I
I =

35. I
V
I =
t ln
C
بنابراين دو نقطه كار براي پياده 2
سازي وجود
C 2 دارد .
R
I
S
1
نقطمه نزديمك جريان اشباع است كمه مطلوب نيست و 1 بايد
مداري به منبع جريان اضافه كرد كه بتولند منبع جريان را
2 در نقطه باياس كند .
گفته مي شود . ( Start Up ) به اين مدار ، مدار آغازش

36. ممدداارر ررااه ه اانندداازز ::

37. ref I
بنابراين جريان اولي هاي كه باعث مي شود جريان
از نقطه اول عبور كند بايد شرط زير را داشته باشد :
S1
بايد
V
I = g >>
ref I
x
R
x R S1 I
• مقدار چندان مهم نيست و تنها بايد جريان عبوري از آن از
جريان
بيشتر باشد .
• توجه داشته باشيد كه اگر اين مقاومت بزرگ باشد ، تلفات
حرارتي ب هوجودآمده در منبع جريان كاهش پيدا مي كند .

38. ننككتتهه :
نيز استفاده VBE Multiplier • به جاي ديودها مي توان از مدار
كرد .
جائيكه :
ö
æ
V V BE
R R V R
( ) ÷ ÷ø
ç çè
= + = +
1
2
1 2
BE
2
1
R
R
1 2 V = 4V , R = 3R g
• اما به دو دليل زير از اين مدار استفاده نمي شود :
زياد است و نياز به جريان بال ( R و 2 R -1 تلفات مقاومت ( 1
جهت را هاندازي دارد .
-2 ساخت مقاومت و ترانزيستور نسبت به ديودها هزين هبرتر
است .
ها با اين مشكلات مواجه نمي شويم بنابراين MOSFET • در
ها كاربرد دارد . MOSFET مدار بال در

39. ها داريم : MMOOSSFFEETT در

40. بنابراين خواهيم داشت :
(1) 2 I I ref = (2) 2 GS1 RI = V
و
2
I
( ) 2
ref
(3)
I = I = V -V ÞV = +
D ref GS T GS V
1 1 T
2 1
b
از روابط ( 1) و ( 2) و ( 3) خواهيم داشت :
2 2
ref V RI I 2
V
2 2
در اين حالت مي توان گفت :
حساسيت ريشه دوم نسبت به لگاريتم ،
نسبت به تغييرات پارامترها بيشتر است .
b
T T
I
RI = + Þ = +
b b

41. ححسسااسسييتت (( تتغغييييرر)) ننسسببتت ببهه
ددررججهه ححررااررتت ::
I
I T
T ¶
ò = ¶
T
• براي اينكه با عامل دما سروكار نداشته باشيم براي بررسي
حساسيت جريان T
خروجي از استفاده مي CF شود .
I
= 1 ¶
TCF ¶
• در اين حالت تغيير دما عامل تعيين كننده است .
I
T
I
T Temperature Coefficient CF :

42. ر را بدست م يآوريم : TيC زF حال براي منبع جريان

43. 
I VBE
C = 2
R
- ¶
¶
I V
V
BE BE
V R
2 1
T
R V
- ¶
¶
¶
R
- ¶
V
¶
I
¶
1 1 1
T BE
 منفي  حالت  با  تقويت  چون  نيست  مناسب  مدار  اين
 داريم
 مثال 
mV
VBE
¶
ppm
R
1 ¶ 1500
R °
 مدار  يك  در  اگر  
نفوذي  مقاومت  براي  و
T ppm CF °
 اگر  
 داشت  خواهيم
R
T
R
T
R R
T
T
BE
BE
C
¶
¶
¶ =
¶
=
¶
2 2

0 0
2
2
< <
¶
¶
=
¶
=
T
T R
T V
I
BE
C
C
CF
C
T
°
= -
¶
2
C
T
=
¶
V V BE = 0.6
C
@ -4800

44. با مدار را هانداز زير نيز MOSFET براي مدار متشكل از
خواهيم داشت :

45. ref 2I
T V
• معمول از لحاظ حرارتي نسبت به كمتر حساس
b
است و T
براي
CF بررسي حذف م يشود . بنابراين :
R
- ¶
V
¶
1 1
Þ CF
T =
T
@ Þ = 2 T 2 ¶
T 
R
 < <
T
¶
0 0
همچنين داريم :
ref V V
2
RI = + @
T T
I
b
2
RI V I VT
R
V
T
V ( T ) V ( T ) ( T T )
mV T T °
C
= - - = 2.3 0 0 a a
ppm
°
• هسر چسه درجسه حرارت افزايسش يابسد ولتاژ آسستانه 100
كاهش
T
C
CF مي يابد .
• براي داشتن يك منبع جريان مستقل از حرارت بايد حداكثر

46. : VVtt گگررااييشش

47. و
بنابراين :
S
ref
Þ RI = V - out
Þ = ×
ref
I
V I
I
1 , 2 ln ln ln 2
نكته :
out t I
بنابراين :
out ref I = I
I
RI = V -V (1) ln C
(2)
out BE1 BE2 S
V = V
BE t I
( ) ( )
1
S
out
out t
S
t
S
I
I
RI V
I
I
2 1 2 S S I = I
I I RI V I Vt
S S out t out = Þ = Þ =
2 ln 2 ln 2 2 1 R

48. بنابراين :
úûù
I t t
ln 2 ln 2 é
1
R
V
- ¶
V
¶
ù
é
V R
- ¶
R ¶
V
T
R
- ¶
V
¶
I
¶
1 1 1
T t
¶
> <
¶
• مشاهده مي كنيم كه نسبت به مدار قبل خيلي كمتر
شده است .
R
= Þ = - ¶
: = Þ 1 1
• اگر :
êë
¶
¶
=
ú ú ú ú
û
ê ê ê ê
ë
¶
¶
=
¶
¶
T
R
T
R R
T
T
t
t
out
2 2

0 0
=
¶
=
T
T R
T V
I
t
out
out
CF
T
T R
¶
if V KT K
T
CF
q
V
T
q
t
t ¶
¶
T = 300°K
T ppm
1 ¶ 1500 1800
R CF °
C
ppm
C
R
T
Þ @
°
=
¶

49. :: MMOOSSFFEETT ببرراايي تتككننووللووژژيي
2 ref GS1 GS 2 I = I Þ V = V
V
( ) (n)
RI V V V n I t
BE BE t ln ln 2 1 2 2 = - = Þ =
R
بوجود مي آيد اما در تكنولوژي CMOS در تكنولوژي npn • ترانزيستور
اين ترانزيستور بوجود نمي آيد . NMOS يا PMOS

50. گگررااييشش ممسستتققلل اازز ححررااررتت ::
RI V V I VZ VBE
بنابراين :
= - Þ = -
R
out Z BE out
V V R
- ( - ¶ ÷ø
)
¶
-
¶
æ
Z BE
ö çèI Z BE
out ¶
R2
T
V
T
R V
T
T
¶
¶
=
¶
¶
V V R
- - ¶
( )
V
¶
V
¶
1 1 1
2
T
¶
out Z BE
T R
¶
-
T R
¶
T R
Z BE
  
0
> > <
0 0
=
I
¶
¶
Iout
¶
بنابراين مقدار به مقدار بستگي دارد .
T
R ¶

51. نسبت به درجه حرارت VBE و VZ در صورت يكه
داراي تغييرات مشابه نباشند :
• تفاوت اين مدار با مدار قبل اين است كه
تا ديود ويك منبع جريان بعد از مقاومت n
قرار گرفت هاست و اين قسمت به مدار قبلي
اضافه شده است .

52. با صر فنظر از جريان بيس ها :
V = V + nV + V + R I Z BE 3 g BE 1 2 out V = V = V BE 1 BE 3
g و
Þ
I VZ - ( n +
)
VBE
out
2
R
2
=
براي محاسبه تغييرات ب هصورت زير عمل مي كنيم :
R ، مدار مشابه مدار قبل است ولي به عامل كنترل علوه بر
عامل كنترل R نيز اضافه شده است . در مدار قبل تنها n
بود كسه تنظيسم آسن كار مشكلسي اسست و تغييسر آن روي
مستقل است . n پارامترهاي ديگر اثرگذار مي باشد ولي
( n ) V
( ( ) )
¶ +
V
¶
V n V R
1 1 2 1 2
¶
  
0
2
2
2
0
2
0
2
> > <
¶
- - +
¶
-
¶
=
I
¶
¶
T
T R
T R
T R
Z BE
out Z BE

53. Iout
¶
T
با n = 0
قراردادن مقدار
محاسبه مي شود : ¶
• در اين حالت سه حالت ممكن است پيش بيايد :
ديود n عدد صحيح مثبت حقيقي باشد ، به تعداد n 1 اگر .
قرار داده مي شود .
ديود n عدد صحيح منفي حقيقي باشد ، به تعداد n 2 اگر .
در زير ديود زنر قرار داده مي شود .
( VBE Multiplier) عدد اعشاري باشد ، ب هجاي ديد از n 3 اگر .
استفاده مي كنيم .(اين روش قبل توضيح داده شد )

54. CCuurrrreenntt ممدداارر بباا ااسستتففااددهه اازز ممننببعع ججرريياانن
:: MMiirrrroorr
• در اين مدار نيز از ترانزيستوري استفاده
م يكنيم كه دو اميتري است يعني جريان
اشباع آن دو برابر است .
با صرف نظر از جريان بيس ها :
ln 2
V V
1 2
2
1
1
I I I V
1 2 R
R
Vt
BE BE BE
out

-
= + = +
V
I VBE t
out Þ = +
1 ln 2
R
R
1 2

55. بنابراين :
ù
ú ú ú ú
û
é
ê ê ê ê
t
BE
I t
ë
V ¶
R
T
¶
-
V
¶
T
¶
V ¶
R
1
T
¶ +
-
R V
T
¶
¶
=
¶
out
T
¶
2
2
2
2
2
1
1
1
1
ln 2
R
R
R
BE
2
I V
V
R
¶
V
V
Þ
out BE BE t t 1 ln 2 ln 2
2
2
2
1
1
2
1
1
T R
1
R
¶
T
¶
-
T
¶
+
¶
T R
¶
-
T
¶
¶
R
R
 
0
< < > 0
<
0
0
=
¶
¶
V
¶
ln 2
• جمله بايد جبران جملت منفي را كند . براي اين
t
R
منظور ¶
T
بايد
2
كوچك باشد . R مقدار 2
باعث افزايش جريان خروجي و افزايش تلفات R • كاهش 2
مدار مي شود . بنابراين مدار فوق مدار مناسبي نم يباشد .