Optical microscopy of nanostructures

1. В.В. СтрельчукВ.В. Стрельчук
ОПТИЧНА МІКРОСКОПОПТИЧНА МІКРОСКОПІІЯЯ
НАНОСТРУКТУРНАНОСТРУКТУР
Господь Бог изощрен, но не злонамерен.
(Альберт Эйнштейн)
НанотехноліїНанотехнолії:: нано-оптичні неруйнівні методинано-оптичні неруйнівні методи
дослідженьдосліджень зз просторовимпросторовим розділеннямрозділенням ≈≈ 10 нм.10 нм.

2. ОптичнаОптична спектроскопія наноструктурспектроскопія наноструктур
((квантові ями, квантові нитки і квантові точки)квантові ями, квантові нитки і квантові точки)
Звичайна макро-
спектроскопія
Конфокальна
мікроспектроскопіяСпектроскопія
ближнього поля
Оптична
мікро-спектроскопія
Люмінесценція,
Нано-люмінесценція
Мікро-КРС, Нано-КРС,
підсилене голкою КРС (TERS)
поглинання, відбивання,
фотопровідність і інш.
ЗмістЗміст
Плазмова нано-
спектроскопія (TERS)

3. Нові метрології наноелектронікиНові метрології наноелектроніки

4. Іонна областьІонна область Молекулярна областьМолекулярна область Макромолекулярна областьМакромолекулярна область Мікро-областьМікро-область
Скануючий
тунельний
мікроскоп
Скануючий
електронний мікроскоп
1 нм1 нм 10 нм10 нм 50-100 нм50-100 нм 1000 нм1000 нм
Діаметр нанотрубки
Вірус
Бактерія
Квантова точка
еритроцити
1 нм1 нм 10 нм10 нм 100 нм100 нм 1000 нм1000 нм
Одно-електронний
транзистор
Оптичний мікроскоп
конфокальний мікроскоп
Спектроскопія ближнього поля
Плазмова нано-спектроскопія
Діапазон застосування мікроскопічних методикДіапазон застосування мікроскопічних методик
400 нм400 нм200 нм200 нм
20 нм20 нм
1 нм = 10-9
м в 10 000 разів менше діаметра людської волосини.
Один кубічний нанометр (нм)3
приблизно в 20 разів більше об’єму індивідуального атома.

5. Постулат БораПостулат Бора:: в потенціальній ямі дозволені лише ті траєкторії руху електронав потенціальній ямі дозволені лише ті траєкторії руху електрона
(рівні(рівні енергії) для яких імпульсенергії) для яких імпульс ppnn і ширина ямиі ширина ями LLzz пов'язані співвідношеннямпов'язані співвідношенням::
Рівні енергії в ямі:Рівні енергії в ямі:
2
*
,
*
,
2
2
1
2 





==
L
n
mm
p
E
hehe
n
n
π
n –n – номер квантового стану.номер квантового стану....3,2,1,n, == nLpn π
Просторове обмеження в наноструктурахПросторове обмеження в наноструктурах
CdSCdS CdSeCdSe CdTeCdTe SiSi GG
ee
11
22
33
44
55
00






=
2
2
2
*
dk
Ed
m
 - залежить від кривизни- залежить від кривизни
дисперсіїдисперсії
(матеріалу, типу(матеріалу, типу
частинки та її швидкості)частинки та її швидкості)
)kЕ(

Ефективна масаЕфективна маса
LL = 5= 5 нмнм →→ EE11 = 0.02= 0.02 еВ,еВ,
длядля mm** ≈≈ 0.10.1 mm00,, ((mm00 = 10= 10-27-27
гг))
EE11 = 0.2= 0.2 еВеВ
НапівпровідникНапівпровідник mmcc** mmhh**
GaN 0.2 0.8
CdS 0.2 0.9
CdSe 0.13 0.8
CdTe 0.11 0.35
GaAs 0.07 0.5
Si 0.98 повздовж.
0.19 попереч.
0.52
Ge 1.58 повздовж.
0.08 повздовж.
0.3
Ефективна маса електрона і діркиЕфективна маса електрона і дірки

6. Спектри фотолюмСпектри фотолюміінесценціі нанокристаллівнесценціі нанокристаллів SiSi
.0 збуджgФЛ EEEh −∆+=ν
Зміна Eg (Si) внаслідок
конфайменту в 1, 2 і 3
напрямках..
Довжина хвилі, мкм
Енергія фотонів, еВ
ІнтенсивністьФЛ,відн.од.
Із зменшенням розмірів нанокристаллів Si спектр їхІз зменшенням розмірів нанокристаллів Si спектр їх люмінесценціїлюмінесценції
зсувається у високоенергетичнузсувається у високоенергетичну (короткохвильову) область внаслідок(короткохвильову) область внаслідок
квантового размірногоквантового размірного ефекту (конфайменту)ефекту (конфайменту)
55-6-6 нмнм
3D
1D
2D

7. Інформація про наноматеріали із КРС – і ФЛ-данихІнформація про наноматеріали із КРС – і ФЛ-даних

8.  Діаметр пятнаДіаметр пятна
збудження ~100 мкмзбудження ~100 мкм
 флуктуації розмірів, форми і компонентного складуфлуктуації розмірів, форми і компонентного складу
КТ призводять до неоднорідного уширення смугиКТ призводять до неоднорідного уширення смуги
випромінювання, яке складає ~20÷30 меВвипромінювання, яке складає ~20÷30 меВ
 Густина КТ ~10Густина КТ ~101010
÷10÷101111
смсм-2-2
- одночасно збуджуються- одночасно збуджуються
~10~1066
÷10÷1077
КТКТ

9. Фотолюмінесценція InGaAs КТ
Single quantum dots: fundamentals,
applications and new concepts/ Peter
Michler (Еd.)/ Springer-Verlag, Berlin,
2003.
InGaAs КТ
2К

10. Атомно-подобнАтомно-подобний дискретний спектрий дискретний спектр InAsInAs КТКТ
EE00Eg
Ec
Ev
е2
е1
е0
h0
h1
h2
d
хPhys. stat. sol. (a) 203 (10) (2006) 2403
B. L. Liang, Zh. M. Wang, Yu. I. Mazur, V. V. Strelchuk, and G. J. Salamo
EE11EE22
a
b
c

11. Фотолюмінесценція багатошаровихФотолюмінесценція багатошарових
8х(In8х(InxxGaGa1-x1-xAs(14МШ)/GaAs(70(МШ))As(14МШ)/GaAs(70(МШ))
структур з різноюструктур з різною
концентрацієюконцентрацією
індію в Inіндію в InxxGaGa1-x1-xAs шарах.As шарах.
EEзбзб = 2.41 еВ.= 2.41 еВ.
Енергія, еВ
1 нм1 нм
100 нм100 нм

12. 1.1 1.2 1.3 1.4
1.2 1.3 1.4
2 періода
1177 перідівперідів
1717 періодівперіодів
Еexc=2.32 eV
8 К
xx = 0.30,= 0.30,
ddInGaAsInGaAs = 1= 166..33 МСМС
P = 30P = 30%%
xx = 0.50,= 0.50,
ddInGaAsInGaAs = 5.7= 5.7 МСМС
P = 14P = 14%%
xx = 0.50,= 0.50,
ddInGaAsInGaAs = 9.8= 9.8 МСМС
P =P = 5%5%
Θ+Θ= −
2
]011[
2
]110[ cossin III[ ] [ ] [ ] [ ] )()( 011110011110 IIIIP +−= −−
ФЛФЛ анізотропіяанізотропія InInxxGaGa1-x1-xAs/GaAs(100)As/GaAs(100) наноструктурнаноструктур
1.0
1.0
0.8
1.0
1.0
0.7
1.0
1.0
0.5
Энергия, эВ
Энергия, эВ
1.2 1.3 1.4
Энергия, эВ

13. ωωSiSi--SiSi == 520.2 - 62520.2 - 62xx
ωωSi-GeSi-Ge == 400.5 + 14.2400.5 + 14.2xx
ωωSi-SiSi-Si == 520.2520.2 -- 6262xx –– 815815εε
ωωSi-GeSi-Ge == 400.5400.5 ++ 14.214.2xx -- 575575εε
ωωGe-GeGe-Ge == 282.5282.5 ++ 1616xx -- 385385εε
Tsang et al,Tsang et al, J. Appl. Phys. 75 (12)1994.J. Appl. Phys. 75 (12)1994.
Chen et al,Chen et al, Physical review B, V. 65, 233303Physical review B, V. 65, 233303
КРС: зондування шарів різної глибиниКРС: зондування шарів різної глибини
ДовжинаДовжина
хвилі лазера,хвилі лазера,
нмнм
ГлубинаГлубина
проникненняпроникнення
вв SiSi, нм, нм
ГлубинаГлубина
проникненняпроникнення
вв GeGe, нм, нм
633 3000 32
514 762 19,2
488 569 19
457 313 18,7
325 ~10 ~ 9
244 ~ 6 ~ 7
Підкладка Si
1515 нмнм
11 мкммкм
33 мкммкм ГрадієнтніГрадієнтні
SiGeSiGe шаришари
SiGe буф.шар
Si покрив. шар
325325 нмнм
488488 нмнм
633633 нмнм
785785 нмнм
ЗбудженняЗбудження

14. Е Е Е
2D шар
КТ
Езб
2LO(2D)
2LO(KT)
LO(2D)
ФЛ
Вихідний резонанс Вхідний резонанс
LOзб 20EE ω+=
0EE =зб
D
E2
0
LO2
ω
KT
E0
KT
E0

15. Спектри РКРС і умови збудженняСпектри РКРС і умови збудження
x=0,35
Частота, см-1
x=0
x=0,35
291,7 см-1
266,5см-1
528 см-1 576 см-1
x=0,30
Езб = 1,16 еВ (λзб = 1.06 мкм)

16. x
ТР Inх
Ga1-х
As ВРРД
0.65 234 262.8 2.5 -3 ≈242.4 ≈264
0.25 235.8 282.4 7.3 3.4 – ≈242.4 ≈286.5
like
GaAs
LO
−)(0ω
like
InAs
LO
−)(0ω likeGaAs
екс
LO
−)(
ω
likeInAs
екс
LO
−)(
ω
confω∆eкс
strω∆теор
strω∆
Аналіз компонентногоАналіз компонентного
складу шарівскладу шарів
InInxxGaGa1-x1-xAs/GaAsAs/GaAs
( ) ,28,343,292 2
xxxLO −−=ω
( )yyxxzzstr KK εεεω ++=∆ 1211
~
2
1~
2
1
z
z
L
n
q
π
=

17. ВВиисокосокоііндекснндексніі ((n11n11) п) піідкладкидкладки
(100)(100)
(711)(711) (11.4º)(11.4º)
((5511)11) (15.8º)(15.8º)
((4411)11) (19.5º)(19.5º)
((3311)11) (25.2º)(25.2º)
((1111)11) (54.7º)(54.7º)
AsAs
GaGa
[100]
[011][01-1]
(411)B
(211)B
(311)B
терасса
ступень
[011]

18. ОднорідністьОднорідність InGaAsInGaAs
-наноструктур на-наноструктур на високоіндекснвисокоіндексниихх
GaAs(n11)GaAs(n11) підкладкахпідкладках
511511
911911
100100 Покращення латерального впорядкування і однорідностіПокращення латерального впорядкування і однорідності
розміріврозмірів InGaAsInGaAs КТ !!!КТ !!!
Фур’є перетворення
Т= 8 К
Езб=2,33 еВ
Інтенсивністьфотолюмінесценції
Інтенсивність
ФЛ
Напівширина
ФЛ,меВ
Енергія,еВ
Енергія, еВ Відхилення від (100), град
B.L.Liang, Zh.M.Wang, Yu. I. Mazur, V. V. Strelchuk,.. Nanotechnology 17 (2006) 2736

19. Випромінювальна рекомбінація вВипромінювальна рекомбінація в CdSe/ZnSeCdSe/ZnSe
наноструктурахнаноструктурах
1,5 МШ1,5 МШ3 МШ3 МШ
1,5 МШ1,5 МШ
МікрокатодолюмінесценціяМікрокатодолюмінесценція
CdSe/ZnSe 3,15 МШCdSe/ZnSe 3,15 МШ
10 К
5 К
10 К
еВ31,2max =ФЛ
E
меВ41=Г
еВ58,2max =ФЛ
E
меВ24=Г
меВ21≈∆ стоксE

20. 1,5 МШ1,5 МШ 3,0 МШ3,0 МШ
КРСКРС
CdSe/ZnSCdSe/ZnS
ee
структурструктур
Езб=2,54 еВ Езб=2,41 еВ
Езб=2,54 эВ
Езб=2,41 эВ

21. 2.52 2.56 2.64
0
1.0
0.5
2.28 2.3 2.34
1 2 3 4 5 1 2 3 4 5
Короткочасова ФЛКороткочасова ФЛ
CdSe/ZnSeCdSe/ZnSe структурструктур
Енергія, еВ Енергія, еВЧасзатухання,нс
CdSe
1,5 МШ
CdSe
3,0 МШ
( ){ }0exp1
)(
EEE
E
me
випр
−+
=
τ
τ
,
1111
перенневипрвипрФЛ ττττ
++=

22. Дифракційна межа розділу оптичних приладів
Дифракція в паралельних променях (Фраунгофера)
Зелена крива – розподіл інтенсивності у фокальній
площині (масштаб по х сильно збільшений)
Дифракційне центральне світле пятно
(диск Ейрі) → приймається за точкове
джерело світла радіусом r = 1,22 (λ/D) F
( ≈85% енергії світла)
Дифракція на круглому отворі
Роздільна здатність характеризується не кутовою, а лінійною відстанню між двома
близькорозташованими точками об’єкту, які ще можуть сприйматись окремо.
α
λ
sin
61,0
min
⋅
=
n
r
5,1;1sin;
2
=≈≈ nα
π
α
λ4,0min ≈r

23. Конфокальна мікроскопіяКонфокальна мікроскопія
ЗвичайнийЗвичайний мміікроскопкроскоп – у фотоприймач– у фотоприймач
попадає світло від різних точок зразкапопадає світло від різних точок зразка..
ДіафрагмаДіафрагма покращує контрастпокращує контраст - зменшує- зменшує
вклад від областей зразку поза точкоювклад від областей зразку поза точкою
фокусування.фокусування.
Світлоподільна пластинка спрощуєСвітлоподільна пластинка спрощує
конструкцію мікроскопа.конструкцію мікроскопа.
Роздільна здатністьРоздільна здатність
Конфокальний мікроскопКонфокальний мікроскоп
2
22
65.1
sin
5.1
,88.0
sin
44.0





′==
Θ
=∆
=′
′
=
Θ
=
D
F
NA
n
n
z
nдеF
Dn
r
conf
conf
λ
λλ
λλ
λλ
F
Dn
rresel
λλ ′
=
Θ
= 22.1
sin
61.0
Звичайний мікроскопЗвичайний мікроскоп
Robert H. Webb Rep. Prog. Phys. 59 (1996) 427-471.
1 2
Підвищення контрастуПідвищення контрасту за рахунокза рахунок
аналізу (фокусування) точки збудженняаналізу (фокусування) точки збудження..
3 4
Θ

24. 1
5
2
3
4
Сапфир
GaN/
AlGaN
А1(ИК, КРС) + E1(ИК, КРС) + 2Е2 (КРС) + 2В1 (неакт).
0 5 10 15 20
570,8
571,0
571,2
571,4
ω(Ehigh
2(GaN)),сm-1
I(E
high
2
(GaN) / I (A1g
(s)
3,0
3,2
3,4
3,6
FWHMEhigh
2
(GaN),сm-1
414 416 418 420 422
Інтенсивність,відн.од.
Частота, см
-1
Г=4,1 см
-1
4 1
Al2
O3
підкладка
418,2 to 418,7
СпектрСпектрии конфокального мікро-конфокального мікро-
КРСКРС GaNGaN//GaAlNGaAlN//AlAl22OO33 структуриструктури

25.  1928 р.1928 р. - вперше- вперше
запропонованозапропоновано EE..HH.. SynghSyngh
 11972 р.972 р. -- спостерігалосьспостерігалось EE..AA..
AshAsh вв дослідахдослідах зз
мікрохвилямимікрохвилями
 початокпочаток 80-х80-х роківроків отриманоотримано
розділеннярозділення λλ/20 (/20 (DD..WW.. PohlPohl ,,
ЛабораторіяЛабораторія ІВМ, Цюріх)ІВМ, Цюріх)
Спектроскопія ближнього поляСпектроскопія ближнього поля
поєднує елементи звичайної оптики і скануючої зондовоїпоєднує елементи звичайної оптики і скануючої зондової
мікроскопіїмікроскопії

26. Основи ближньопольової спектроскопіїОснови ближньопольової спектроскопії
PP00 λλ00
2a
2a<<2a<<λλ00 ΙΙEEΙΙ22
= const= const
Проходження світла через отвірПроходження світла через отвір
в екранів екрані діаметромдіаметром 2а2а <<<< λλoo..
Линії постійнної інтенсивності оптичногоЛинії постійнної інтенсивності оптичного
випромінювання поблизу отвору.випромінювання поблизу отвору.
Z < 100 ÅZ < 100 Å –– ближня зонаближня зона в якій електромагнітне поле існує у вигляді еванесцентнихв якій електромагнітне поле існує у вигляді еванесцентних
(стаціонарних) мод локалізованих поблизу діафрагми.(стаціонарних) мод локалізованих поблизу діафрагми.
Z > 100 ÅZ > 100 Å –– дальня зонадальня зона в якій поширюються лише випромінювальні моди.в якій поширюються лише випромінювальні моди.
ДляДля λλ = 500 нм= 500 нм іі 2а = 5 нм2а = 5 нм потужність випромінювання в дальній зоніпотужність випромінювання в дальній зоні Р = 10Р = 10-10-10
PPоо
ВВ результаті взаємодії еванесцентних мод із досліджуваним зразкомрезультаті взаємодії еванесцентних мод із досліджуваним зразком
розміщеним перед отвором у ближній зоні частина енергіїрозміщеним перед отвором у ближній зоні частина енергії
електромагнітного поля перейде у випромінювальні моди, інтенсивністьелектромагнітного поля перейде у випромінювальні моди, інтенсивність
яких реєструється фотоприймачемяких реєструється фотоприймачем..

27. Спектроскопія ближнього поляСпектроскопія ближнього поля
Апертурна і безапертурна ближньопольна спектроскопіяАпертурна і безапертурна ближньопольна спектроскопія
Діаметр світлового пятнаДіаметр світлового пятна ≈≈dd ((h,d <<h,d << λλ))
Схема оптоволоконногоСхема оптоволоконного
ближньопольового зондаближньопольового зонда
Блок-схемаБлок-схема
ближньопольового мікроскопаближньопольового мікроскопа
1.1. Загострене оптичне волокно;Загострене оптичне волокно;
2.2. Металічне покриття;Металічне покриття;
3.3. Випромінювання;Випромінювання;
4.4. Вихідна апертура зонда (Вихідна апертура зонда (d<<d<<λλ););
5.5. Поверхня зразка;Поверхня зразка;
6.6. Відстань між зразком іВідстань між зразком і
апертурою зонда (апертурою зонда (h<<h<<λλ))..
1.1. МікрообМікрооб’’єктив, що працює уєктив, що працює у
відбитому світлі;відбитому світлі;
2.2. МікрообМікрооб’’єктив, що працює уєктив, що працює у
прохідному світлі.прохідному світлі.

28. Проблеми ближньопольноїПроблеми ближньопольної
спектроскопіїспектроскопії
 Низька ефективність освітлення обНизька ефективність освітлення об’’єкта -єкта - ~~1010-6-6
÷10÷10-4-4
від введеного у волокновід введеного у волокно
світла.світла. Інша його частина поглинається металічним покриттям зонду іІнша його частина поглинається металічним покриттям зонду і
нагріває йогонагріває його;;
При потужності випромінювання на кінці зонду ~10 нВт плавиться алюмінієвеПри потужності випромінювання на кінці зонду ~10 нВт плавиться алюмінієве
покриття.покриття.
 розподіл температури в зонді залежить від його мікрогеометрії структурирозподіл температури в зонді залежить від його мікрогеометрії структури
поля при вершині.поля при вершині.
 при зменшені радіусапри зменшені радіуса rr діафрагми швидко спадає детектований сигналдіафрагми швидко спадає детектований сигнал
(I ~(I ~ rr66
).).

29. Мікро і Нано-КРС зображенняМікро і Нано-КРС зображення
КРС зображення однієї вуглецевої нанотрубки (КРС зображення однієї вуглецевої нанотрубки (SWNT).SWNT).
Контраст відповідає локальній інтенсивностіКонтраст відповідає локальній інтенсивності G'G' смуги (2640 смсмуги (2640 см-1-1
))
Anderson et.al.Anderson et.al. J. Am. Chem. Soc. 127 (2005) 2533.J. Am. Chem. Soc. 127 (2005) 2533.

30. Фотонний кристал ізФотонний кристал із PbSePbSe КТКТ:: (a, c, e)(a, c, e) топографія поверхнітопографія поверхні фотонного кристала і оптичнефотонного кристала і оптичне
випромінюваннявипромінювання PbSePbSe КТКТ (b, d, f)(b, d, f) зареєстроване ближньопольною спектроскопієюзареєстроване ближньопольною спектроскопією..
λλ = 632,8= 632,8 нмнм ((He-NeHe-Ne лазер)лазер),, обоб’’єктивєктив Olympus 40x, NA=0.6.Olympus 40x, NA=0.6.
Li J, et.al. OPTICS EXPRESS 14 (2006)10740.Li J, et.al. OPTICS EXPRESS 14 (2006)10740.
АСМ топографія поверхніАСМ топографія поверхні
Ближньопольна спектроскопіяБлижньопольна спектроскопія
випромінюваннявипромінювання PbSePbSe КТКТ
Локалізація екситонів в одній вуглецевій нанотрубціЛокалізація екситонів в одній вуглецевій нанотрубці

31. Локальне підсилення ≈Локальне підсилення ≈ 101033
- 10- 1055
ЛатеральнеЛатеральне розділеннярозділення ≤≤ 5050 нмнм
Нано-КРС = КРС + АСМНано-КРС = КРС + АСМ

32. Підсилене вістрям комбінаційне розсіянняПідсилене вістрям комбінаційне розсіяння
світла (світла (TERS – tip enhancement Raman scatteringTERS – tip enhancement Raman scattering))
КРС вуглецевих нанотрубокКРС вуглецевих нанотрубок::
 А) конфокальне зображення зА) конфокальне зображення з
розділеннямрозділенням ≈≈300нм300нм;;
 В)В) TERSTERS зображення з просторовимзображення з просторовим
розділеннямрозділенням ≈≈20нм20нмПідсилене поле на вістрі голкиПідсилене поле на вістрі голки
у фокальній точці лазерногоу фокальній точці лазерного
пучка локально взаємодіє ізпучка локально взаємодіє із
зразкомзразком..

33. Gucciardi et al., J. Microsc. 209, 228 (2003)Gucciardi et al., J. Microsc. 209, 228 (2003)
Нано-КРС зображенняНано-КРС зображення TCNQTCNQ
АСМ-зображенняАСМ-зображення КРС (1453 смКРС (1453 см-1-1
))
TCNQTCNQ –– tetracyanoquinodimethanetetracyanoquinodimethane crystalcrystal

35. Спасибо за вниманиеСпасибо за внимание

36. InIn0,60,6 GaGa0,40,4 As/GaAsAs/GaAs,, ТТрр = 500= 500 00
ССCdSe/ZnSeCdSe/ZnSe
InAs/GaAs КТ
Ge/SiGe/Si КТКТ
К о н ц е н т р а ц ія ( % )G e
Висотанм()
4
8
1 2
1 4
Л а т е р а л ь н а в ід с т а н ь н м )(
- 4 0 - 3 0 - 2 0 - 1 0 0 1 0 2 0 3 0 4 0
0
5 0
1 0 0
>35% Si
> 65% Ge
MalachiasMalachias A.A.,, et.al. // Phys. Rev.et.al. // Phys. Rev.
Lett.Lett. 9191 (200(20033) 1) 17610176101..
Kegel I., et.al. Phys. Rev. Lett.
85 (2000) 1694.
Peranio N., et.al. Phys. Rev. BPeranio N., et.al. Phys. Rev. B..
6161 ((20002000)) 1601516015..
Rosenauer A.Rosenauer A. at al //at al //
Phys. Rev. B. 61 (2000) 8276.Phys. Rev. B. 61 (2000) 8276.

37. GaAsGaAs
захисний шарзахисний шар
(In,Ga)As КТ(In,Ga)As КТ h ≈ 4-5 нмh ≈ 4-5 нм
GaAs підкладкаGaAs підкладка
GaAs буферGaAs буфер
Змочуючиий шарЗмочуючиий шар
dd ≈≈ 1 нм1 нм
(In,Ga)As/GaAs(In,Ga)As/GaAs
11 22 11 22 2211 11
[001]
[011]
1 2
[011]
~80-85 нм
Спектри КРССпектри КРС InIn0.450.45GaGa0.550.55As/GaAsAs/GaAs
strconfкомпон
КТD
ωωωω ∆+∆+= .
)(2
.exp
анізотропія фононованізотропія фононов
Угол, градус
Интенсивню,отн.ед.
22D-D-змочуючий шар - х ≈ 25%змочуючий шар - х ≈ 25%
Квантові точки - х ≈ 60%Квантові точки - х ≈ 60%