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Memristori flessibili
By cntrone
Created 27/10/2010 - 18:56
Alcuni ricercatori Sud Coreani hanno recentemente realizzato memristori attraverso l'utilizzo di
ossido di grafene su substrato in plastica.
Cosa è un memristore
Il memristorefa parte ormai dei quattro elementi passivi fondamentali (condensatori, resistori, induttori ed
appunto memristori).Il principio di funzionamento di questo dispositivo nanometrico consiste nel 'ricordare'
in termini di resistività la corrente che lo attraversa anche una volta che la stessa corrente smette di fluire.
Già
nel
1971
Leon
Chua
dell'University
of
California,
Berkeley,
predisse
l'esistenza
di
un
quarto
elemento,
ma
soltanto
due
anni
fà
HP
riusci

2. a
produrre
una
memoria
RAM
resistiva
basata
sui
memristori.
L'utilizzo
di
memristori
come
memorie
resistive
è
attualmente
la
prospettiva
più
convincente.
Infatti
si
ottengono
RAM
con
grandi
capacità
in
grado
di
mantenere
l'informazione
anche
dopo
che
l'alimentazione
viene
spenta.
Ad
esempio
i
computer
potranno
essere
accesi
senza
boot
di

3. sistema
ed
essere
pronti
all'uso
immediatamente.
Il
memristore
prodotto
da
HP
è
costituito
in
sostanza
da
due
array
di
piste
metalliche
parallele
divise
da
un
film
sottile
di
diossido
di
titanio
(TiO_2)
e
posizionate
in
modo
che
siano
perpendicolari
fra
loro
a
formare
una
matrice.
Ogni
punto
di
incrocio

4. rappresenta
un
memristore.
Con
le
tecnologie
in
posseso
si
riescono
a
fabbricare
RRAM
a
grande
densità
(il
singolo
memristore
ha
una
grandezza
circa
sette
volte
inferiore
del
più
piccolo
transistore
MOS).
Già nel 1971 Leon Chua dell'University of California, Berkeley, predisse l'esistenza di un quarto elemento,
ma soltanto due anni fà HP riusci a produrre una memoria RAM resistiva basata sui memristori. L'utilizzo di
memristori come memorie resistive è attualmente la prospettiva più convincente. Infatti si riescono ad
ottenere RAM con grandi capacità in grado di mantenere l'informazione anche dopo che l'alimentazione
viene a mancare. Ad esempio i computer potranno essere accesi senza boot di sistema ed essere pronti
all'uso immediatamente.
Il dispositivo prodotto da HP è costituito in sostanza da due array di piste metalliche parallele divise da un
film sottile di diossido di titanio (TiO_2) e posizionate in modo che siano perendicolari fra loro a formare
una matrice. Ogni punto di incrocio rappresenta un memristore. Con le tecnologie in possesso si riescono
a fabbricare RRAM a grande densità (il singolo memristore ha una grandezza circa sette volte inferiore del
più piccolo transistore MOS).

5. La novità
I ricercatori Sud Coreani hanno realizzato qualcosa di diverso. Utilizzando le stesse geometrie, hanno
sostituito il diossido di titanio con l'ossido di grafene e posizionato il tutto su un supporto in plastica
ottenendo 25 memristori ogni 50 ?m di larghezza. Il risultato è un dispositivo 1000 volte più grande ma con
il vantaggio di essere flessibile e soprattutto economico.
Il ciclo di vita è stimato essere simile a quello delle attuali memorie flash, ovvero può passare dallo stato di
'on' ad 'off' e viceversa per circa 100.000 volte anche se ci sono buone prospettive per incrementare tale
valore ad un milione.
Saranno memoria economiche, flessibili, con bassi consumi di potenza e facili da fabbricare. Le ricerche
continuano a spingere su questi nuovi dispositivi e nell'arco di pochi anni potremmo già vedere qualcosa sul
mercato.
Tecnologia memristori ossido di grafene RRAM
EMCelettronica Srl - P.iva 06433601009
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