SlideShare a Scribd company logo
Казанский государственный технический университет им. А.Н. Туполева
Факультет технической кибернетики и информатики
Направление 210200 «Проектирование и технология электронных средств»
Дисциплина «Информационные технологии электромагнитной совместимости ЭС»

Лекция №3 « Природа электромагнитных влияний »

Автор - Чермошенцев С.Ф.

Казань 2008
Природа электромагнитных влияний

1.Природа электромагнитных влияний и пути их передачи.
2.Источники электромагнитных помех.
3.Электрически «короткие» и «длинные» линии связи. Погонные задержки
сигналов в межсоединениях: кабель, витая пара, плоский кабель, проводник МПП и т.д.
4.Методы повышения ЭМС устройств ЭС.
5.Методы конструирования межсоединений СБИС и МПП для повышения ЭМС.
6.Рекомендации по снижению уровней электромагнитных помех.
1. Природа электромагнитных влияний и пути их
передачи.

Модель электромагнитного влияния, показанная на рис. 1.1, имеет ограниченное
значение. Чтобы иметь возможность целенаправленно спланировать ЭМС системы,
должны быть известны:
– электромагнитная обстановка (характеризующаяся амплитудными значениями
напряжений и токов источника помех, напряженностями поля, частотными спектрами,
крутизной фронтов);
механизм связи, например, характеризующийся коэффициентами затухания или
передаточными функциями;
восприимчивость, или чувствительность приемника помех, характеризующаяся
пороговыми значениями помех в частотной и временной областях.
В то время как источники и приемники помех сравнительно легко могут быть
охарактеризованы посредством измерения их излучений или пороговых значений
помех, идентификация включенных между ними механизмов связи требует хорошего
понимания теории электромагнитного поля, электротехники, и большого опыта в
области

практической

предусмотренных

схемотехники.

конструктором

путях

Речь

часто

передачи,

идет о паразитных, не

например,

через

емкости

и

индуктивности, которые часто проявляются лишь в виде вызванных ими электрических
влияний.
В зависимости от среды распространения и удаления от источника помехи
достигают приемного электрического контура различными путями и их комбинациями. К
примеру, электромагнитные помехи называют поступающими по проводам, если они
проникают в приемник через одну или несколько линий, подходящих к приемнику, либо
через пассивные элементы. Токи, текущие по оплетке кабелей, и цепь питания
обусловливают гальваническую связь (рис. 1.8). Между передатчиком помехи и
приемником энергия помехи может переноситься посредством связи через поле или
излучения. Так, электромагнитное влияние может возникнуть в токовом контуре, но
затем распространиться в виде электромагнитного поля или излучения и, наконец,
появиться в проводах других контуров как помеха.
2. Источники электромагнитных помех.

Источники электромагнитных помех могут быть естественного или искусственного
происхождения. Первые мы должны принять как данные природой, последними можно
управлять путем дисциплинированного использования электромагнитного спектра и
местного ограничения преднамеренно излучаемой электромагнитной энергии. В
зависимости от того, возникают ли электромагнитные влияния при преднамеренном
производстве и применении электромагнитных волн или они являются паразитными и
имеют мало общего с первичной функцией источника, различают функциональные и
нефункциональные источники помех.
Рис. 1.8. Механизмы связи электромагнитных влияний
Функциональные источники – это прежде всего радио- и телепередатчики, которые
распространяют электромагнитные волны через передающие антенны в окружающую
среду в целях передачи информации. К этой группе относятся также все устройства,
которые излучают электромагнитные волны не для коммуникативных целей, например,
генераторы высокой частоты для промышленного или медицинского применения,
микроволновые печи, устройства радиоуправления и т.д.
Нефункциональные источники – автомобильные устройства зажигания, сварочное
оборудование, электрический транспорт, проводные линии и компоненты электронных
узлов, электрические разряды, коммуникационные процессы в сетях высокого напряжения,
разряды статического электричества, быстроменяющиеся напряжения и токи при
технологическом использовании мощных импульсов и т.д.
Источники электромагнитной энергии классифицируются по картине их проявления в
диапазоне частот, иными словами, по излучаемому ими высокочастотному спектру.
Различают узкополосные и широкополосные источники (рис. 1.9). Сигнал считается
широкополосным, если
его
спектр простирается на ширину полосы, большую, чем
ширина полосы определенной приемной системы, и узкополосным, если его спектр (ширина
спектральной линии) меньше ширины полосы приемника.
3. Электрически «короткие» и «длинные» линии связи.
Погонные задержки сигналов в межсоединениях:
кабель, витая пара, плоский кабель, проводник МПП и
т.д.
При анализе электромагнитных процессов в межсоединениях ЭС обычно
различают электрически «короткие» и электрически «длинные» линии связи.
Классификация
линии tз

эта

основана

на

соотношении между задержкой сигнала в

и длительностью фронта импульса tфр. При tфр>>tз межсоединения

определяют как электрически "короткие" с
tз>>tфр рассматривают

как

"длинные"

сосредоточенными параметрами, а при
линии

с

распределенными

параметрами. Однако чаще для оценки электрической длины пользуются более
конкретными соотношениями: если выполняется условие
2tз > (0,3 - 0,4)tфр,

(1.1)

то линия электрически "длинная". В противном случае линия электрически
"короткая".
Соотношение (1.1) выполняется для межсоединений, размещенных в слоях
металлизации СБИС и в линиях связи между СБИС в МПП. В табл. 3 [108, 189]
приведены погонные задержки сигналов для некоторых распространенных видов
межсоединений ЭС.
Таблица 3

Погонные задержки сигналов для некоторых видов межсоединений
Вид межсоединения

Погонная задержка, нс/м

Одиночный проводник

3,3

Коаксиальный кабель РК

5,2

Коаксиальный кабель ИКМ

4,5

Витая пара

6,0

Плоский кабель

5,0

Проводник МПП

5,9
4. Методы повышения ЭМС устройств ЭС.

Традиционно [162, 329] приводятся три группы методов повышения ЭМС ЭС на
ИС:
1. Методы

усовершенствования

ЭС

в

процессе

их проектирования и

изготовления. При этом решаются две основные задачи:
а) повышение устойчивости элементов ЭС к электромагнитным помехам;
б) уменьшение

амплитуды

и

длительности

электромагнитных помех,

создаваемых самими элементами ЭС при переключении.
2. Методы

конструирования

межсоединений,

монтажа и компоновки ЭС,

обеспечивающие уменьшение уровня перекрестных помех, малые отражения сигналов
от несогласованных нагрузок и неоднородностей, малое затухание и искажение
полезного сигнала при включении распределенных вдоль линии нагрузок, уменьшение
паразитных связей между схемами через цепи питания и заземления и т. д. В основе
этих методов конструирования ЭС

лежит

рациональная разводка

конструктивов с учетом помехоустойчивости применяемых элементов.

топологии
Уровень электромагнитных помех в конструктивах снижают с помощью введения
экранирующих плоскостей между сигнальными слоями, одновременно выполняющих
роль шин земли. Конструкция межсоединений выбирается такой, чтобы их волновое
сопротивление по величине было ближе к входным и выходным сопротивлениям
применяемых элементов схем.
3. Методы
Запись

стробирования схем в процессе обработки информации в ЭС.

информации

производится

в

конце каждого такта после завершения

переходных электромагнитных процессов. При этом резко уменьшается вероятность
ложного срабатывания.
К этой же группе относятся структурные методы повышения помехоустойчивости.
В них вводятся дополнительные

логические связи или проводится 2 – 3-кратное

решение задачи с последующим сравнением результатов.

Однако

методы

группы уменьшают быстродействие и увеличивают число элементов схем в ЭС.

этой
5. Методы конструирования межсоединений СБИС и МПП для
повышения ЭМС.
6. Рекомендации по снижению уровней электромагнитных
помех.

Рекомендации
1.

ориентированы на снижение уровней электромагнитных помех:

шаг размещения параллельно расположенных проводников должен составлять для
двухслойной

платы

2,5-3,75

мм,

а

для

МПП

1,25-2,5

мм

(ТТЛ ИС);
2.

сигнальные

проводники

в

смежных

слоях

размещают

под

углом

90

или 450;
3.
4.

Методы конструирования межсоединений ЭС
значение допустимой длины двух параллельных сигнальных межсоединений
ограничивать
проводников

56 – 85 мм
больше

двух,

(ИС
то

серии

531),

приемлемое

а

если

значение

число параллельных
длины

параллельных

проводников выбирать меньше 1/3 их критической длины;
5. нагрузочные резисторы устанавливать на расстоянии до 5–7 см от передающей
микросхемы (ИС серии 500);
6. при длинах межсоединений более 10 см необходимо использовать только
согласованные линии связи (ИС серии 500);
7.

микросхемы должны монтироваться на МПП, имеющие специально выделенные
сетчатые или сплошные слои земли, основного и вспомогательного питания (ИС
серии 500 и 1500);

8.

выдерживать постоянное волновое сопротивление

межсоединения на всем

протяжении, во всех конструктивных модулях, по которым проходит данная связь
(ИС серии 1500);
9.

применять параллельное согласование линий связи резисторами в 50 Ом (ИС серии
1500).

Очевидно, что подобные рекомендации по обеспечению ЭМС, несомненно, полезны
при проектировании межсоединений на конструктивных модулях ЭС, но они не
описывают все возможные варианты защиты от электромагнитных помех и требуют
вначале проведения больших экспериментальных исследований. Рекомендации
также не гарантируют отсутствия опасных уровней электромагнитных помех в
конструктиве, не позволяют оценить величины возможных помех и, следовательно,
осуществить прогноз работоспособности проектируемого ЭС. Для создания же
оптимальной

конструкции

межсоединения, цифрового узла и ЭС необходимо

проводить анализ в каждом конкретном случае.
Контрольные вопросы:

1. Что должно быть известно при целенаправленном планировании ЭМС
системы?
2. Поясните природу электромагнитных влияний и пути их передачи.
3. Назовите механизмы связи электромагнитных влияний.
4. Поясните классификацию источников электромагнитных помех.
5. Поясните смысл термина электрически «короткие» и «длинные» линии
связи.
6. Приведите примеры погонных задержек сигналов в конкретных видах
межсоединений ЭС.
7. Охарактеризуйте методы повышения ЭМС ЭС?
8. Поясните методы конструирования межсоединений в ЭС на конструктивных
моделях типа СБИС и МПП для повышения ЭМС.
9. Перечислите рекомендации по проектированию межсоединений в МПП.
10. Назовите рекомендации по проектированию МПП на элементах серии К1500.

More Related Content

Viewers also liked

презентация 7
презентация 7презентация 7
презентация 7student_kai
 
презентация к лаб.раб. 5
презентация к лаб.раб. 5презентация к лаб.раб. 5
презентация к лаб.раб. 5student_kai
 
презентация 19
презентация 19презентация 19
презентация 19student_kai
 
лекция№4
лекция№4лекция№4
лекция№4student_kai
 
презентация 3
презентация 3презентация 3
презентация 3student_kai
 
презентация 13
презентация 13презентация 13
презентация 13student_kai
 
ст лекция 5
ст лекция 5ст лекция 5
ст лекция 5student_kai
 
презентация 25
презентация 25презентация 25
презентация 25student_kai
 
презентация 2
презентация 2презентация 2
презентация 2student_kai
 
презентация лекции №13
презентация лекции №13презентация лекции №13
презентация лекции №13student_kai
 
презентация лекции №8
презентация лекции №8презентация лекции №8
презентация лекции №8student_kai
 
лабораторная работа №4
лабораторная работа №4лабораторная работа №4
лабораторная работа №4student_kai
 
Evaluacion del desempeño
Evaluacion del desempeñoEvaluacion del desempeño
Evaluacion del desempeñoYsabel Flores
 

Viewers also liked (20)

презентация 7
презентация 7презентация 7
презентация 7
 
презентация к лаб.раб. 5
презентация к лаб.раб. 5презентация к лаб.раб. 5
презентация к лаб.раб. 5
 
лекция1
лекция1лекция1
лекция1
 
лекция 4
лекция 4лекция 4
лекция 4
 
презентация 19
презентация 19презентация 19
презентация 19
 
лекция№4
лекция№4лекция№4
лекция№4
 
презентация 3
презентация 3презентация 3
презентация 3
 
презентация 13
презентация 13презентация 13
презентация 13
 
ст лекция 5
ст лекция 5ст лекция 5
ст лекция 5
 
презентация 25
презентация 25презентация 25
презентация 25
 
презентация 2
презентация 2презентация 2
презентация 2
 
презентация лекции №13
презентация лекции №13презентация лекции №13
презентация лекции №13
 
презентация лекции №8
презентация лекции №8презентация лекции №8
презентация лекции №8
 
лекция3
лекция3лекция3
лекция3
 
лабораторная работа №4
лабораторная работа №4лабораторная работа №4
лабораторная работа №4
 
cvw250
cvw250cvw250
cvw250
 
hcii-info-packet
hcii-info-packethcii-info-packet
hcii-info-packet
 
Types of Contract
Types of ContractTypes of Contract
Types of Contract
 
Office politics
Office politicsOffice politics
Office politics
 
Evaluacion del desempeño
Evaluacion del desempeñoEvaluacion del desempeño
Evaluacion del desempeño
 

Similar to лекция 3

2. моделирование помех
2. моделирование помех2. моделирование помех
2. моделирование помехstudent_kai
 
электромагнитная совместимость в электроэнергетике
электромагнитная совместимость в электроэнергетикеэлектромагнитная совместимость в электроэнергетике
электромагнитная совместимость в электроэнергетикеИван Иванов
 
Растровая электронная микроскопия
Растровая электронная микроскопияРастровая электронная микроскопия
Растровая электронная микроскопияTengiz Sharafiev
 
3.6. курс лекций афу
3.6. курс лекций афу3.6. курс лекций афу
3.6. курс лекций афуGKarina707
 
637.теоретические основы электротехники лабораторный практикум
637.теоретические основы электротехники лабораторный практикум637.теоретические основы электротехники лабораторный практикум
637.теоретические основы электротехники лабораторный практикумefwd2ws2qws2qsdw
 
637.теоретические основы электротехники лабораторный практикум
637.теоретические основы электротехники лабораторный практикум637.теоретические основы электротехники лабораторный практикум
637.теоретические основы электротехники лабораторный практикумivanov1566353422
 

Similar to лекция 3 (20)

лекция 23
лекция 23лекция 23
лекция 23
 
2. моделирование помех
2. моделирование помех2. моделирование помех
2. моделирование помех
 
лекция 2
лекция 2лекция 2
лекция 2
 
лекция 26
лекция 26лекция 26
лекция 26
 
лекция 21
лекция 21лекция 21
лекция 21
 
лекция 15
лекция 15лекция 15
лекция 15
 
лекция 17
лекция 17лекция 17
лекция 17
 
лекция 10
лекция 10лекция 10
лекция 10
 
лекция 24
лекция 24лекция 24
лекция 24
 
электромагнитная совместимость в электроэнергетике
электромагнитная совместимость в электроэнергетикеэлектромагнитная совместимость в электроэнергетике
электромагнитная совместимость в электроэнергетике
 
3. эср
3. эср3. эср
3. эср
 
лекция 11
лекция 11лекция 11
лекция 11
 
6991
69916991
6991
 
Растровая электронная микроскопия
Растровая электронная микроскопияРастровая электронная микроскопия
Растровая электронная микроскопия
 
3.6. курс лекций афу
3.6. курс лекций афу3.6. курс лекций афу
3.6. курс лекций афу
 
Tevn mie
Tevn mieTevn mie
Tevn mie
 
637.теоретические основы электротехники лабораторный практикум
637.теоретические основы электротехники лабораторный практикум637.теоретические основы электротехники лабораторный практикум
637.теоретические основы электротехники лабораторный практикум
 
637.теоретические основы электротехники лабораторный практикум
637.теоретические основы электротехники лабораторный практикум637.теоретические основы электротехники лабораторный практикум
637.теоретические основы электротехники лабораторный практикум
 
лекция 19
лекция 19лекция 19
лекция 19
 
29876ip
29876ip29876ip
29876ip
 

More from student_kai

презентация
презентацияпрезентация
презентацияstudent_kai
 
презентации продолжение банкета
презентации продолжение банкетапрезентации продолжение банкета
презентации продолжение банкетаstudent_kai
 
основы программирования на языке C
основы программирования на языке Cосновы программирования на языке C
основы программирования на языке Cstudent_kai
 
презентация курсовой работы
презентация курсовой работыпрезентация курсовой работы
презентация курсовой работыstudent_kai
 
лекция№34
лекция№34лекция№34
лекция№34student_kai
 
лекция№32
лекция№32лекция№32
лекция№32student_kai
 
лекция№33
лекция№33лекция№33
лекция№33student_kai
 
лекция№31
лекция№31лекция№31
лекция№31student_kai
 
лекция№30
лекция№30лекция№30
лекция№30student_kai
 
лекция№29
лекция№29лекция№29
лекция№29student_kai
 
лекция№28
лекция№28лекция№28
лекция№28student_kai
 
лекция№27
лекция№27лекция№27
лекция№27student_kai
 
лекция№26
лекция№26лекция№26
лекция№26student_kai
 
лекция№25
лекция№25лекция№25
лекция№25student_kai
 
лекция№25
лекция№25лекция№25
лекция№25student_kai
 
лекция№24
лекция№24лекция№24
лекция№24student_kai
 
лекция№23
лекция№23лекция№23
лекция№23student_kai
 
лекция№22
лекция№22лекция№22
лекция№22student_kai
 
лекция№21
лекция№21лекция№21
лекция№21student_kai
 
лекция№20
лекция№20лекция№20
лекция№20student_kai
 

More from student_kai (20)

презентация
презентацияпрезентация
презентация
 
презентации продолжение банкета
презентации продолжение банкетапрезентации продолжение банкета
презентации продолжение банкета
 
основы программирования на языке C
основы программирования на языке Cосновы программирования на языке C
основы программирования на языке C
 
презентация курсовой работы
презентация курсовой работыпрезентация курсовой работы
презентация курсовой работы
 
лекция№34
лекция№34лекция№34
лекция№34
 
лекция№32
лекция№32лекция№32
лекция№32
 
лекция№33
лекция№33лекция№33
лекция№33
 
лекция№31
лекция№31лекция№31
лекция№31
 
лекция№30
лекция№30лекция№30
лекция№30
 
лекция№29
лекция№29лекция№29
лекция№29
 
лекция№28
лекция№28лекция№28
лекция№28
 
лекция№27
лекция№27лекция№27
лекция№27
 
лекция№26
лекция№26лекция№26
лекция№26
 
лекция№25
лекция№25лекция№25
лекция№25
 
лекция№25
лекция№25лекция№25
лекция№25
 
лекция№24
лекция№24лекция№24
лекция№24
 
лекция№23
лекция№23лекция№23
лекция№23
 
лекция№22
лекция№22лекция№22
лекция№22
 
лекция№21
лекция№21лекция№21
лекция№21
 
лекция№20
лекция№20лекция№20
лекция№20
 

лекция 3

  • 1. Казанский государственный технический университет им. А.Н. Туполева Факультет технической кибернетики и информатики Направление 210200 «Проектирование и технология электронных средств» Дисциплина «Информационные технологии электромагнитной совместимости ЭС» Лекция №3 « Природа электромагнитных влияний » Автор - Чермошенцев С.Ф. Казань 2008
  • 2. Природа электромагнитных влияний 1.Природа электромагнитных влияний и пути их передачи. 2.Источники электромагнитных помех. 3.Электрически «короткие» и «длинные» линии связи. Погонные задержки сигналов в межсоединениях: кабель, витая пара, плоский кабель, проводник МПП и т.д. 4.Методы повышения ЭМС устройств ЭС. 5.Методы конструирования межсоединений СБИС и МПП для повышения ЭМС. 6.Рекомендации по снижению уровней электромагнитных помех.
  • 3. 1. Природа электромагнитных влияний и пути их передачи. Модель электромагнитного влияния, показанная на рис. 1.1, имеет ограниченное значение. Чтобы иметь возможность целенаправленно спланировать ЭМС системы, должны быть известны: – электромагнитная обстановка (характеризующаяся амплитудными значениями напряжений и токов источника помех, напряженностями поля, частотными спектрами, крутизной фронтов); механизм связи, например, характеризующийся коэффициентами затухания или передаточными функциями; восприимчивость, или чувствительность приемника помех, характеризующаяся пороговыми значениями помех в частотной и временной областях.
  • 4. В то время как источники и приемники помех сравнительно легко могут быть охарактеризованы посредством измерения их излучений или пороговых значений помех, идентификация включенных между ними механизмов связи требует хорошего понимания теории электромагнитного поля, электротехники, и большого опыта в области практической предусмотренных схемотехники. конструктором путях Речь часто передачи, идет о паразитных, не например, через емкости и индуктивности, которые часто проявляются лишь в виде вызванных ими электрических влияний. В зависимости от среды распространения и удаления от источника помехи достигают приемного электрического контура различными путями и их комбинациями. К примеру, электромагнитные помехи называют поступающими по проводам, если они проникают в приемник через одну или несколько линий, подходящих к приемнику, либо через пассивные элементы. Токи, текущие по оплетке кабелей, и цепь питания обусловливают гальваническую связь (рис. 1.8). Между передатчиком помехи и приемником энергия помехи может переноситься посредством связи через поле или излучения. Так, электромагнитное влияние может возникнуть в токовом контуре, но затем распространиться в виде электромагнитного поля или излучения и, наконец, появиться в проводах других контуров как помеха.
  • 5. 2. Источники электромагнитных помех. Источники электромагнитных помех могут быть естественного или искусственного происхождения. Первые мы должны принять как данные природой, последними можно управлять путем дисциплинированного использования электромагнитного спектра и местного ограничения преднамеренно излучаемой электромагнитной энергии. В зависимости от того, возникают ли электромагнитные влияния при преднамеренном производстве и применении электромагнитных волн или они являются паразитными и имеют мало общего с первичной функцией источника, различают функциональные и нефункциональные источники помех.
  • 6. Рис. 1.8. Механизмы связи электромагнитных влияний Функциональные источники – это прежде всего радио- и телепередатчики, которые распространяют электромагнитные волны через передающие антенны в окружающую среду в целях передачи информации. К этой группе относятся также все устройства, которые излучают электромагнитные волны не для коммуникативных целей, например, генераторы высокой частоты для промышленного или медицинского применения, микроволновые печи, устройства радиоуправления и т.д.
  • 7. Нефункциональные источники – автомобильные устройства зажигания, сварочное оборудование, электрический транспорт, проводные линии и компоненты электронных узлов, электрические разряды, коммуникационные процессы в сетях высокого напряжения, разряды статического электричества, быстроменяющиеся напряжения и токи при технологическом использовании мощных импульсов и т.д. Источники электромагнитной энергии классифицируются по картине их проявления в диапазоне частот, иными словами, по излучаемому ими высокочастотному спектру. Различают узкополосные и широкополосные источники (рис. 1.9). Сигнал считается широкополосным, если его спектр простирается на ширину полосы, большую, чем ширина полосы определенной приемной системы, и узкополосным, если его спектр (ширина спектральной линии) меньше ширины полосы приемника.
  • 8. 3. Электрически «короткие» и «длинные» линии связи. Погонные задержки сигналов в межсоединениях: кабель, витая пара, плоский кабель, проводник МПП и т.д. При анализе электромагнитных процессов в межсоединениях ЭС обычно различают электрически «короткие» и электрически «длинные» линии связи. Классификация линии tз эта основана на соотношении между задержкой сигнала в и длительностью фронта импульса tфр. При tфр>>tз межсоединения определяют как электрически "короткие" с tз>>tфр рассматривают как "длинные" сосредоточенными параметрами, а при линии с распределенными параметрами. Однако чаще для оценки электрической длины пользуются более конкретными соотношениями: если выполняется условие 2tз > (0,3 - 0,4)tфр, (1.1) то линия электрически "длинная". В противном случае линия электрически "короткая". Соотношение (1.1) выполняется для межсоединений, размещенных в слоях металлизации СБИС и в линиях связи между СБИС в МПП. В табл. 3 [108, 189] приведены погонные задержки сигналов для некоторых распространенных видов межсоединений ЭС.
  • 9. Таблица 3 Погонные задержки сигналов для некоторых видов межсоединений Вид межсоединения Погонная задержка, нс/м Одиночный проводник 3,3 Коаксиальный кабель РК 5,2 Коаксиальный кабель ИКМ 4,5 Витая пара 6,0 Плоский кабель 5,0 Проводник МПП 5,9
  • 10. 4. Методы повышения ЭМС устройств ЭС. Традиционно [162, 329] приводятся три группы методов повышения ЭМС ЭС на ИС: 1. Методы усовершенствования ЭС в процессе их проектирования и изготовления. При этом решаются две основные задачи: а) повышение устойчивости элементов ЭС к электромагнитным помехам; б) уменьшение амплитуды и длительности электромагнитных помех, создаваемых самими элементами ЭС при переключении. 2. Методы конструирования межсоединений, монтажа и компоновки ЭС, обеспечивающие уменьшение уровня перекрестных помех, малые отражения сигналов от несогласованных нагрузок и неоднородностей, малое затухание и искажение полезного сигнала при включении распределенных вдоль линии нагрузок, уменьшение паразитных связей между схемами через цепи питания и заземления и т. д. В основе этих методов конструирования ЭС лежит рациональная разводка конструктивов с учетом помехоустойчивости применяемых элементов. топологии
  • 11. Уровень электромагнитных помех в конструктивах снижают с помощью введения экранирующих плоскостей между сигнальными слоями, одновременно выполняющих роль шин земли. Конструкция межсоединений выбирается такой, чтобы их волновое сопротивление по величине было ближе к входным и выходным сопротивлениям применяемых элементов схем. 3. Методы Запись стробирования схем в процессе обработки информации в ЭС. информации производится в конце каждого такта после завершения переходных электромагнитных процессов. При этом резко уменьшается вероятность ложного срабатывания. К этой же группе относятся структурные методы повышения помехоустойчивости. В них вводятся дополнительные логические связи или проводится 2 – 3-кратное решение задачи с последующим сравнением результатов. Однако методы группы уменьшают быстродействие и увеличивают число элементов схем в ЭС. этой
  • 12. 5. Методы конструирования межсоединений СБИС и МПП для повышения ЭМС.
  • 13. 6. Рекомендации по снижению уровней электромагнитных помех. Рекомендации 1. ориентированы на снижение уровней электромагнитных помех: шаг размещения параллельно расположенных проводников должен составлять для двухслойной платы 2,5-3,75 мм, а для МПП 1,25-2,5 мм (ТТЛ ИС); 2. сигнальные проводники в смежных слоях размещают под углом 90 или 450; 3. 4. Методы конструирования межсоединений ЭС значение допустимой длины двух параллельных сигнальных межсоединений ограничивать проводников 56 – 85 мм больше двух, (ИС то серии 531), приемлемое а если значение число параллельных длины параллельных проводников выбирать меньше 1/3 их критической длины; 5. нагрузочные резисторы устанавливать на расстоянии до 5–7 см от передающей микросхемы (ИС серии 500); 6. при длинах межсоединений более 10 см необходимо использовать только согласованные линии связи (ИС серии 500);
  • 14. 7. микросхемы должны монтироваться на МПП, имеющие специально выделенные сетчатые или сплошные слои земли, основного и вспомогательного питания (ИС серии 500 и 1500); 8. выдерживать постоянное волновое сопротивление межсоединения на всем протяжении, во всех конструктивных модулях, по которым проходит данная связь (ИС серии 1500); 9. применять параллельное согласование линий связи резисторами в 50 Ом (ИС серии 1500). Очевидно, что подобные рекомендации по обеспечению ЭМС, несомненно, полезны при проектировании межсоединений на конструктивных модулях ЭС, но они не описывают все возможные варианты защиты от электромагнитных помех и требуют вначале проведения больших экспериментальных исследований. Рекомендации также не гарантируют отсутствия опасных уровней электромагнитных помех в конструктиве, не позволяют оценить величины возможных помех и, следовательно, осуществить прогноз работоспособности проектируемого ЭС. Для создания же оптимальной конструкции межсоединения, цифрового узла и ЭС необходимо проводить анализ в каждом конкретном случае.
  • 15. Контрольные вопросы: 1. Что должно быть известно при целенаправленном планировании ЭМС системы? 2. Поясните природу электромагнитных влияний и пути их передачи. 3. Назовите механизмы связи электромагнитных влияний. 4. Поясните классификацию источников электромагнитных помех. 5. Поясните смысл термина электрически «короткие» и «длинные» линии связи. 6. Приведите примеры погонных задержек сигналов в конкретных видах межсоединений ЭС. 7. Охарактеризуйте методы повышения ЭМС ЭС? 8. Поясните методы конструирования межсоединений в ЭС на конструктивных моделях типа СБИС и МПП для повышения ЭМС. 9. Перечислите рекомендации по проектированию межсоединений в МПП. 10. Назовите рекомендации по проектированию МПП на элементах серии К1500.