1. Практичне заняття № 2
Тема 2 “Теоретичні основи росту кристалів. Швидкість росту одиничних
кристалів. Вплив різних факторів на швидкість росту кристалів. Чинники, які
гальмують процес кристалізації”
Перелік питань по темі 2
для підготовки до практичного заняття №2
та до модульної контрольної роботи №1
(7-й тиждень 8-го семестру):
1. Теорії росту кристалічних зародків: термодинамічна, молекулярно-
кінетична, дислокаційна, дифузійна та інші. Найприйнятніша теорія росту для
одиничних кристалів цукрози.
2. Дифузійна теорія росту кристалів у метастабільній зоні. Стадії
гетерогенного процесу росту кристалів згідно цієї теорії.
3. Графічна модель росту кристала цукрози у перенасиченому розчині.
4. Швидкість росту одиничного кристала цукрози, її складові. Швидкість
дифузії цукрози – лімітуюча стадія процесу кристалізації.
5. Залежність коефіцієнта дифузії від температури і в’язкості за
Ейнштейном.
6. Залежність між масою кристала і його поверхнею за А.І.Кухаренком.
Практичне значення залежності.
7. Перенасичення розчинів цукрози – рушійна сила кристалізації. Вплив
ступеня перенасичення розчинів цукрози на швидкість росту кристалів.
8. Температура і в’язкість розчинів цукрози – визначальні чинники
кристалізації цукрози. Вплив цукрози і нецукрів на в’язкість розчинів цукрози.
9. Графічна залежність в’язкості технічних розчинів цукрози від
температури і чистоти. Мінімум в’язкості технічних розчинів цукрози.
10. Низькотемпературний режим уварювання утфелів. Переваги способу.
11. Вплив перемішування утфелю у вакуум-апаратах на швидкість
кристалізації цукрози. Природна та примусова циркуляція утфелю.
12.Дві групи чинників, які гальмують процес кристалізації цукрози.
13.Умови росту кристалів при масовій кристалізації цукрози.
14.Вплив вмісту кристалів в утфелі на швидкість кристалізації цукрози.
Рівняння розрахунку вмісту кристалів в утфелі за його технологічними
параметрами. Графічна залежність відносної в’язкості утфелю від вмісту в ньому
кристалів.
15.Коефіцієнт гальмування швидкості кристалізації за С.Загродським.
Фізичне значення коефіцієнта.
16.Практичне усунення несприятливих умов росту кристалів у промислових
умовах.
Після опрацювання цих питань
кожному студенту потрібно пройти тестування по темі 2.
