2. Электронно-дырочный переход (или n – p -переход) – это область контакта двух полупроводников с разными типами проводимости.
3.
4.
5.
6.
7.
8. подключим к источнику тока так, что положительный полюс источника соединен с n -областью, а отрицательный – с p -областью, то напряженность поля в запирающем слое возрастает. _ +
18. Электронно-дырочный переход. Транзистор Небольшая пластинка из германия с донорной примесью, т. е. из полупроводника n-типа. В этой пластинке создаются две области с акцепторной примесью, т. е. области с дырочной проводимостью. Основная пластинка обладает проводимостью p -типа, а созданные на ней две области – проводимостью n -типа.
21. Принцип работы: один из двух электронно-дырочных переходов включен в прямом направлении (эмиттерный), а второй – в обратном (коллекторный). Переходы разделены областью базы. Толщина базы измеряется десятыми долями микрометра.
22. Эмиттер впрыскивает (инжектирует) в базу неосновные носители тока, а коллектор «отделяет» их от основных. Так эмиттерный переход управляет током через коллекторный переход.
![Электронно-дырочный переход. ,[object Object],[object Object],[object Object]](https://image.slidesharecdn.com/random-111002095107-phpapp01/85/-1-320.jpg)
