Dokumen tersebut membahas tentang memori komputer yang terdiri dari flip-flop, register, dan memori. Jenis memori yang dijelaskan adalah SRAM dan DRAM. SRAM menggunakan flip-flop sehingga datanya statis dan lebih cepat, sedangkan DRAM menggunakan kapasitor sehingga memerlukan refresh dan lebih lambat namun memiliki kapasitas lebih besar.

1. Memori

2. Memori
 Flip-flop: memori 1-bit
 Register: memori n-bit, satu lokasi
 Memori: penyimpan data n-bit, m-
lokasi
MSB MSB LSB
LSB 4-bit
0 1 0 1 2
Flip-flop Register m 1 1 1 0 1
0 0 0 1 0
n
Memori m x n

4. RAM (Random Access
Memory)
RAM Merupakan chip yang
menyediakan fungsi penyimpanan
data yang bersifat “dapat dibaca dan
ditulisi”, dan sifat penyimpanannya
sementara (jika catudayanya
ditiadakan, isi RAM hilang)

5. Static RAM (SRAM)
Merupakan RAM yang sel-selnya
menggunakan flip-flop sehingga: (1) datanya
relatif stabil/statis sehingga tidak diperlukan
adanya rangkaian “refresh”, (2) lebih cepat,
(3) kepadatan komponen rendah/kapasitas
kecil, (4) mahal

6. Sel SRAM
SELECT
SELECT
INPUT S
Q OUTPUT INPUT MC OUTPUT
R
RWS
MC: memory cell
RWS
READ/WRITE SELECT
SELECT (CS) RWS MODE
1 0 Write
1 1 Read
0 X INACTIVE

7. Organisasi SRAM: Bentuk 1
A 1 1 0
MC MC MC MC
A 0 0
1
MC MC MC MC
DEKODER
2
MC MC MC MC
3
MC MC MC MC
RWS
CS
IO 3 IO 2 IO 1 IO 0

8. Simbol RAM 4x4-bit: Bentuk 1
A0 I/O 0
Pin Alamat
A1 I/O 1
Pin Data
I/O
RAM 2
4x4-bit I/O 3
RWS
Pin Kontrol
CS
RWS=Read/Write Select
CS=Chip Select, ACTIVE-HIGH

9. Organisasi SRAM: Bentuk 2
A 1 1 0
MC MC MC MC
A 0 0
1
MC MC MC MC
DEKODER
2
MC MC MC MC
3
MC MC MC MC
WE
OE
CE
IO 3
IO 2
IO 1
IO 0

10. Simbol RAM 4x4-bit: Bentuk 2
A0 I/O 0
Pin Alamat
A1 I/O 1
Pin Data
I/O
RAM 2
WE 4x4-bit I/O 3
OE
Pin Kontrol
CE
WE=Write Enable
OE=Output enable jenis ACTIVE-LOW
CE=Chip enable jenis ACTIVE-LOW

11. Cara MP Membaca dan Menulisi RAM
Misal di dalam RAM 8 byte berisi data sebagai berikut:
Alamat Isi (Dalam
Heksadesimal)
0 13
1 FF
2 C4
3 6D
4 FF
5 57
6 FF
7 FF

12. Cara MP Membaca RAM
Mikroprosesor membaca alamat 3 dari RAM 8 byte:
1. Mikroprosesor mengirim sinyal
alamat 3 yakni A2A1A0=011
Tahap I
1
1
A0 D0
1
0
lewat bus alamat ke pin alamat
A1 D1
0
A2 D2
1
1
RAM (tahap I)
D3 Tahap I I
0
D4
RAM D5
1
1
2. Mikroprosesor mengirim sinyal
D6
8 byte D7
0
kontrol CE = 0, OE = 0, dan WE = 1
0
Tahap II 0
OE
untuk mengaktifkan mode baca
CE
1
WE
RAM (Tahap II)
3. Data akan ditempatkan pada bus
data sehingga pada bus data
terdapat data 6D (tahap 3)

13. Cara MP Menulisi RAM
Mikroprosesor menulisi alamat 4 dari RAM 8 byte dengan data A2:
1. Mikroprosesor mengirim sinyal
0 0
alamat 4 yakni A2A1A0=100
Tahap I 0
1
A0
A1
D0
D1
1
0
lewat bus alamat ke pin alamat
A2 D2
D3
D4
0
0 Tahap II RAM (tahap I)
1
RAM D5
0
8 byte
D6
D7
1 2. Mikroprosesor menempatkan
Tahap I I
1
0
OE data A2 pada bus data (tahap II)
CE
0
WE
3. ikroprosesor mengirim sinyal
kontrol CE = 0, OE = 1, dan WE = 0
untuk mengaktifkan mode tulis
RAM (Tahap III)

14. Contoh IC Static RAM Seri 6116
SRAM 2Kbyte
PIN NAMES
A0-A10 Address Inputs
I/O0-I/O7 Data Inputs/Outputs
/CE Active LOW Chip Enable
/OE Active LOW Output Enable
/WE Active LOW Write Enable

15. Dynamic RAM (DRAM)
Merupakan RAM yang sel-selnya
menggunakan kapasitor sehingga: (1)
datanya tidak stabil/dinamis sehingga
diperlukan rangkaian “refresh”, (2) lebih
lambat, (3) kepadatan komponen
tinggi/kapasitas besar, (4) lebih murah

16. Sel DRAM

17. Sel DRAM
C E LL AR R AY
4 x 4

18. Organisasi DRAM
Column address
CAS
latch
A 2 A 3
RAS Column address
decoder
A 0 R/W
A 0 /A Input
2
buffer
CELL ARRAY Din
4x4
decoder
Row address
Row address latch
A 1
CS
A 1 /A 3
Dout
Output
buffer

19. Operasi Read DRAM
 Alamat baris (A1A0) ditempatkan pada pin alamat lewat bus alamat
 Pin RAS diaktifkan agar sinyal-sinyal alamat baris menempati input
dekoder alamat baris.
 Dekoder alamat baris memilih baris data yang diinginkan yang akan
dikirim ke buffer out
 Pin CS dan R/W diaktifkan pada mode read
 Alaman kolom (A3A2) ditempatkan pada pin alamat lewat bus alamat
 Pin CAS diaktifkan untuk menempatkan sinyal alamat pada input
dekoder kolom. Pin ini selalu memberikan Output Enable, setiap sinyal
CAS diberikan
 Data akan ditempatkan pada .Dout
 RAS dan CAS dinonaktifkan untuk melaksanakan operasi berikutnya

20. Operasi Read DRAM
Memori
20

21. Operasi Write DRAM
 Data yang akan disimpan ditempatkan pada Din
 Alamat baris (A1A0) ditempatkan pada pin alamat lewat bus alamat
 Pin RAS diaktifkan agar sinyal-sinyal alamat baris menempati input
dekoder alamat baris.
 Dekoder alamat baris memilih lokasi baris yang akan ditempati data dari
buffer in
 Pin CS dan R/W diaktifkan pada mode write
 Alaman kolom (A3A2) ditempatkan pada pin alamat lewat bus alamat
 Pin CAS diaktifkan untuk menempatkan sinyal alamat pada input
dekoder kolom.
 Data akan ditempatkan pada alamat pada array sesuai yang diinginkan
 RAS dan CAS dinonaktifkan untuk melaksanakan operasi berikutnya

22. RAM 1M X 1
Memori
22

23. DRAM 64K X 1-bit

24. DRAM 64K X 8-bit
Memori

25. KONEKSI DRAM DATA n-bit