КОМПЛЕКС ДЛЯ ЛЮМИНЕСЦЕНТНОГО АНАЛИЗА МАКРО- И МИКРООБРАЗЦОВ В БЛИЖНЕМ ИНФРАКР...ITMO University
Описаны конструктивные особенности и технические параметры комплекса для характеризации люминесцентных параметров макро- и микрообразцов в ближнем инфракрасном диапазоне спектра. Наряду со стандартной 90°-схемой возбуждения и регистрации люминесценции используется микрофлуориметрическая техника. Проведено сравнение двух типов фотодиодов на основе InGaAs, обсуждаются особенности проведения измерений на примере регистрации спектров инфракрасной люминесценции квантовых точек PbS.
Проведены исследования спектрально-люминесцентных свойств ограненных кристаллов природных сапфиров. В ходе работы образцы подвергались различным методам технологической обработки, которые позволили селективно изменять оптическую плотность сапфиров в определенных спектральных областях. На основе полученных данных были определены наиболее эффективные методики обесцвечивания сапфиров.
КОМПЛЕКС ДЛЯ ЛЮМИНЕСЦЕНТНОГО АНАЛИЗА МАКРО- И МИКРООБРАЗЦОВ В БЛИЖНЕМ ИНФРАКР...ITMO University
Описаны конструктивные особенности и технические параметры комплекса для характеризации люминесцентных параметров макро- и микрообразцов в ближнем инфракрасном диапазоне спектра. Наряду со стандартной 90°-схемой возбуждения и регистрации люминесценции используется микрофлуориметрическая техника. Проведено сравнение двух типов фотодиодов на основе InGaAs, обсуждаются особенности проведения измерений на примере регистрации спектров инфракрасной люминесценции квантовых точек PbS.
Проведены исследования спектрально-люминесцентных свойств ограненных кристаллов природных сапфиров. В ходе работы образцы подвергались различным методам технологической обработки, которые позволили селективно изменять оптическую плотность сапфиров в определенных спектральных областях. На основе полученных данных были определены наиболее эффективные методики обесцвечивания сапфиров.
ЛАЗЕРНАЯ ГИБКА ТОНКОЛИСТОВЫХ ДЕТАЛЕЙ ИМПУЛЬСНЫМ ИЗЛУЧЕНИЕМITMO University
Проанализирован процесс лазерной гибки тонколистовых изделий. Экспери- ментально показано, что угол изгиба может быть изменен в широких пределах в зависимости от режима лазерной обработки.
Машина Атвуда
Маятник Максвелла
Математический и оборотный маятники
Крутильный маятник
Маятник Обербека
Наклонный маятник
Столкновение шаров
Гироскопы
Определение скорости звука в воздухе
Определение коэффициента вязкости воздуха
Определение показателя адиабаты для воздуха
Определение электрического сопротивления
Определение электроемкости конденсатора с помощью баллистического гальванометра
Изучение резонанса в электрическом колебательном контуре
Определение горизонтальной составляющей напряженности магнитного поля земли
Исследование магнитного поля соленоида
Изучение процессов установления тока при разрядке и зарядке конденсатора
Определение периода релаксационных колебаний при помощи электронного осциллографа
Бипризма Френеля
Кольца Ньютона
Характеристики призмы и дифракционной решетки
О ВОЗМОЖНОСТИ СПЕКТРОСКОПИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ ПРОЦЕССА ЛАЗЕРНОЙ ОЧИСТКИITMO University
Приведены результаты использования метода спектроскопии лазерного факела для контроля качества очистки поверхностей. Предложена схема модельного эксперимента по определению коэффициента дезактивации с использованием нерадиоактивных изотопов наиболее часто встречающихся радиоактивных за- грязнений.
1. МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ УКРАИНЫ
Управление образования и науки Донецкой области
Донецкое территориальное отделение МАН Украины.
Отделение: физики и астрономии
Секция: экспериментальная физика
«Получение тонких пленок и исследование их
оптических и электрических свойств».
1
2. Автор научной работы :
Ивко Денис Тарасович
Ученик 11-в класса Красноармейского
УВК
Научный руководитель:
Лакуста Маргарита Валериевна
Учитель физики Красноармейского УВК
Научный консультант:
Чертопалов Сергей Васильевич
Старший научный сотрудник кафедры
нанофизики Донецкого национального
университета.
3. • Объект научно-исследовательской
работы: получение проводниковых и
фуллеритовых тонких пленок и
исследование их электрических и
оптических свойств.
• Предмет научно-исследовательской
работы: изучение и использование
методов получения тонких пленок.
Изучение и применение методов
исследования оптических и
электрических свойств полученных
образцов.
3
4. Цели научной работы:
• Изучить теоретические основы термического и
магнетронного распыления.
• Ознакомиться с устройством и принципами
работы установки для нанесения покрытий
термическим и магнетронным методами.
• Получить пленки Cu, C60 термическим методом
распыления.
• Рассчитать толщины покрытия, полученных
методом термического распыления образцов.
• Определить ширину запрещенной зоны для C60.
• Изучить электрические и оптические свойства
пленок Cu, C60.
4
5. Для достижения цели были решены такие
задачи:
1. Изучили и обработали литературу по методике
получения тонких пленок в вакууме.
2. Ознакомились с устройством и принципами
работы установки для нанесения покрытий
термическим и магнетронным методами.
3. Получили пленки Cu, C60 термическим методом
при помощи установки ВУП-5М.
4. Измерили толщины пленок Cu, C60 на
микроинтерферометре МИИ4.
5. Исследовали электрические и оптические
свойства пленок Cu, C60 и определили ширину
запрещенной зоны для C60 при помощи
спектрофотометра СФ-4 с ПЗО.
5
7. Методика получения тонких пленок
Плёнки фуллерита, меди были получены методом
термического осаждения в вакууме в установке ВУП-5М.
Рис.1
Схема напыления образца
(1-испаряемое вещество;
2-нагреватель испаряемого
вещества; 3-нагреватель
подложки;
4-заслонка; 5- подложка;
6-испаритель металла)
Рис. 1 Схема напыления образцов 7
8. Параметры процесса получения образцов.
1. Напыление пленки С60 на стекло происходило при:
времени напыления 1 час; остаточное давление в камере
составляло – - 1,4*10-5 Торр с температурой подложки
(стекла)- 160 0С и температурой испарителя фуллерена – 550
0
С при расстоянии от фуллерена до подложки 120 мм.
Толщина пленки: 196 нм; 320 нм.
2.Напыление пленки Cu на стекло:
при времени напыления – 2 мин, остаточное давление в
камере составляло - 1,2 *10-5 Торр, температура
подложки(стекло)- 150C на расстоянии от испарителя(Cu) до
подложки – 100 мм. Толщина пленки Н= 72 нм
8
9. В данной работе также изучен
магнетронный метод получения
тонких пленок
9
12. После проведенных измерений на СФ-4 с
ПЗО, мы получили такие результаты
Alfa
0,07
0,06
-1
0,05
α,nm
0,04
0,03
1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 2,8 3,0 3,2
Photon Energy nm
Рис. 4 График зависимости коэффициента поглощения α nm от энергии для Cu
12
13. 1,0
Alfa (45grad)
0,8
-1
α, nm0,6
0,4
0,2
0,0
1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
Photon Energy, eV
Рис. 5 График зависимости коэффициента поглощения α nm от энергии
для С60
13
14. Для пленки меди происходит
экранировка излучения
• Рис. 6 График зависимости коэффициента пропускания для Cu
14
15. График зависимости коэффициента
поглощения α от энергии для пленки С60.
по закону Бугера-Ламберта
T=(1-R)2 exp(-αd)
120 Alfa^2 zel1 (45grad 205,5nm)
1 (1 − R ) 2
α = ln
100
80
d T
-2
60
α ,nm
2
40
Т-коэффициент пропускания
20 R-коэффициент отражения
0
d-толщина пленки
1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
α-коэффициенте поглощения
Photon energy,eV
Рис. 7
15
16. Выводы.
• В ходе данной работы были изучены физические принципы,
лежащие в основе работы установки для нанесения
покрытий термическим и магнетронным методами.
• Была проделана экспериментальная работа, в ходе которой
были получены пленки Cu, C60, осажденные на аморфное
стекло с помощью установки ВУП-5М.
• Были измены спектральные характеристики: коэффициент
пропускания (Т) и коэффициент отражения (R) и
рассчитаны α(Е) для пленок Cu, C60, при 45 градусах на
спектрофотометре СФ- 4
• Для пленки Cu происходит экранировка излучения медной
пленкой.
• Для пленки C60 с помощью построенного графика α(Е) была
определена ширина запрещенной зоны Е=2,25 eВ.
16
20. Спектральная зависимость собственной проводимости
Спектр поглощения представляет собой непрерывную
кривую, более или менее круто спадающую в области
больших длин волн.
20