SlideShare a Scribd company logo
1 of 3
Download to read offline
€lz.cltto'stnl),tchz.       hgpuL/-ijn        hÍ-ettacLi-e't     .in otnon/z inf.une-ta-!-Litch.e              lz.geninge'n




  Electrostatische              hyperfijn       interacties        in amorfe         internetallische               l-egeriagen


            Ten gevolge van de wisselwerking                              van    een kern            met     ziin      omgeving

verschuj-ven            de energieniveaus              van de kern.          Deze zeer          kleine        verschuivingen

kunnen met behulp               van het MUssbauer effect                  gemeten worden.             In    principe       kunnen

we 3 hyperfijn                  interacties        meteni       de ísomerie           verschuiving,           de quadrupool

splitsing         en het        nagnetisch        hyperfine       veld.      De isonerie             verschuiving         is      het

gevolg      van de wisselwerking                tussen de kernlading                 en de electronendichtheid                    ter

plaatse      van de kern.           Irlanneer de ladingsverdeling                    rond de kern           symnetrisch           is,

ontstaat      een electrische               veldgradÍent        op de kern.           De quadrupool           splitsing        meet

de wisselwerking                tussen      deze veldgradj-ent            en het        quadrupool           moment van            de

kern.    Het magnetische hyperfijnveld,                        tenslotte,       wisselwerkt          met het magnetiéche

moment van de kern.                Al-s gevolg         van deze interactie              vertonen        de kernniveaus             de

zogenaamde Zeeman-splitsing.
             In    het     onderzoek dat           beschreven       wordt       in    dit   proefschrift,              hebben we

ons geconcentreerd                op de twee electrostatische                         hyperfijn            interacties:            de

isonerie       verschuj-ving en de quadrupool splitsing.                              Als   sonde voor de hyperfijn

inreracties         hebben we de 57F" k".n gebruikt.     lJe hebben de M8ssbauer sPectra
van een aantal             internetallische            arnorfe legeringen             gemeteo. Onderzocht is                   welke

informatie         over      de topologische             en el-ectronen          structuur           van anorfe         legerin-

gen uit      de electrostatische                hyperfijn       interacties          verkregen        kan worden.

             In hoofdstuk           I    geven wij       een korte        introductie         tot      de amorfe legerin-
gen. In het algemeen kan men stellen                           dat ze gemaakt worden door een vloeistof-
of gas-nengsel            zeer snel af te koelen.                Hierdoor       krijgen       zij     een vloeistofachti-
ge structuur,             die     zich      kennerkt     door     de afwezigheid            van lange          afstandsorde.

Echter      over    korte        afstanden,        d.w.z.      enkele       atoonafstanden,            kan er wel          sprake

zijn    van een zekere nate van ordening.
             In    hoofdstuk         2 beschrijven     we de experinentele techniek,   waarmee wij

de hyperfijn             interacties         hebben bestudeerd: 57Fe M8ssbauer spêctroscopie;  Met

nane wordt         aandacht besteed              aan de evaluatie             van de hyperfijn                par€rmeters uit

de M8ssbauer spectra                net behulp van de zogenaamde Fourier                            deconvolutie        nethode.
             In    hoofdstuk         3 wordt       een model beschreven                voor     de isonerie            verschui-

ving.       Met behulp           van dit        zogenaande Miedema-van der                    l,loude model kunnen de

chemische en volune                bijdragen        vao de isomerie             verschuiving           worden onderschei-



                                                                                                                                    95
Sanenuolling          €lz.cfurc,tLaLi




den. Een attractief                  punt van dit      model is,       dat de atomen worden beschreven met                           Ni op de el
behulp       van        bulk     parameters.           D.w.z.     hrat betreft          de isomerie            verschuiving          deerd dat     h

gedragen de atomen zich                      a1s zeer       k1eíne     stukjes       macroscopisch metaal.                     Het   door rechtst
model wordt         geijkt           op de isomerie       verschuivi-ng van Fe in                een aantal         kristal-         sies   zijn   i

lijne     metalen.         Vervolgens          wordt    het     toegepast      op amorfe Fe-Zr                 legeringen.           electronegat
Geconcludeerd              wordt       dat     de atomen in            deze    legeringen        een spanningsvrije
pakking vormen. De isomerie                     verschuiving          kan begrepen worden uit                  de inter-        en
intra-    atoÍnaire Iadingsoverdracht.
             In hoofdstuk 4 wordt een nodel beschreven voor de quadrupool splitsing
in amorfe legeringen.                  Het is    algemeen gebruik            om de r{raarden van de quadrupool
splitsi-ng     in       kristallljne          en amorfe legeringen             met elkaar         te     vergelijken            en
daar conclusies                omtrent    de 1oka1e ordening                aan te     verbinden.        Echter      hiermee
negeert men de verschillen                      in de electrostatische               structuur     van deze legerin-
gen. In dit         hoofdstuk          benadrukken we de betekenis                   van de geleidingsel-ectronen
voor de quadrupool splitsing.                      M.b.v.     compritersimulaties          laten       we zien dat hun
bijdrage      ni.et verwaarloosd kan worden. Integendeel,                             de bijdrage         van de gelei-
dingselectronen            domineert de quadrupool splitsing.                      Met behulp van het nodel is
de quadrupool splitsing                  in arnorfe Fe-Zr legeringen                 geanalyseerd. De quadrupool
splitsing          in     de Zr-rijke            legerÍngen        vertoont      een sterke            stijging      net        de
Zr-concentratie.               Dit    gedrag wordt geinterpreteerd               a1s het gevolg van verande-
ringen in het effectieve                  aantal vrije        electronen       per atoom.
            Tenslotte           passen we in           hoofdstuk        5    de modellen          voor     de      isomerie
verschuivi-ng en quadrupool splitsing                         toe op amorfe (Fe,Cu)-Zr                 en Felg(Ni,Zr)9g
legeringen.   Uit de isomerie verschuiving concluderen ne dat de 1okale orde
rond de    57Fe kern gedomineerd wordt door de sterke attractieve interactie
tussen Fe en Zr. Met name in de Zr-rijke                              legeringen      konen Ni en Cu niet                 in    de
naaste-buren-schil                   van het     Fe voor.       Uit     de quadrupool        splitsing            kunnen we
conclusies         Èrekken over de invloed                  van Cu en Ni         op de electronen                structuur.
Het bU-jkt     dat Cu de electronen                 structuur         rond Fe a11een indirekt              beinvloed.           De
concentratie            afhankelijkheid           van het       effectieve       aantal     vrije        electronen            per
atoóm wordt door Fe en Zr bepaald. Het Cu verlaagt                                   de ladingsoverdracht             van Zr
naar Fe, daardoor neeÍrt de bijdrage                        aan het effectíeve           aantal        vrije     electronen
van Zr toe en dat van Fe af.                      Het aantal       onderzochte (Fe,Ni)-Zr                legeringen            was
niet     voldoende om gedetailleerde                    conclusies       te trekken       omtrent dit            effect        van



96
€LecTttoaÍnLi'tclz       hgpe/z/"ijn   int,e,rccil,ez     in   onon/-e )ntenne-Ín-!-U-dch.e. lz.gen-ingen




Ni     op de el-ectronen       structuur        in   deze legeringen.          Toch kan worden geconclu-
deerd     dat   het    Ni   een meer direkte            invl-oed   op de electronen           structuur   heeft
door rechtstreeks           electronen     in    de geleidingsband        te    injecteren.      Deze concl-u-
sies     zijn   in    overeenstenning       net      hetgeen nen rnag verwachten          op grond van de
electronegativiteit          en geleidbaarheid           van de pure metalen.




                                                                                                            97

More Related Content

Similar to 1987 samenvatting proefschrift electrostatic hyperfine interactions in amorphous intemetallic alloys

spartan eindverslag
spartan eindverslagspartan eindverslag
spartan eindverslagMaurice Vlot
 
Hoofdstuk 3 - Conductometrie
Hoofdstuk 3 - ConductometrieHoofdstuk 3 - Conductometrie
Hoofdstuk 3 - ConductometrieTom Mortier
 
Hoofdstuk4 - Elektrochemie
Hoofdstuk4 - ElektrochemieHoofdstuk4 - Elektrochemie
Hoofdstuk4 - ElektrochemieTom Mortier
 
Fundamenten van de moleculaire orbitaal theorie
Fundamenten van de moleculaire orbitaal theorieFundamenten van de moleculaire orbitaal theorie
Fundamenten van de moleculaire orbitaal theorieTom Mortier
 

Similar to 1987 samenvatting proefschrift electrostatic hyperfine interactions in amorphous intemetallic alloys (6)

spartan eindverslag
spartan eindverslagspartan eindverslag
spartan eindverslag
 
Hoofdstuk 3 - Conductometrie
Hoofdstuk 3 - ConductometrieHoofdstuk 3 - Conductometrie
Hoofdstuk 3 - Conductometrie
 
Hoofdstuk 2 2008
Hoofdstuk 2 2008Hoofdstuk 2 2008
Hoofdstuk 2 2008
 
Hoofdstuk4 - Elektrochemie
Hoofdstuk4 - ElektrochemieHoofdstuk4 - Elektrochemie
Hoofdstuk4 - Elektrochemie
 
Wz3 atoombouw deel 3
Wz3 atoombouw deel 3Wz3 atoombouw deel 3
Wz3 atoombouw deel 3
 
Fundamenten van de moleculaire orbitaal theorie
Fundamenten van de moleculaire orbitaal theorieFundamenten van de moleculaire orbitaal theorie
Fundamenten van de moleculaire orbitaal theorie
 

More from pmloscholte

1998 epitaxial clusters studied by synchrotron x ray diffraction and scanning...
1998 epitaxial clusters studied by synchrotron x ray diffraction and scanning...1998 epitaxial clusters studied by synchrotron x ray diffraction and scanning...
1998 epitaxial clusters studied by synchrotron x ray diffraction and scanning...pmloscholte
 
1998 Appl. Phys. A 66 (1998), p857 design and construction of a high resoluti...
1998 Appl. Phys. A 66 (1998), p857 design and construction of a high resoluti...1998 Appl. Phys. A 66 (1998), p857 design and construction of a high resoluti...
1998 Appl. Phys. A 66 (1998), p857 design and construction of a high resoluti...pmloscholte
 
1996 a calibrated scanning tunneling microscope equipped with capacitive sensors
1996 a calibrated scanning tunneling microscope equipped with capacitive sensors1996 a calibrated scanning tunneling microscope equipped with capacitive sensors
1996 a calibrated scanning tunneling microscope equipped with capacitive sensorspmloscholte
 
1994 restoration of noisy scanning tunneling microscope images
1994 restoration of noisy scanning tunneling microscope images1994 restoration of noisy scanning tunneling microscope images
1994 restoration of noisy scanning tunneling microscope imagespmloscholte
 
1998 epitaxial film growth of the charge density-wave conductor rb0.30 moo3 o...
1998 epitaxial film growth of the charge density-wave conductor rb0.30 moo3 o...1998 epitaxial film growth of the charge density-wave conductor rb0.30 moo3 o...
1998 epitaxial film growth of the charge density-wave conductor rb0.30 moo3 o...pmloscholte
 
1998 characterisation of multilayers by x ray reflection
1998 characterisation of multilayers by x ray reflection1998 characterisation of multilayers by x ray reflection
1998 characterisation of multilayers by x ray reflectionpmloscholte
 
1997 sodium doped dimer rows on si(001)
1997 sodium doped dimer rows on si(001)1997 sodium doped dimer rows on si(001)
1997 sodium doped dimer rows on si(001)pmloscholte
 
1997 nucleation of homoepitaxial si chains on si(001) at room temperature
1997 nucleation of homoepitaxial si chains on si(001) at room temperature1997 nucleation of homoepitaxial si chains on si(001) at room temperature
1997 nucleation of homoepitaxial si chains on si(001) at room temperaturepmloscholte
 
1997 atomic details of step flow growth on si(001)
1997 atomic details of step flow growth on si(001)1997 atomic details of step flow growth on si(001)
1997 atomic details of step flow growth on si(001)pmloscholte
 
1996 strain in nanoscale germanium hut clusters on si(001) studied by x ray d...
1996 strain in nanoscale germanium hut clusters on si(001) studied by x ray d...1996 strain in nanoscale germanium hut clusters on si(001) studied by x ray d...
1996 strain in nanoscale germanium hut clusters on si(001) studied by x ray d...pmloscholte
 
1996 origin of rippled structures formed during growth of si on si(001) with mbe
1996 origin of rippled structures formed during growth of si on si(001) with mbe1996 origin of rippled structures formed during growth of si on si(001) with mbe
1996 origin of rippled structures formed during growth of si on si(001) with mbepmloscholte
 
1996 new application of classical x ray diffraction methods for epitaxial fil...
1996 new application of classical x ray diffraction methods for epitaxial fil...1996 new application of classical x ray diffraction methods for epitaxial fil...
1996 new application of classical x ray diffraction methods for epitaxial fil...pmloscholte
 
1996 atomic force microscopy study of (001) sr tio3 surfaces
1996 atomic force microscopy study of (001) sr tio3 surfaces1996 atomic force microscopy study of (001) sr tio3 surfaces
1996 atomic force microscopy study of (001) sr tio3 surfacespmloscholte
 
1995 mechanism of the step flow to island growth transition during mbe on si(...
1995 mechanism of the step flow to island growth transition during mbe on si(...1995 mechanism of the step flow to island growth transition during mbe on si(...
1995 mechanism of the step flow to island growth transition during mbe on si(...pmloscholte
 
1995 growth mechanisms of coevaporated sm ba2cu3oy thin films
1995 growth mechanisms of coevaporated sm ba2cu3oy thin films1995 growth mechanisms of coevaporated sm ba2cu3oy thin films
1995 growth mechanisms of coevaporated sm ba2cu3oy thin filmspmloscholte
 
1994 the influence of dimerization on the stability of ge hutclusters on si(001)
1994 the influence of dimerization on the stability of ge hutclusters on si(001)1994 the influence of dimerization on the stability of ge hutclusters on si(001)
1994 the influence of dimerization on the stability of ge hutclusters on si(001)pmloscholte
 
1994 nucleation and growth of c parallel grains in co-evaporated sm ba2cu3oy ...
1994 nucleation and growth of c parallel grains in co-evaporated sm ba2cu3oy ...1994 nucleation and growth of c parallel grains in co-evaporated sm ba2cu3oy ...
1994 nucleation and growth of c parallel grains in co-evaporated sm ba2cu3oy ...pmloscholte
 
1994 atomic structure of longitudinal sections of a pitch based carbon fiber ...
1994 atomic structure of longitudinal sections of a pitch based carbon fiber ...1994 atomic structure of longitudinal sections of a pitch based carbon fiber ...
1994 atomic structure of longitudinal sections of a pitch based carbon fiber ...pmloscholte
 
1992 schottky barrier formation in conducting polymers
1992 schottky barrier formation in conducting polymers1992 schottky barrier formation in conducting polymers
1992 schottky barrier formation in conducting polymerspmloscholte
 
1990 crystallization kinetics of thin amorphous in sb films
1990 crystallization kinetics of thin amorphous in sb films1990 crystallization kinetics of thin amorphous in sb films
1990 crystallization kinetics of thin amorphous in sb filmspmloscholte
 

More from pmloscholte (20)

1998 epitaxial clusters studied by synchrotron x ray diffraction and scanning...
1998 epitaxial clusters studied by synchrotron x ray diffraction and scanning...1998 epitaxial clusters studied by synchrotron x ray diffraction and scanning...
1998 epitaxial clusters studied by synchrotron x ray diffraction and scanning...
 
1998 Appl. Phys. A 66 (1998), p857 design and construction of a high resoluti...
1998 Appl. Phys. A 66 (1998), p857 design and construction of a high resoluti...1998 Appl. Phys. A 66 (1998), p857 design and construction of a high resoluti...
1998 Appl. Phys. A 66 (1998), p857 design and construction of a high resoluti...
 
1996 a calibrated scanning tunneling microscope equipped with capacitive sensors
1996 a calibrated scanning tunneling microscope equipped with capacitive sensors1996 a calibrated scanning tunneling microscope equipped with capacitive sensors
1996 a calibrated scanning tunneling microscope equipped with capacitive sensors
 
1994 restoration of noisy scanning tunneling microscope images
1994 restoration of noisy scanning tunneling microscope images1994 restoration of noisy scanning tunneling microscope images
1994 restoration of noisy scanning tunneling microscope images
 
1998 epitaxial film growth of the charge density-wave conductor rb0.30 moo3 o...
1998 epitaxial film growth of the charge density-wave conductor rb0.30 moo3 o...1998 epitaxial film growth of the charge density-wave conductor rb0.30 moo3 o...
1998 epitaxial film growth of the charge density-wave conductor rb0.30 moo3 o...
 
1998 characterisation of multilayers by x ray reflection
1998 characterisation of multilayers by x ray reflection1998 characterisation of multilayers by x ray reflection
1998 characterisation of multilayers by x ray reflection
 
1997 sodium doped dimer rows on si(001)
1997 sodium doped dimer rows on si(001)1997 sodium doped dimer rows on si(001)
1997 sodium doped dimer rows on si(001)
 
1997 nucleation of homoepitaxial si chains on si(001) at room temperature
1997 nucleation of homoepitaxial si chains on si(001) at room temperature1997 nucleation of homoepitaxial si chains on si(001) at room temperature
1997 nucleation of homoepitaxial si chains on si(001) at room temperature
 
1997 atomic details of step flow growth on si(001)
1997 atomic details of step flow growth on si(001)1997 atomic details of step flow growth on si(001)
1997 atomic details of step flow growth on si(001)
 
1996 strain in nanoscale germanium hut clusters on si(001) studied by x ray d...
1996 strain in nanoscale germanium hut clusters on si(001) studied by x ray d...1996 strain in nanoscale germanium hut clusters on si(001) studied by x ray d...
1996 strain in nanoscale germanium hut clusters on si(001) studied by x ray d...
 
1996 origin of rippled structures formed during growth of si on si(001) with mbe
1996 origin of rippled structures formed during growth of si on si(001) with mbe1996 origin of rippled structures formed during growth of si on si(001) with mbe
1996 origin of rippled structures formed during growth of si on si(001) with mbe
 
1996 new application of classical x ray diffraction methods for epitaxial fil...
1996 new application of classical x ray diffraction methods for epitaxial fil...1996 new application of classical x ray diffraction methods for epitaxial fil...
1996 new application of classical x ray diffraction methods for epitaxial fil...
 
1996 atomic force microscopy study of (001) sr tio3 surfaces
1996 atomic force microscopy study of (001) sr tio3 surfaces1996 atomic force microscopy study of (001) sr tio3 surfaces
1996 atomic force microscopy study of (001) sr tio3 surfaces
 
1995 mechanism of the step flow to island growth transition during mbe on si(...
1995 mechanism of the step flow to island growth transition during mbe on si(...1995 mechanism of the step flow to island growth transition during mbe on si(...
1995 mechanism of the step flow to island growth transition during mbe on si(...
 
1995 growth mechanisms of coevaporated sm ba2cu3oy thin films
1995 growth mechanisms of coevaporated sm ba2cu3oy thin films1995 growth mechanisms of coevaporated sm ba2cu3oy thin films
1995 growth mechanisms of coevaporated sm ba2cu3oy thin films
 
1994 the influence of dimerization on the stability of ge hutclusters on si(001)
1994 the influence of dimerization on the stability of ge hutclusters on si(001)1994 the influence of dimerization on the stability of ge hutclusters on si(001)
1994 the influence of dimerization on the stability of ge hutclusters on si(001)
 
1994 nucleation and growth of c parallel grains in co-evaporated sm ba2cu3oy ...
1994 nucleation and growth of c parallel grains in co-evaporated sm ba2cu3oy ...1994 nucleation and growth of c parallel grains in co-evaporated sm ba2cu3oy ...
1994 nucleation and growth of c parallel grains in co-evaporated sm ba2cu3oy ...
 
1994 atomic structure of longitudinal sections of a pitch based carbon fiber ...
1994 atomic structure of longitudinal sections of a pitch based carbon fiber ...1994 atomic structure of longitudinal sections of a pitch based carbon fiber ...
1994 atomic structure of longitudinal sections of a pitch based carbon fiber ...
 
1992 schottky barrier formation in conducting polymers
1992 schottky barrier formation in conducting polymers1992 schottky barrier formation in conducting polymers
1992 schottky barrier formation in conducting polymers
 
1990 crystallization kinetics of thin amorphous in sb films
1990 crystallization kinetics of thin amorphous in sb films1990 crystallization kinetics of thin amorphous in sb films
1990 crystallization kinetics of thin amorphous in sb films
 

1987 samenvatting proefschrift electrostatic hyperfine interactions in amorphous intemetallic alloys

  • 1. €lz.cltto'stnl),tchz. hgpuL/-ijn hÍ-ettacLi-e't .in otnon/z inf.une-ta-!-Litch.e lz.geninge'n Electrostatische hyperfijn interacties in amorfe internetallische l-egeriagen Ten gevolge van de wisselwerking van een kern met ziin omgeving verschuj-ven de energieniveaus van de kern. Deze zeer kleine verschuivingen kunnen met behulp van het MUssbauer effect gemeten worden. In principe kunnen we 3 hyperfijn interacties meteni de ísomerie verschuiving, de quadrupool splitsing en het nagnetisch hyperfine veld. De isonerie verschuiving is het gevolg van de wisselwerking tussen de kernlading en de electronendichtheid ter plaatse van de kern. Irlanneer de ladingsverdeling rond de kern symnetrisch is, ontstaat een electrische veldgradÍent op de kern. De quadrupool splitsing meet de wisselwerking tussen deze veldgradj-ent en het quadrupool moment van de kern. Het magnetische hyperfijnveld, tenslotte, wisselwerkt met het magnetiéche moment van de kern. Al-s gevolg van deze interactie vertonen de kernniveaus de zogenaamde Zeeman-splitsing. In het onderzoek dat beschreven wordt in dit proefschrift, hebben we ons geconcentreerd op de twee electrostatische hyperfijn interacties: de isonerie verschuj-ving en de quadrupool splitsing. Als sonde voor de hyperfijn inreracties hebben we de 57F" k".n gebruikt. lJe hebben de M8ssbauer sPectra van een aantal internetallische arnorfe legeringen gemeteo. Onderzocht is welke informatie over de topologische en el-ectronen structuur van anorfe legerin- gen uit de electrostatische hyperfijn interacties verkregen kan worden. In hoofdstuk I geven wij een korte introductie tot de amorfe legerin- gen. In het algemeen kan men stellen dat ze gemaakt worden door een vloeistof- of gas-nengsel zeer snel af te koelen. Hierdoor krijgen zij een vloeistofachti- ge structuur, die zich kennerkt door de afwezigheid van lange afstandsorde. Echter over korte afstanden, d.w.z. enkele atoonafstanden, kan er wel sprake zijn van een zekere nate van ordening. In hoofdstuk 2 beschrijven we de experinentele techniek, waarmee wij de hyperfijn interacties hebben bestudeerd: 57Fe M8ssbauer spêctroscopie; Met nane wordt aandacht besteed aan de evaluatie van de hyperfijn par€rmeters uit de M8ssbauer spectra net behulp van de zogenaamde Fourier deconvolutie nethode. In hoofdstuk 3 wordt een model beschreven voor de isonerie verschui- ving. Met behulp van dit zogenaande Miedema-van der l,loude model kunnen de chemische en volune bijdragen vao de isomerie verschuiving worden onderschei- 95
  • 2. Sanenuolling €lz.cfurc,tLaLi den. Een attractief punt van dit model is, dat de atomen worden beschreven met Ni op de el behulp van bulk parameters. D.w.z. hrat betreft de isomerie verschuiving deerd dat h gedragen de atomen zich a1s zeer k1eíne stukjes macroscopisch metaal. Het door rechtst model wordt geijkt op de isomerie verschuivi-ng van Fe in een aantal kristal- sies zijn i lijne metalen. Vervolgens wordt het toegepast op amorfe Fe-Zr legeringen. electronegat Geconcludeerd wordt dat de atomen in deze legeringen een spanningsvrije pakking vormen. De isomerie verschuiving kan begrepen worden uit de inter- en intra- atoÍnaire Iadingsoverdracht. In hoofdstuk 4 wordt een nodel beschreven voor de quadrupool splitsing in amorfe legeringen. Het is algemeen gebruik om de r{raarden van de quadrupool splitsi-ng in kristallljne en amorfe legeringen met elkaar te vergelijken en daar conclusies omtrent de 1oka1e ordening aan te verbinden. Echter hiermee negeert men de verschillen in de electrostatische structuur van deze legerin- gen. In dit hoofdstuk benadrukken we de betekenis van de geleidingsel-ectronen voor de quadrupool splitsing. M.b.v. compritersimulaties laten we zien dat hun bijdrage ni.et verwaarloosd kan worden. Integendeel, de bijdrage van de gelei- dingselectronen domineert de quadrupool splitsing. Met behulp van het nodel is de quadrupool splitsing in arnorfe Fe-Zr legeringen geanalyseerd. De quadrupool splitsing in de Zr-rijke legerÍngen vertoont een sterke stijging net de Zr-concentratie. Dit gedrag wordt geinterpreteerd a1s het gevolg van verande- ringen in het effectieve aantal vrije electronen per atoom. Tenslotte passen we in hoofdstuk 5 de modellen voor de isomerie verschuivi-ng en quadrupool splitsing toe op amorfe (Fe,Cu)-Zr en Felg(Ni,Zr)9g legeringen. Uit de isomerie verschuiving concluderen ne dat de 1okale orde rond de 57Fe kern gedomineerd wordt door de sterke attractieve interactie tussen Fe en Zr. Met name in de Zr-rijke legeringen konen Ni en Cu niet in de naaste-buren-schil van het Fe voor. Uit de quadrupool splitsing kunnen we conclusies Èrekken over de invloed van Cu en Ni op de electronen structuur. Het bU-jkt dat Cu de electronen structuur rond Fe a11een indirekt beinvloed. De concentratie afhankelijkheid van het effectieve aantal vrije electronen per atoóm wordt door Fe en Zr bepaald. Het Cu verlaagt de ladingsoverdracht van Zr naar Fe, daardoor neeÍrt de bijdrage aan het effectíeve aantal vrije electronen van Zr toe en dat van Fe af. Het aantal onderzochte (Fe,Ni)-Zr legeringen was niet voldoende om gedetailleerde conclusies te trekken omtrent dit effect van 96
  • 3. €LecTttoaÍnLi'tclz hgpe/z/"ijn int,e,rccil,ez in onon/-e )ntenne-Ín-!-U-dch.e. lz.gen-ingen Ni op de el-ectronen structuur in deze legeringen. Toch kan worden geconclu- deerd dat het Ni een meer direkte invl-oed op de electronen structuur heeft door rechtstreeks electronen in de geleidingsband te injecteren. Deze concl-u- sies zijn in overeenstenning net hetgeen nen rnag verwachten op grond van de electronegativiteit en geleidbaarheid van de pure metalen. 97