Polarizimi i tranzistorit fet9

1. Pajisjet elektronike
Polarizimi i tranzistorit FET

2. Polarizimi i tranzistorit FET
• Hyrje
• Konfigurimi me polarizim fiks
• Konfigurimi me vetëpolarizim
• Konfigurimi me pjestues tensioni
• MOSFET i tipit të varfëruar (D-MOSFET)
• MOSFET i tipit të pasuruar (E-MOSFET)
• Lidhja e kombinuar mes tranzistorëve BJT e FET
• Tabela përmbledhëse

3. Hyrje
•Në kap. 5 mësuam që vlerat polarizuese të tranzistorëve bipolarë mund të
merren prej ek.
VBE 0.7 V, IC =βIB, dhe IC ≅ IE.
•Fakti që beta është konstante na siguron një lidhje lineare mes IC and IB.
•Për tranzistorin FET, relacioni mes vlerave hyrëse dhe dalëse është jolineare si
pasojë e ekuac. të Shockley-it.
•Një dallim tjetër mes tranzistorëve bipolarë dhe FET është se variabla
kontrolluese hyrëse te tranz. bipolar është rryma, kurse te tranz. FET është
tensioni.
•Relacionet e përgjithshme që mund të aplikohen për analizë dc të amplif. FET
janë
IG  0 ID  IS

4. Hyrje
• Për tranz. JFET dhe D-MOSFET, ek. i Shockley-it është aplikuar për të
treguar lidhjen mes vlerave hyrëse dhe dalëse:
2
 V 
I D  I DSS 1  GS
 V 

 P 
• Për tranz. E-MOSFET, ek. Që aplikohet ka formën:
I D  k VGS  VT 
2
• Është me rëndësi të ceket që të gjitha ek. e më sipërme janë për pajisje.
Ato nuk ndryshojnë me ndryshimin e qarqeve në të cilat aplikohet pajisja
(tranzistori), derisa pajisja është në regjionin aktiv.

5. Konfigurimi me polarizim fiks
• Konf. i fig. 1 përfshin vlerat alternative të tensionit Vi dhe Vo dhe kondensatorët (C1
dhe C2). Të rikujtojmë që kondensatorët janë “lidhje të hapura” për analizë dc dhe
“lidhje e shkurtë” për analizë ac.
• Për analizë dc
IG  0 A VRG  I G RG  (0 A)RG  0 V

6. Konfigurimi me polarizim fiks
• Duke aplikuar ligjin e Kirchhoff-it për tension
 VGG  VGS  0 VGS  VGG
• Pasi VGG ka vlerë fikse dc, tensioni VGS është fiks në madhësi, duke
rezultuar kështu në emërtimin “konfigurimi me polarizim fiks”. Vlera
rezultuese e rrymës kontrollohet nga ek. i Shockley-it:
2
 VGS 
I D  I DSS 1 
 V 

 P 

7. Konfigurimi me polarizim fiks
 VDS  I D RD  VDD  0
VDS  VDD  I D RD
 VGG  VGS  0
VS  0
VDS  VD  VS
VD  VDS  VS  VDS  0 V
VD  VDS
VGS  VG  VS
VG  VGS  VS  VGS  0 V
VG  VGS

8. Konfigurimi me vetëpolarizim
VRS  I D RS
 VGS  VRS  0
VGS  VRS
VGS   I D RS

9. Konfigurimi me vetëpolarizim
2 2
 V   I R 
I D  I DSS 1  GS
 V   I DSS 1  D S
  

 P   VP 
2
 I R 
I D  I DSS 1  D S
 

 VP 
I D  K1I D  K 2  0
2
VRS  VDS  VRD  VDD  0
VDS  VDD  VRS  VRD  VDD  I S RS  I D RD ID  IS
VDS  VDD  I D RS  RD 
VS  I D RS VG  0 V
VD  VDS  VS  VDD  VR D

10. Konfigurimi me pjestues tensioni
R2VDD R2VDD
VG  VG 
R1  R2 R1  R2
RV VG  VGS  VRS  0 VRS  I S RS  I D RS
VG  2 DD
R1  R2 VGS  VG  VRS VGS  VG  I D RS

11. Konfigurimi me pjestues tensioni

12. MOSFET i tipit të varfëruar (D-MOSFET)
• Ngjashmëritë në lakoret e tranz. JFET dhe D-MOSFET na lejojnë të
aplikojmë analizë të ngjashme dc.
• Diferenca kryesore mes dy tranz. është fakti që D-MOSFET tranz.
lejojnë pika punuese edhe për vlera pozitive të VGS dhe vlera të ID që
tejkalojnë IDSS.
• Në fakt, për të gjitha konfigurimet e diskutuara deri më tani, analiza
është e njëjtë nëse JFET zëvendësohet me D-MOSFET.
• Pjesa e vetme e padefinuar është paraqitja grafike e ek. të
Shockley-it për vlera pozitive të VGS.
• For most situations, this required range will be fairly well defined by
the MOSFET parameters and the resulting bias line of the network.
• Disa shembuj do të tregojnë ndikimin e e ndryshimit të pajisjes në
analizën përfundimtare.

13. MOSFET i tipit të pasuruar (E-MOSFET)
• Karakteristikat transferuese të tranz. E-
MOSFET dallojnë shumë prej tranz. JFET
dhe D-MOSFET, duke rezultuar kështu me
paraqitje grafike të ndryshme.
• Të rikujtojmë që për E-MOSFET me kanal
n, rryma ID është zero për vlerat e tensionit
VGS < VGS(Th).
• Për vlerat VGS > VGS(Th), rryma e drejnit
definohet si:

14. MOSFET i tipit të pasuruar (E-MOSFET)
Pasi shënimet e specifikacioneve
sigurojnë vlerat për tension dhe
rrymë (ID(on)) dhe VGS(on), dy pika janë
definuar menjëherë si në fig.
Për të kompletuar lakoren,
konstanta k duhet të përcaktohet
duke në ek. (6.25) dhe duke
zgjidhur k si më poshtë:

15. Lidhja e kombinuar mes tranzistorëve
BJT e FET

16. Tabela përmbledhëse