1. GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ
Page 47
b. Kết cấu CB:
Đặc tuyến vào:   constCBBEE UUfI 
Do JE phân cực thuận nên đặc tuyến vào có dạng giống với đặc tuyến của
diode khi phân cực thuận. Khi UBE=const, UCB tăng, phân cực ngược tăng, vùng
nghèo Jc rộng ra, khoảng cách hiệu dụng giữa 2 miền JE và Jc giảm nên dòng IE
tăng.
Đặc tuyến ra:   constECBC IUfI 
Do constIE  , EC II  nên khi thay đổi UCB thì dòng CI thay đổi
không đáng kể. Một điểm khác biệt đó là khi UCB giảm tới 0 nhưng dòng Ic chưa
giảm tới 0. Đó là do khi UCB=0, bản thân chuyển tiếp Jc vẫn còn điện thế tiếp
xúc, chính điện thế tiếp xúc này đã cuốn các hạt dẫn từ Base sang miền Collector
nên dòng CI vẫn có giá trị khác 0. Để dòng 0CI , chuyển tiếp Jc phải được
phân cực thuận, khi đó Transistor chuyển sang hoạt động trong chế độ bão hòa.
Điều đáng chú ý là khi IE=0 nhưng vẫn có thành phần dòng rò ICE0 nên 0CI .
c. Kết cấu CC:
Đặc tuyến vào:   constUUfI CECBB 
Do khi Transistor hoạt động trong chế độ khuếch đại, điện áp UBE luôn
giữ không đổi (UBE=0,7V đối với Si và 0,3V đối với Ge). Nên UCB=UCE-
UBE=const, UCB không phụ thuộc vào IB.
Đặc tuyến ra:   constBCEE IUfI  Do EC II  nên đặc tuyến ra trong
trường hợp này có dạng giống với đặc tuyến ra trong trường hợp CE.
UCB(V)
UCE1
UCE2>UCE1
IB(μA)
0
IE(mA)
UCE(V)
IB=150μA
125μA
100μA
IB=0
Hình 19. Đặc tuyến vào và đặc tuyến ra của kết cấu CC