Saules elementai technologijos tendecijos
•
0 likes•924 views
Solar cell basics and tendency
![[object Object],[object Object]](https://image.slidesharecdn.com/sauleselementaikazukauskas1-111201084711-phpapp02/85/Saules-elementai-technologijos-tendecijos-1-320.jpg)
![Turinys ,[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]](data:image/gif;base64,R0lGODlhAQABAIAAAAAAAP///yH5BAEAAAAALAAAAAABAAEAAAIBRAA7)
More Related Content
Featured
Featured (20)
Saules elementai technologijos tendecijos
- 8. Ekvinalentinėje schemoje lygiagrečiai idealiam diodui pavaizduotas pastovios srovės šaltinis. Šaltinio srovę I L kuria šviesa generuoti krūvininkai, I s yra diodo soties srovė, o R L yra apkrovos varža. 1
- 9. A - prietaiso plotas. Voltamperinės apšviesto Saulės elemento charakteristikos pavyzdys parodytas žemiau. Šiame grafike yra du charakteringi taškai, atkertami ant abscisių ir ordinačių ašių. Isc = I L yra trumpojo jungimo srovė (short current) - tai maksimali srovė, kurią gali tiekti elementas, kai jo elektrodai užtrumpinti. Voc yra elemento elektrovara (open circuit voltage). 2 FF
- 10. Tinkamai parinkus apkrovą, naudingoji elemento galia gali siekti iki 80 proc. sandaugos V 0C *I sc . Įtampos ir srovės vertės, kurioms esant pasiekiama maksimali galia, pažymėtos V m ir I m . Šios vertės apibūdina maksimalios galios stačiakampi Maksimalios galios ir galios, nusakomos sandauga V 0C *Isc, santykis vadinamas užpildos koeficientu ( fill factor - FF): Geometriškai jis nusako dviejų stačiakampių plotų santykį ir apibūdina, kiek realaus fotodiodo voltamperinė charakteristika atitinka idealaus maitinimo šaltinio voltamperinę charakteristiką. 3 FF
- 11. Energijos konversijos efektyvumas 4 5 Tam tikrai oro masei, pvz., AM 1.5, srovė I L yra proporcinga elektrono krūvio e ir kritusių fotonų, kurių hv > E g skaičiaus sandaugai. Kritusi galia P in randama integraojant visų fotonų įtaką spektre.
- 12. Energijos nuostoliai dėl ominės varžos ir rekombinacijos Realių Saulės elementų parametrus blogina keli veiksniai. Visų pirma tai ominė elemento varža ties paviršiumi. Ekvivalentinė schema parodyta žemiau. Todėl tokios VAch išraiškoje 2 formul ės reikia atsižvelgti į įtampos kritimą ant šios varžos. Tada iš 2 galime gauti: 6 Apšviesto Saulės elemento voltamperinė charakteristika, priklausomai nuo jo paviršines varžos
- 13. Šios varžos įtaka parodo jog vos 5 nuosekliai įjungta paviršiaus varža sumažina naudingą galią daugiau nei 70 proc. Prietaiso srovė ir galia tada nusakomi: 8 7 7 8 7 8 9 10 Dėl rekombinacinių srovių Si saulės elementų efektyvumas 300 K temperatūroje gali sumažėti iki 25 proc. Šios varžos dydis priklauso nuo sandūros gylio, priemaišų tankio n ir p srityse bei viršutinių ominių elektrodų savybių ir konfigūracijos. Kitas veiksnys, ribojantis efektyvumą, yra rekombinacinė srovė nuskurdintoje srityje. Jei rekombinacija vyksta per defektų centrus, sudarančius vieną diskretinį lygmenį juostoje, rekombinacinė srovė išreiškiama:
- 14. Energy loss due to Hight excitation
- 16. Tandeminis s aul ės elementas
- 17. Efektyvumo/kainos santykis III-nitriduose bei kitose medžiagose
- 23. Role of (a) p+-region, and (b) window layer for generating front surface fields and passivation.
Editor's Notes
- The heterojunction p-n diode is in principle very similar to a homojunction. The main problem that needs to be tackled is the effect of the bandgap discontinuities and the different material parameters, which make the actual calculations more complex even though the p-n diode concepts need almost no changing. Nnobelio prizas rusu moksilinkams 2000 uz heterosanduru tobulinima optoelektronikoje ir greitojoje elektronikoje
- The heterojunction p-n diode is in principle very similar to a homojunction. The main problem that needs to be tackled is the effect of the bandgap discontinuities and the different material parameters, which make the actual calculations more complex even though the p-n diode concepts need almost no changing. Nnobelio prizas rusu moksilinkams 2000 uz heterosanduru tobulinima optoelektronikoje ir greitojoje elektronikoje
- Saulės elementų yra kelių rūšių, kurie skirstomi pagal gamybos tipą, vartojamas medžiagas, galios/kainos santykį bei efektyvumą. Didžiausią potencialą pasiekti aukščiausią teoriškai įmanomą efektyvumą turi tandeminiai saulės elementai su skirtingais draustinės juostos pločio sluoksniais, efektyviai išnaudojančiais plačią Saulės spektro dalį
- The heterojunction p-n diode is in principle very similar to a homojunction. The main problem that needs to be tackled is the effect of the bandgap discontinuities and the different material parameters, which make the actual calculations more complex even though the p-n diode concepts need almost no changing. Nnobelio prizas rusu moksilinkams 2000 uz heterosanduru tobulinima optoelektronikoje ir greitojoje elektronikoje
- The heterojunction p-n diode is in principle very similar to a homojunction. The main problem that needs to be tackled is the effect of the bandgap discontinuities and the different material parameters, which make the actual calculations more complex even though the p-n diode concepts need almost no changing. Nnobelio prizas rusu moksilinkams 2000 uz heterosanduru tobulinima optoelektronikoje ir greitojoje elektronikoje
- The heterojunction p-n diode is in principle very similar to a homojunction. The main problem that needs to be tackled is the effect of the bandgap discontinuities and the different material parameters, which make the actual calculations more complex even though the p-n diode concepts need almost no changing. Nnobelio prizas rusu moksilinkams 2000 uz heterosanduru tobulinima optoelektronikoje ir greitojoje elektronikoje
- The heterojunction p-n diode is in principle very similar to a homojunction. The main problem that needs to be tackled is the effect of the bandgap discontinuities and the different material parameters, which make the actual calculations more complex even though the p-n diode concepts need almost no changing. Nnobelio prizas rusu moksilinkams 2000 uz heterosanduru tobulinima optoelektronikoje ir greitojoje elektronikoje
- The heterojunction p-n diode is in principle very similar to a homojunction. The main problem that needs to be tackled is the effect of the bandgap discontinuities and the different material parameters, which make the actual calculations more complex even though the p-n diode concepts need almost no changing. Nnobelio prizas rusu moksilinkams 2000 uz heterosanduru tobulinima optoelektronikoje ir greitojoje elektronikoje
- The heterojunction p-n diode is in principle very similar to a homojunction. The main problem that needs to be tackled is the effect of the bandgap discontinuities and the different material parameters, which make the actual calculations more complex even though the p-n diode concepts need almost no changing. Nnobelio prizas rusu moksilinkams 2000 uz heterosanduru tobulinima optoelektronikoje ir greitojoje elektronikoje
- 3 kartos Saulės elementai (t.y. dideliu efektyvumu pasižymintys) turi potencialą pasiekti didelio našumo ir mažos kainos santykį. Štai dėl šios priežasties pasaulio mokslininkai yra susidomėję būtent nitritinių Saulės elementų kūrimu ir tobulinimu: juk su tandeminiais elementais buvo pasiektas rekordinis našumas 42.4%. Į serijinę gamybą „Boeing“ kompanija žada paleisti 39 % efektyvumo elementus, tad tendencija yra pagrįsta – pasaulio rinkų augimas garantuotas. Kodėl InGaN elementai yra geresni už kitus, nors jų kaina nėra maža? Nes ši medžiaga yra atspari radiacijai bei labai chemiškai bei mechaniškai stabili, todėl šie elementai gali būti vartojami kosmose, koncentratorinių Saulės elementų sistemose.
- The heterojunction p-n diode is in principle very similar to a homojunction. The main problem that needs to be tackled is the effect of the bandgap discontinuities and the different material parameters, which make the actual calculations more complex even though the p-n diode concepts need almost no changing.