ИЗМЕРЕНИЕ УГЛА ВРАЩЕНИЯ ПЛОСКОСТИ ПОЛЯРИЗАЦИИ МЕТОДОМ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЙ ПОЛЯРИ...ITMO University
Представлен метод измерения угла вращения плоскости поляризации на основе метода дифференциальной поляриметрии с использованием быстрого преобразования Фурье. Достигнута высокая точность его измерения с расширенной неопределенностью 0,0014° при коэффициенте охвата 3.
ИЗМЕРЕНИЕ УГЛА ВРАЩЕНИЯ ПЛОСКОСТИ ПОЛЯРИЗАЦИИ МЕТОДОМ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЙ ПОЛЯРИ...ITMO University
Представлен метод измерения угла вращения плоскости поляризации на основе метода дифференциальной поляриметрии с использованием быстрого преобразования Фурье. Достигнута высокая точность его измерения с расширенной неопределенностью 0,0014° при коэффициенте охвата 3.
МОДИФИКАЦИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОЙ СТЕКЛОКЕРАМИКИ„ФОТУРАН“ УЛЬТРАКОРОТКИМИ ЛАЗЕР...ITMO University
Рассмотрен процесс лазерно-индуцированной модификации фоточувствительного стеклокерамического материала импульсами пикосекундной длительности для второй гармоники YAG:Nd-лазера, а также проведено сравнение данного процесса с инфракрасным фемтосекундным воздействием.
ИЗГОТОВЛЕНИЕ И АТТЕСТАЦИЯ ЗОНДОВ ИЗ СТЕКЛЯННЫХ МИКРОКАПИЛЛЯРОВ ДЛЯ СКАНИРУЮЩЕ...ITMO University
Изготовлены зонды для сканирующего зондового микроскопа (СЗМ) на основе стеклянных микрокапилляров. Оценены характеристики зондов-пипеток по их изображениям, полученным в растровом электронном микроскопе(РЭМ) и в СЗМ с использованием тестовых решеток
МОДИФИКАЦИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОЙ СТЕКЛОКЕРАМИКИ„ФОТУРАН“ УЛЬТРАКОРОТКИМИ ЛАЗЕР...ITMO University
Рассмотрен процесс лазерно-индуцированной модификации фоточувствительного стеклокерамического материала импульсами пикосекундной длительности для второй гармоники YAG:Nd-лазера, а также проведено сравнение данного процесса с инфракрасным фемтосекундным воздействием.
ИЗГОТОВЛЕНИЕ И АТТЕСТАЦИЯ ЗОНДОВ ИЗ СТЕКЛЯННЫХ МИКРОКАПИЛЛЯРОВ ДЛЯ СКАНИРУЮЩЕ...ITMO University
Изготовлены зонды для сканирующего зондового микроскопа (СЗМ) на основе стеклянных микрокапилляров. Оценены характеристики зондов-пипеток по их изображениям, полученным в растровом электронном микроскопе(РЭМ) и в СЗМ с использованием тестовых решеток
1. Тест к лекции №5. Принципы работы и устройство сканирующего туннельного
микроскопа.
1. Какой вид имеет зависимость туннельного тока от расстояния между кончиком иглы и
образцом?
Линейный
Экспоненциальный
Параболический
Гиперболический
2. Какой физический эффект лежит в основе работы сканера, осуществляющего перемещения
образца относительно иглы с ангстремной точностью?
Прямой пьезоэлектрический эффект
Обратный пьезоэлектрический эффект
Электрострикция
Магнитострикция
3. В чем заключается явление крипа для сканера туннельного микроскопа?
Неоднозначность зависимости изменения размеров сканера от направления изменения
электрического поля
При больших управляющих напряжениях зависимость изменения размеров сканера от
приложенного напряжения перестает быть линейной
Сканер реагирует на изменение напряжения с запаздыванием, что приводит к искажению
деталей поверхности
Сканер скрипит при перемещении образца относительно иглы
4. Какова типичная амплитуда тепловых колебаний атомов в кристаллических решетках при
комнатной температуре?
0.002 — 0.015 Å
0.02 — 0.15 Å
0.002 — 0.015 нм
0.02 — 0.15 нм
5. Какой шум доминирует при нормальных условиях работы сканирующего туннельного
микроскопа?
Черный шум
Дробовой шум
Белый шум
Фликкер-шум
6. Появление каких артефактов на СТМ-изображениях связано с формой иглы?
Возникновение пилообразного вида строк сканирования
Удвоение деталей изображения
Возникновение автогенерации на границах частиц
Различие в высоте максимумов, соответствующих атомам в разных позициях решетки
7. Появление каких артефактов на СТМ-изображениях связано с неправильной работой
2. обратной связи?
Уширение частиц на изображениях
Удвоение деталей изображения
Возникновение автогенерации на границах частиц
Различие в высоте максимумов, соответствующих атомам в разных позициях решетки
8. Какой из перечисленных подходов не позволит наблюдать поверхность диэлектрика с
помощью СТМ?
Напыление металлических и углеродных пленок
Использование тонкой водяной пленки на образце
Применение больших туннельных напряжений
Сканирование без обратной связи в режиме постоянной высоты.
9. Каково характерное сопротивление туннельного перехода?
1 ТΩ
1 ГΩ
1 МΩ
1 КΩ
10. Что определяет высоту туннельного барьера в СТМ?
Плотность состояний вблизи уровня Ферми в материале иглы и поверхности
Настройка звеньев обратной связи
Работа выхода материала иглы и поверхности
Ширина вакуумного зазора между зондом и образцом