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【原创】 真正光伏业内人说光伏 (1)

BY: 西河 phjhuan

这个行业真正兴起,也就几年的事。

更新的都在下面,看右边也能看到题目

这个题目是有点托大,不过想着某大厂的一些普工,能靠完全照抄,在小厂当工艺主管;某些根正苗
红的 Master 和 Doctor,能靠头上的光环,什么都不用做就成了研发主管;某些老先生,能在一年又
一年的展会上,用几乎没改过的 PPT,重复放着谁都知道的数据和图表,仍然能够被称为权威;就觉
得这个还是可以的。




【原创】多晶硅—单晶硅
链接出处
这篇文章和这一系列写的其实很全了,不够有不少错误或者说不足,大家可以看下先。
红字为原文,下面黑字是点评。

1/高纯度的石英矿砂,从开采到炼成 97%纯度的硅铁,大量耗电耗油料——可对比炼铝
第一,这个冶炼出来的硅是“金属硅”,不是硅铁。之所以叫金属硅,是因为这个硅的光泽很像金属。
硅在元素周期表上介于金属和非金属之间,因此有些人叫它半金属。实际上硅结构类似金刚石,是共
价键结合,和金属不管结构还是电性能差别还是很大的。硅铁这个词冶金上指的硅和铁的合金,主要
是用来炼硅钢(就是变压器用的那个)和钢水脱氧的。
第二,金属硅的纯度从 95%到 99%都有,高些的一般用在有机硅上。对西门子法而已,95%的纯度
已经够了。金属硅冶炼也是电弧炉,但和炼铝差别还是很大。电解铝是直接用电硬生生把氧化硅给拆
开了,而氧化硅是用碳还原的,电只不过用来加热。这个过程只耗电和碳,不用油的。1kg 硅要约
10 度电,耗电很大,不过和下一步比起来,只是皮毛。

2/用纯度 97%的硅铁,使用化学方法,反应生成多晶硅的原料三氯氢硅(另外一种专利生产方法用
硅烷)。自然也是高耗能过程。
这个过程就是所谓的西门子法或硅烷法。是真正的高耗电过程。因为三氯氢硅要反反复复的分馏、提
纯,不断升温降温,无数的电就消耗在冷却水上了。接下来的硅沉积是个高温下的 CVD(chemical
vapor deposition )过程,又是烧电。1kg 硅要 100 到 300 度电。硅烷法耗电相对低一些,不过
硅烷 SiH4 是个很危险的气体,容易爆炸。
这个硅棒是很完美的

那种,一般的看起来和玉米棒差不多,甚至像菜花。如下如图:
3/“西门子法”生产多晶硅,在很大的反应釜里,用高纯度的多晶硅籽晶细长条(筷子粗细),搭成一
个倒写的“U”型,两个端头接石墨电极,通大电流,反应釜里的三氯氢硅分离,硅原子一个一个的沉
积到籽晶上,最后达到六英寸左右粗细。多晶硅棒纯度能达到 7 个 9 以上。
反应釜还通氢气,我们需要的反应是:SiHCl3 + H2 = Si + 3HCl。
但这个会有很多副反应,副产品很多,真正能得到的硅倒不多。
上面写的“籽晶”,严格来说是叫硅芯,英文学术名到底叫什么,我也不知道,看到好几种说法。

4/手工用纯钨榔头把多晶硅棒敲成拳头大小的多晶硅块,卖到单晶硅棒或多晶硅锭生产厂家。
最好是用硅砸硅,这样就不会带来金属污染。我看见的锤子都是铬不锈钢做的。用 W 做的锤子没见过,
W 是降低硅少子寿命极为厉害的元素。铬和铁相对 W 而言,好一点点。
到底用什么做锤子好,我也不知。
PS:最近又听说用钴做的锤子好。

5/多晶硅块,微量的添加剂(太阳能中用硼,形成 P 型半导体)放到很大的石英坩埚里,单晶硅炉用
的坩埚是圆形的,(多经硅炉用的坩埚是方形的)。石墨加热器,电加热多晶硅融化,炉子上部机构
用一个晶体取向已知的籽晶(比如说[110]), 探到硅液面,然后程控缓慢拉起,拉出一根一米多长 8
英寸直径的晶棒,估计需要一个工作日(只是个人估计,我只是到车间看看而已,并非专家)。
这个籽晶,是对单晶而言的,多晶的工艺和铸造差不多。
拉单晶,用的是所谓 Czochralski 法,具体过程自己搜之。
做电池的单晶硅,都是用的 100 晶向,半导体上还用 111,110 晶向用的比较少。

6/晶棒滚圆,切方,然后用多线切割机切片,厚薄和晶棒直径(或边长)有关,小的可以切薄一点,
大的可以厚一点,不会厚过 0.75 毫米。
厚薄主要取决于切线设备,还有是单晶还是多晶。棒直径倒是其次。单晶可以薄些,多晶要厚,因为
多晶强度低。
目前厚度一般是 200 微米到 180 微米。

因为多晶硅一直是光伏电池的瓶颈,所以一直有人在想其他的办法。能不能直接用冶金方法得到较高
纯度的太阳能级别多晶硅?我最开始关注这个问题时,做这项工作的是一家挪威的矿业公司。过了些
年,真正有了进展的是美国加拿大的几家公司。其中有美国的道-康宁公司,加拿大魁北克省的
Becancour 公司,还有一家在多伦多附近,公司名字就把产品纯度点明了,叫 6N Silicon。我第一
次给这家公司打电话时,问他们的副总,你们这个 6N 的意思是不是 6 个 9(Nine)的意思?他回答
是的!这家公司得到了加拿大政府创新基金的资助。
冶金方法生产的多晶硅,有点像拉单晶剩在坩埚底部的埚底料(pot scrap)的样子,亮晶晶的。这
种多晶硅的使用方法是有讲究的,这里不多说。
这张照片是埚底料。
这里所说的“冶金方法生产的多晶硅”就是 UMG-Si(Upgraded Metallurgical Silicon ),即冶金法
(或谓之物理法)提纯的金属硅,纯度一般只能达到 4N~5N,且极不稳定,可能生产者自己都不知
道这次到底做的怎么样。目前技术水平下,是不可能通过冶金法在工业规模下将硅提纯到高效电池应
用的所需的纯度。宣传能做到 6N 的厂家很多,靠谱的没几个。

“有点像拉单晶剩在坩埚底部的埚底料(pot scrap)”
呵呵,这个金属硅和锅底料外观都成这样的原因是,这些硅都是自然无方向性冷却的,硅各个晶粒乱
长,就成这样了。仔细看下,会发现很多成树枝状的,学过金属学之类的就知道,不多说了。

多晶硅炉子是比较昂贵,比较复杂的。当时能做这种炉子的公司有两家,一家是美国新罕布什尔州的
GT Solar,其创始人是印度人 Kedar-Gupta,GT Solar 公司生意曾经好到你先交钱还要等一年才
能拿到炉子的地步。另一家公司是英国的 Crystalox,公司位于牛津郡。那时候 Crystalox 既生产设
备,也生产多晶硅锭。现在这家公司已经被德国的 PV World 公司兼并,公司名称是 PV Crystalox。
设备不外卖了。

宁波公司的炉子是英国的。现在宁波公司自己已经能够生产多晶硅炉子了。国内有这个能力的还有北
京通州区的京运通公司。
GT 的炉子是 HEM 热交换法。多晶铸锭还有其他方法,不过没什么人采用。GT 最早的技术来源还像
是买了某公司生产蓝宝石的炉子。
国内现在能做多晶炉的现在多了,大都是抄的 GT 炉子,抄的惟妙惟肖,能和 GT 的铸造出一样大的
锭子 ingot 了,800kg。
【原创】单晶硅-多晶硅(续 2) [ 大地窝铺 ]
链接出处


铸造多晶硅锭、拉单晶硅用的料。




这个料都是拉单晶剩下的头尾料,回收的。

这漂亮的硅片,我忍不住提前奉献出来了。从程序上,还没有到这里。硅片上有防反射氮化硅层,氮
化硅层厚薄不一样,硅片的颜色也就不一样。
多晶硅片显得很花,里头有很多大小不同的块块,这是因为各个晶粒的晶向不一样,造成反射率不同。
一般电池片都是蓝色,这样有利于利用电池量子效率最高的绿光波段。80nm,n=2 的氮化硅膜。
膜厚改下颜色就变了,不过会影响效率。世博会中国馆就用了彩色电池片。

有色金属研究院(有研硅股)的硅材料的专家那里可能有故事。

拉硅单晶有两种方法,一种是 Czochralski(花差花差斯基)法,太难叫,太难记,大家都说直拉法,
或者 CZ 法。另一种是区熔法(区域熔化法)。本贴先说直拉法单晶。

这是 Kayax 公司的 CG-3000 型单晶炉。用这型单晶炉,典型单晶直径是 5 英寸。

太阳能行业用的单晶硅片最大 8 英寸,半导体行业用的硅片最大的 12 英寸。

国内生产单晶硅的公司很多了,生产单晶炉的厂家主要是西安理工大学校办工厂和北京的京运通公司。

以前硅是有色金属系统管的。有色院、洛阳、峨眉都做的早,那时是供半导体用的。
Czochralski 一般也叫柴氏法。

Kayax 的炉子挺好,适合做半导体。



国内开始是西安理工的机械系做单晶炉,一查论文,全是西安理工的。现在国内各个厂,如果不是合
资的,技术或多或少来源于或者说抄袭于西安理工,连外形、命名方式都差不多,一样的丑?!!
可惜西安理工没抓住机遇(体制的必然?),这么大的市场被后来者瓜分了,现在买单晶炉的,可能
西安理工都不会算个选择项了。
合资厂的技术,就是洋人早停产产品的技术,但就这样,还是比国内的好不少。这是个悲哀的现实。
不过国人模仿能力强,做到水平接近相信不难。

一台单晶炉一两百万 RMB,用起来后,耗材和电费就远超过这个数。拉单晶一次(90KG),高纯氩
气用掉几千块,石英坩埚是一次性的,上千,碳制品的折旧上千,电费几千块(烧到快 2000 度要几
十个小时,能不费吗)。就跟用个十块钱的热得快烧水一样。

现在太阳能行业用的单晶硅片是 6.5 和 8inch,8inch 的比例在增多。用更大的也行,经济上有些划
不来,而且也容易在生产过程中破碎。直径越大,拉晶难度就越大,成品率会降低,8inch 是常规设
备(不用磁场)差不多可行的一个极限了。
半导体业都说要用 15 和 18inch 的了。晶圆越大,光刻平摊到每个 chip 成本越低。而光刻是半导体
工艺最费钱的之一。
呵,光刻是光伏工艺极力避免用的技术。只听说过 sunpower 早些时候的电池用过。

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【原创】多晶硅—单晶硅(续 4—区熔单晶硅)
链接出处
区熔单晶的最大好处是生产过程中不接触到设备,杂质特别少。其低碳低氧是 Cz 法无法做到的。但
成本很高,而且没法做大直径的晶棒。
硅光伏转换效率的世界纪录,就是用掺 B 的 FZ 硅做的,24.7%,后来重新计算是 25%。UNSW 的
赵建华,现在是南京中电的 CTO。

写的越来越没个头绪了,我本来是要写电池的,一下铺的太开了。

一块硅矿石要发电,一般是需要经过如下几步:
硅矿石->冶炼成金属硅->提纯成多晶硅料->单晶硅棒 or 多晶硅铸锭->切成硅片->电池片->封装成
组件->加上其他电气元件成系统

其中技术含量最高的一步,是把硅片做成电池片。

最没技术含量的,是把电池片封装成组件。组件厂全国有好几百家,几百万就能开个厂。就是把电池
片焊接在一起,然后正面盖上玻璃,背面盖上塑料板,边上加个铝边框。电池片不直接和玻璃、塑料
背板接触,中间加了一层 EVA 胶(乙烯、醋酸乙烯酯的聚合物)。
这个玻璃,得用超白低铁的玻璃,国内能做的很多。背板,用了含 F 的塑料,基本被杜邦之类寡头垄
断了。
这个过程得用个层压机把他们这五层给加热压实。这是组件厂唯一一个没法手工作的活。做完了就成
下面这样子。
这里头用的电池片很特别,sunpower 的,以后细说。

乱插一段

这场 2000 年前后开始兴起的光伏热,归根结底是被政策给提前催熟的。和中国股市一样,这是个不
折不扣的政策市。

最早的市场是德国(封闭的日本不算)。按理说德国并不是个很适合光伏发电的地方,纬度太高了些,
光照不够强,但补贴政策带来了急剧增长。
然后西班牙:本来德国市场是无法满足增长比市场还快的巨大产能,但西班牙及时的跟着来了补贴。
西班牙位置好,适合光伏。

依靠工业底子,德国有了一堆赫赫有名的电池厂和设备商,Q-cell,CT,RENA。。。。。
设备商在中国市场吃了个饱,几乎所有中国电池厂都有德国设备。德国设备确实是好,在众多国外厂
家中也突出。看了干干净净的德国货,再看漏水的中国山寨货,会有种拿锤子砸的冲动。
电池厂运气就没这么好了,后来兴起的中国低价电池既拉低了利润,又占了市场。德国调低补贴后,
更不好过了,也只有贱价的中国电池厂能适应。

然后,意大利、英国的补贴也来了。
英国本来有 BP,没错,就是石油那个,BP 挺早就做电池了,还买了 UNSW 的专利,做埋栅刻槽电
池,算是很早的高效电池。
BP 还独有个技术,单晶铸锭,用类似一般多晶铸锭的设备,做出单晶来,成本比常见的 Cz 法拉单晶
低很多。原理说起来很简单,但实用化不简单。
但 BP 的市场地位一直再降,只好到中国来开工厂了。

日本生产太阳能电池,也有很长的时间,Sharp,京瓷,三洋等的产量和技术都不错。日本国内市场
比较大,很多都是自产自销了。小日本是较为封闭的。中国电池厂遍地开花时,日本人有钱不挣,不
卖技术,都让给欧美厂家了,现在日系技术在国内几乎见不到。

现在说说中国电池片设备商。现在设备基本上能国产了,至于怎么样,只能说是典型的国货。
最大的赢家应该是 48 所和捷佳创。不是说这两家现在地位最高,而是说这两家本来像风中的一颗尘
埃般无足轻重,但抓住了机遇,华丽的蜕变了。
48 所以扩散炉为开端,现在基本上什么都能做了,应该是国内少有的晶体硅电池生产能 turnkey 的。
捷佳创是做清洗和 texture(中文的翻译实在误导人)机器的,听说是被运气撞了,订单忙不过来。
现在的新产品的质量不知道,老的那种,就是让人想拿锤子的。

不知道是不是太阳能电池这个圈子特别小的原因,大家用的设备都差不多,工艺参数一般也是相似。
两个初次见面的技术人员很可能会发生这样的对话:
1:你们那用的什么扩散炉?
2:CT 和 48 所的。
1:我们用的是 48 所和 Tem...
2: 对了,你认识 XXX 不,他是。。。
1:哦,他是我同学/同事,他现在到。。。去了
2:恩,我也好几个同事到。。。去了。


中国在光伏,主要是晶体硅上的巨大优势是:


晶体硅电池,只能算制造业,算不上高技术,技术门槛不能和半导体比,但比组装电脑还是高了不少。
这样就尤其适合中国这种工人多,工科毕业生也多,科研又不很强的情况。
而且中国基础设施好,几乎到哪都能建,在地方政府的发烧脑袋推动下,除了西藏,应该每个省都有
不小规模的相关产业。
国内工业门类又齐全,相关配套的绝大部分能提供,至少能解决有无的问题。


目前,不仅日本和欧洲,来自中国大陆、台湾乃至印度等地的新厂商也在纷纷涉足太阳能电池制造业
务。这类企业与一揽子供应制造装置厂商合作,以期降低制造成本。印度方面,还出现了以此前一半
的价格一揽子供应制造装置的装置厂商。此次的合资公司的设立,“是日本厂商对抗统包解决方案
(Turnkey Solution)战略的一环”(太阳能电池技术人员),今后成功与否将备受关注。


  东电电子此前一直向所有太阳能电池学会派遣了信息收集人员,一边从事太阳能电池的基础研究,
一边寻找涉足太阳能电池业务的机会。太阳能电池业内人士就此次合资公司的设立评论说:“在一步走
错便步步难追的局面下,东电电子的此举却获得了最好的客户”。这是因为,该公司除可向夏普年产能
达 1GW 的大型新工厂供应制造装置外,还能够学习其先进技术。东电电子表示,“详细事宜尚未确定,
不过将来还计划向其它公司销售制造装置”(宣传负责人)。


  《日经微器件》预定在 2008 年 3 月刊中以“印度的制造力~继中国大陆台湾韩国之后的新威胁
(暂定)”为题,以太阳能电池为中心介绍印度的电子元件制造情况。(记者:河合 基伸)



以上是日本人 2008 年的报道。但现在呢,印度基本上是个空白。用脚趾头想下也知道,那种天天断
电的地方怎么可能。

台湾人也来大陆建厂了,不然肯定竞争不过大陆。台湾在技术上不比大陆强,优势在于生产和管理。
但就像富士康一样,长远看肯定是比亚迪脚下的石头。

相对于发展中国家,中国具有高出个档次的技术和人才优势。相对于老牌工业国,有无敌的贱价“中国
制造”。

除开晶体硅的其他非主流技术,主要是薄膜硅、CdTe 薄膜、CIGS(铜铟镓锡)。

薄膜硅技术取得很大的突破的可能性不大,而且薄膜硅国内和世界先进水平应该差别不太大。ps.施振
荣的博士论文就是靠把硅薄膜长在玻璃上

CdTe 应该难成为主流技术,Te 稀有,Cd 有毒(畏惧心理就会吓跑很多人)。

CIGS,呵呵,里头有铟,铟稀少的很,主要产于中国。以前一个做薄膜的老师就说,估计这么少的
铟在显示器上都不够用。而且,用出去的铟还没法回收——以纳米计算厚度的薄薄一层。
ps. 铟主要用于生产 ITO 靶材(液晶显示器),占铟消费量的 70%。

CIGS 技术的吸引力还是挺大的,如果能研究出用其他元素代替铟,或者此结构的廉价变体,将是非
常有前途的。

对于晶体硅电池,现在还不能国产的有:

1 电池正面电极的银浆。
除开电镀正面电极的,一般的电池要用三种电子浆料,正面银浆、背面铝浆、背面银(铝)浆。背面
铝浆早已国产了。背面银(铝)浆现在用的应该大都还是进口的,不过这个浆料对电池性能影响相对
小,而且技术难度相对小。

正面银浆对电池的性能影响很大!用来做栅线,100 微米宽,用量很小。这个浆料技术难度很大,好
几个性能都要满足,而且不同性能对浆料的设计是相互打架。
以前是用杜邦的多,听说是广东有个厂生产,里头就单做生产,有技术含量的一点都没放在那。现在
其他进口浆料也多了,不比杜邦差。

这个东西浆料厂一直花了很大力气改进,进步也很快。国内厂家要追上人家的步伐比较困难。而且这
么关键的东西,使用厂家是不会用差的便宜货。

2 印刷浆料用的全自动丝网印刷机
没错,原理构造和一般印刷上用的丝网一样。印的精度要求很高,并且又要印的很快(和哗哗的印钞
票一样),生产的话只能是全自动。实验室是可以自己慢慢的几分钟一个对准。
48 所的交钥匙全套电池线设备就这个不能自己做。
不要小看这个,微波激发等离子的镀膜设备国人都能做,印刷术的起源地却没法国产。
国内用的最多的是被应用材料公司收购了的意大利的 baccini。



3 把电池自动测试分档的测试设备
测试电池得模拟太阳光,这个就不太容易:太阳不是绝对黑体,光谱就不简单,然后经过大气,很多
特定波段都被吸收了。

4 把硅棒切成硅片的线切割机
硅又脆又硬,每片要切到不到 200 微米厚。
日本 NTC 能做。瑞士应该有几家公司能做,美国应用材料收购了瑞士的 HCT。这个方面的情况知道
的不多,不知道还有漏了的没。
此设备对机械要求很高,考虑到这个和精密机床类似,国内厂家要突破,应该很不容易,毕竟机械是
硬功夫。

5 电池封装成组件用的含 F 塑料背板
杜邦之类寡头做。国内就是做不出来,也能换材料做到性能差不多。

6 光伏系统用的逆变器里头的功率半导体元件
这个就不是太阳能行业所特有的了。功率半导体几乎所有用电的都扯得上,国内就能做个晶闸管,逆
变器要的 IGBT 几乎全进口。光伏真要普及了,得要多少 IGBT 啊。
国外又在研究技术上高一代的 SiC 和 GaN 基的功率元件,只怕差距还会拉大。




——当然,时间久了上面都会被国产化,至少被山寨化。


应 thait 网友要求,写下正面电极。


更详细情况可见: http://www.chinasolarpv.com/article/html/article_184.html
一般 P 型太阳电池是通过正面电极和背电极输出电能的, 正面电极一般是用银浆印刷而成的。


如下图,可见很多根细白线(细栅,finger)和两根粗白线(busbar,主栅),这是用丝网印刷上银
浆后再烧结而成的。
电池做好后,在 busbar 上面焊上条金属带,把一片片电池给串联起来。




丝网印刷说白了就是一张很多小孔的网(不由联想到了丝袜...),有些地方的孔被盖上,有些地方空
着;铺在半成品电池上面刮浆料,孔没给盖上的地方就漏下银浆了,于是就形成了图案。


不要小看这个印刷机,如前文,全自动的机器还没国产化。
国内用的最多的是 Baccini,意大利的厂,被应用材料给收购了。


显然,这些栅线不能太粗,粗了把光都给挡住了,硅吸不到光。但细了后电阻肯定就大了(可以认为
这个和干电池的内阻相当),所以要求这个银浆必须烧结后本身电阻低。银本身电阻率很低,但是银
浆里头的银含量不多,必须有其他添加物在,所以银浆烧结后电阻率比纯银高了不少。
这是第一个难点。
第二个难点是接触电阻小。银浆是烧结在硅上,必须让他们是欧姆(Ohm)接触,这样才能接触电阻
小。直接让纯银和硅接触会产生肖特基(Schottky)势垒,接触电阻大(这个自己 wiki 或百度百科
或看半导体物理—金属半导体接触去)。所以银浆里头必须带些磷一类的辅助物质,以减小银和硅的
接触电阻。
但问题是,银高温下在硅里头扩散比其他辅助物质快的多。而银如果真扩散到硅里头了,是很要命的
(少数载流子杀手)。所以必须控制烧结温度与时间,这种情况下辅助物质发挥的作用就大打折扣了。


第三,银浆必须有合适的粘度。太干,像面团一样这种极端情况,没法通过丝网的小孔,都堵上了。
太稀了,一滩水,印到电池片上就会铺展开,这样就遮住光了。


现在电池工艺,都是硅片上上面渡上层氮化硅膜后再印刷电极的,这样就要求银浆烧结时必须烧穿这
层氮化硅,这靠浆料里头的铅玻璃可以实现。但也不能穿的太过分,连硅表面的 PN 结都给穿了。
所以,第四,浆料必须有合适的穿透性。


——正面银浆里头含铅很多的,故一般电池绝对不可能通过 ROHS。国内厂房通风系统又常不好,所
以印刷烧结工段铅污染肯定重。


现在用的比较多的正面银浆有杜邦,heraeus,FERRO。
国内做其他用途的电子浆料的厂很多,但这个还是没突破。国内一些从没做过电子浆料的厂也看中了
这个市场,试图做,他们可能是低估了这个的难度。


————————————————————————
前面都是说的一般的电池,下面说说不一般的电池。


【Saturn】土星
BP 的商品名,就是激光刻槽埋栅(LGBC)。UNSW 的技术,然后卖给了 BP。激光在硅上面开个槽,
电极就用电镀在槽里(省略若干步骤)。
这个技术太繁琐,成本太高,独此一家。
【PLUTO】冥王星
这个名字不知道到底是缩写(某君言),还是参照土星取的,以显示更高一筹,是天外科技。
尚德的,考虑到施正荣的渊源,技术应该和UNSW有关。这个尚德吹的很厉害,但是具体情况又不
说。怀疑性能并没有吹的那么牛,所以才遮遮掩掩。
不管性能怎么样,反正宣传的效果达到了。
从其他侧面的信息来看,个人猜测也是激光加电镀,不过制造成本应该比较低。


【A-300】
SunPower 的背接触电池,真正的高技术,用昂贵的半导体工艺来做电池。就是正面没电极了,都在
背面,这样就没有了栅线正面遮光的问题了。
技术前身是来自斯坦福吧,本来是用光刻的,效率是商业电池中最高的。后来换了低成本的工艺,但
价格还是很高。




看,表面全黑。我见过封装好的组件,看起来比一般电池确实颜色深些。




——————————————————————————————
刚才在找图片的时候,看到了这个 链接出处




创新点
尚德的冥王星技术成功打破了行业的天花板。新产品将单晶硅转化效率提高到了 18.8%,多晶硅
17.2%。冥王星电池组件比传统技术能够多输出约 12%的电量。


创新价值


冥王星多晶硅的转化率已经达到了世界第一,单晶硅转化率排名世界第二。在上海世博会光伏供应商
的招标中,尚德因为突出的性价比优势而最终胜出。


冥王星的竞争力将帮助尚德进一步巩固全球排名前三的市场地位,在尚德的带头示范作用下,目前
2008 年大陆光伏电池产量占全球总量 30%,尚德占其中的 30%,中国光伏产业连续两年成为世界
第一。



……我真是服了这些嘴巴,是怎么算的第一第二第三啊,前面的三洋,三菱,sunpower 到哪里去了?

国内硅基薄膜电池産业供应链一览  6
这个写的很好,特地转下,因为字数限制,不全。

顺便说下,绝大多数人关注光伏都是因为股票,然后就看了很多证券业的所谓研究报告。
但见到的报告,不说国内的黑大嘴,就是外面的投行,扯的成分更大。

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ZT:http://bbs.solarzoom.com/viewthread.php?tid=34284&extra=page%3D1

  以现时光伏産业而言,硅基薄膜电池虽然在光转效率不如晶硅电池,然在吸光特性丶发电时间上
远胜於晶硅电池,故同样发电功率的光伏系统,硅基薄膜电池已被证明具有较高的发电量。唯一的缺
点,是所需的安装面积远大(目前约2倍)。不过,随着各家薄膜厂更高效电池的大量生産之下,相
信此面积的劣势会日渐缩小。
  至於光伏系统造价成本,硅基薄膜电池组件成本虽低,但在 B.O.S.支出则高於晶硅系统(薄膜:
晶硅=4.35:3.10 USD/W)组件,从而抵消了价格优势。再加上因系统面积大,以致安装所需的时
间丶人工费用,也相对较高。因此,硅基薄膜电池要拉开与晶硅电池的差距,朝向与常规能源竞争的
目标前进,光转效率的提高丶组件价格的降低丶 B.O.S.支出的减少,是当前努力的三大重点。至於安
装人工费用的下降,因牵涉到産业的成熟度丶企业投入的多寡以及组件效率的高低等问题,所以其下
降的速度丶幅度,相对於其它部份是比较缓慢的。
  总之,未来在愈来愈多企业投入硅基薄膜电池産业之下,薄膜电池光伏系统的发电效率及造价成
本,在可见的二丶三年内,相信会有很大的改善及下降空间。以此对比於晶硅电池産业,未来的竞争
优势当日益突显,高度成长的时期来临,应是指日可待。唯一值得忧虑的是,目前国内硅基薄膜産业
链尚不够完整与成熟,但所面临的竞争的压力却是与日俱增,而国内晶硅産业原料丶技术(含设备)
丶市场三头在外的情况,似乎也已在国内硅基薄膜産业中渐渐成形。
  本文主旨,意在拼出国内硅基薄膜産业供应链的完整图像(含台商),提供産业内上下游相关企
业经营者丶投资人从业人员参考,期能以有助於资讯的流通及成本的降低。希望有朝一日,国内也能
够实现硅基薄膜电池産业链从原料到设备的全国産化,进而生産物美价廉的薄膜电池,以能与国外企
业竞争,扩大国産硅基薄膜电池在世界太阳能産业中的影响力及地位。

  註1:本文資料以國內企業爲主,國外廠商爲輔。
  註2:國內企業設備好壞與否,實際使用狀況如何,筆者不予置評,請閱者自行詢問比選。
  註3:感謝論壇內所有提供相關專業資料之高手、大牛。



贰丶上游原料



 一丶导电玻璃

   指 FTO(SNO2),主要生産商有日本旭硝子(Aasahi)丶板硝子(NSG)与美国 AFG,国内
薄膜厂因需求不大丶尺寸规格特殊,所以议价空间小,进货价格高,甚至有钱也不一定买的到货。由
於没有稳定的 FTO 货源,有些国内薄膜厂则改用 ITO 来代替,效果不好,价格亦贵。
   国内目前虽有中国科技 CTDC 投入 FTO 生産,可以提供国内薄膜厂另外一种选择,但以源畅光
电本身的需求,以及中国科技初期规划的规模来看,初期大概也没有多馀的産能供应国内其它组件厂
使用。所以就短期来看,笔者以爲在中国科技还没站稳脚根丶稳定发展之前,华基光电应该不会丶也
没有多馀的设备制造産能,去扶植第二家的 FTO 玻璃供应商,故国内薄膜厂最好还是自求多福,另觅
稳定 FTO 或 ITO 料源。
   目前 TFT-LCD 面板需求不断增加,主要的面板厂如 Sharp 丶 Chimei 丶 AUO 丶 Samsung 丶
LG 都有扩厂计划,同时也有愈来愈多的薄膜厂加入量産,相信会加大对於导电玻璃的需求。可以预
见的是,晶硅电池企业争抢硅料的情况,未来很可能会在薄膜电池産业中重现。届时薄膜厂间的竞争
将不是産能丶技术或效率上,而是谁能抢到长期丶稳定而足够的导电玻璃原料,以满足市场的需求。
   而在在未来的抢料大战中,国内産能丶资金较小的薄膜厂,很可能会面临料源不足,或只能到现
货市场买高价导电玻璃的窘况,造成産能闲置丶或被淘汰并购,甚至是沦爲其它料源充足薄膜厂的代
工厂。因此,国内的薄膜厂们,应当未雨绸缪,及早因应。



  1)国内



     1.漳洲中国科技 CTDC
         http://www.chinactdc.com/solutions/sno2.shtml
         産品参数:尚未有量産实品,无资料,仅知尺寸爲 1245x635mm。
         平米售价:尚未有量産实品,无资料。
         最近概况:A-以 1000 万 HKD 卖掉非核心事业,并增资创大太阳能,全力转进 SNO2
导电玻璃领域。
                  B-已在漳州开发区购买一座标准五层楼厂房,建筑面积 12,000 平方米,可
容纳 4~6 条 SNO2 导电玻璃生産线,年産量约 300,000~400,000sqm。
C-已在漳州开发区另购 148 亩地,供建设可再生能源示范园区及扩厂使用。
                  D-预计 2008 年 Q1 量産,据闻 07 年 12 底已开始投産。

       2.秦皇岛耀华玻璃
         http://www.yaohuaglass.com.cn/
         産品参数:A-厚度 4mm,方阻 16 欧,透光率大于 80%。
                  B-厚度 4mm,方阻 20 欧,透光率大于 80%。
         平米售价:A-400 RMB/m2
                  B-200 RMB/m2

       3.广丰太阳能玻璃
         www.gfsolarglass.com
         産品参数:DSSC 用,方阻 10 欧,透光率>80%,。
                 http://www.gfsolarglass.com/FTO%20glass.htm

       4.武汉格奥仪器(主要代理日本 NSG/英国皮尔金顿/美国 LOF,勉强列入国内供应商,做
爲参考)
          http://www.nsg.co.jp/
          http://www.pilkington.com/
          産品参数:A-厚度 2.2mm,方阻 14~15 欧,透光率>90%。
                   B-厚度 3.1mm,方阻 8~11 欧,透光率 79~81%,Haze 值 8~12%。
          平米售价:A-1200 RMB/m2
                   B- 无资料



 2)国外



   1.日本(Asahi)
      http://www.agc.co.jp/cn/index.html
      産品参数:厚度 1mm,方阻 12 欧
      平米售价:无资料。

   2.美国 AGC Flat Glass(AFG)
     http://www.afg.com/Category.aspx?id=479
     産品参数:参考武汉格奥
     平米售价:参考武汉格奥

   3.日本板硝子/英国皮尔金顿/美国 LOF
     http://www.nsg.co.jp/
     http://www.pilkington.com/
     産品参数:A-厚度 2.2mm,方阻 14~15 欧,透光率>90%。
B-厚度 3.1mm,方阻 8~11 欧,透光率 79~81%,Haze 值 8~12%。
        平米售价:A-1200 RMB/m2
             B- 无资料。



 二丶光伏玻璃



  分爲组件封装及衬底沉积用两种,此处衬底沉积用是指薄膜厂自行镀导电膜者(例:Oerlikon
系),笔者假定厂商都采用时下之超白玻璃。若是组件封装用,则视各家工艺的要求而有所不同,或
用一般普通丶或采低铁钢化及硼硅玻璃等,不一而足。

  1)衬底沉积用

     目前世界上主要的超白玻璃供应商,有美国 PPG 丶加迪安丶英国 Pilkington(已被日本 NSG 收
购)丶法国圣戈班丶日本旭硝子(已并购比利时格拉威宝玻璃集团)。国内的企业,如金晶集团丶中
玻太仓丶常熟耀皮丶南京圣韩丶杭州和合,都是与上述国外企业合资生産,其馀如河南裕华丶信义超
白丶东莞南玻丶常州亚玛顿等,则是企业自主研发而成。
     目前超白玻璃市价爲 85 RMB/m2 或 9000 RMB/吨左右,但随着国内丶外各大企业超白玻璃生
産线相继建成投産,长期而言,市场价格应会呈现下降趋势。
     值得注意的是,英国 Pilkington 丶美国 LOF 玻璃公司已爲日本板硝子(NSG)所收购,
Pilkington 持有国内璃制造商-中国玻璃丶耀皮玻璃各三成及二成股权,而中国玻璃又已全资收购蓝
星璃璃集团(威海蓝星泰瑞光电的母公司),成爲国内最大的浮法玻璃供应商。
     最近,Pilkington 与中国玻璃在太仓丶与耀皮玻璃在常熟,各兴建了一条年産 7 万吨丶 1.64 万
吨的超白玻璃生産线,以抢占国内急速成长的太阳能玻璃市场。以此来看,日本 NSG 已间接成爲国
内光伏玻璃市场的最大供应商,産品横跨 ITO 丶 FTO及超白玻璃,未来是否会进一步主导国内相关
玻璃的供应及市场价格,值得薄膜厂关注。

     1.天津泰岳(排序由北而南)
       http://www.tjtaiyue.com/company.asp
       年间産能:无资料
       産品资料:A-太阳能超白玻璃
                http://www.tjtaiyue.com/ProductShow.asp?ArticleID=164
       平米售价:无资料

     2.金晶集团(技术来源:美国 PPG)
        山东金晶:www.cnggg.cn
        青岛金晶:www.jinjing.com.cn
        年间産能:300 万重箱(日産 600 吨)
        産品参数:A-太阳能超白玻璃,常规厚度 3.2mm(3~25mm),透光率>98%,最
大尺寸 2440*3660mm。
        平米售价:90 RMB/m2 起。
産品毛利:>50%。(以此可测算生産成本)

     3.河南裕华高白玻璃
       http://www.hnyuhua.com.cn/
       年间産能:5 万吨(400 万 m2)
       産品参数:A-太阳能超白玻玻,常规厚度 3.2mm,透光率>91.8%,最大尺寸无资料。
                 http://www.hnyuhua.com.cn/
       平米售价:60 RMB/m2

     4.河南思可达
        www.succeedglass.com
        年间産能:450 万 m2
        産品参数:A-太阳能超白玻璃,常规厚度 3.2mm(2.5~6mm),透光率无资料,最
大尺寸 1605×1680mm。
                  http://www.succeedglass.com/cpzq.asp
        平米售价:29 RMB/m2

    5.南京中宇
      www.zyglass.cn
      年间産能:无资料
      産品参数:A-太阳能超白玻璃,常规厚度 3.2mm(3~22mm),透光率 91.8%,最
大尺寸无资料。
                http://www.zyglass.cn/xcmnxw/list.asp?id=451
      平米售价:无资料

     6.南京圣韩玻璃(技术来源:法国圣戈班)
       年间産能:无资料
       産品参数:无资料
       平米售价:无资料

     7.常州亚玛顿光伏玻璃
       http://www.czamd.com/gsjj.html
       年间産能:300 万 m2
       産品资料:A-镀增透膜太阳能超白玻璃
                 http://www.czamd.com/Product.asp?Catalog=1
       平米售价:无资料

     8.常熟华光玻璃
       http://www.chinasunpower.com/gs.htm
       年间産能:无资料
       産品资料:A-太阳能超白玻璃
                http://www.chinasunpower.com/cp1.htm
平米售价:无资料

    9.常熟耀皮特种玻璃(技术来源:英国 Pilkington)
       www.csypglass.com
       年间産能:200 万平方米(日産 150 吨)
       産品资料:A-太阳能超白玻璃,常规厚度 3.2mm(3~10mm),透光率≥91%,最
大尺寸宽度 2140mm。
                 http://www.csypglass.com/newproduct.asp
       平米售价:无资料

   10.杭州和合玻璃(技术来源:比利时格拉威宝)
        http://www.heheglass.com/default.aspx
        年间産能:两条生産线。
        産品资料:A-钢化太阳能超白玻璃,常规厚度 3.2mm(4mm),透光率≥91%,最
大尺寸 1200*2100mm。
                  http://www.heheglass.com/prolook.aspx?id=347
                  http://www.heheglass.com/prolook.aspx?id=348
                  http://www.heheglass.com/prolook.aspx?id=350
        平米售价:无资料

    11.太仓中玻皮尔金顿特种玻璃(技术来源:英国 Pilkington)
       http://www.chinaglassholdings.com/
       http://www.chinaglassholdings.com/products/products.asp?leibieid=12
       年间産能:7 万吨
       平米售价:约 7100 RMB/吨

     12.东莞南玻太阳能玻璃
        http://www.csgglass.com/
        年间産能:9 万吨(约合 1000 万 m2)
        産品参数:A-太阳能超白玻璃:常规厚度 3.2mm(2.5~10mm),透光率≥91.6%,
最大尺寸 2250mm×3500mm。
                   http://www.csgglass.com/ArticleShow.asp?ArticleID=59
                 B-钢化太阳能超白玻璃:常规厚度 3.2mm(2.8~10mm),透光率
≥91.6%,最大尺寸 1000mm×2000mm。
                   http://www.csgglass.com/ArticleShow.asp?ArticleID=60
                 C-镀增透膜太阳能超白玻璃:常规厚度 3.2mm(2.5~10mm),透光率
≥94.6%,最大尺寸非钢化玻璃镀膜原板为 2250mm×3500mm 丶钢化玻璃尺寸为
1000mm×2000mm。
                   http://www.csgglass.com/ArticleShow.asp?ArticleID=61
        平米售价:无资料

    13.东莞信义超白光伏玻璃
http://www.xinyiglass.com/
        年间産能:约 10 万吨(日産 300 吨)
        産品参数:A-太阳能超白玻璃:常规厚度 3.2mm(2.5~10mm),透光率 91.6%,
最大尺寸 2250mm×3500mm。
                 B-钢化太阳能超白玻璃:常规厚度 3.2mm(2.5~10mm),透光率
≥91.6%,最大尺寸 1200mm×2140mm。
                   http://www.xinyiglass.com/product_show.php?id=68
        平米售价:无资料
        産品毛利:50%~60%。




 四丶特殊气体(所列资料以硅烷爲主)



   沉积非晶硅薄膜所用特气,包括本征用四氢化硅(SiH4)丶搀杂用 PH3&TMB 丶改良用
CH4&H2 及其它用 Ar&N2。由於 SiH4 爲最主要的原料,所占成本最大,其它则用量不多,故本处
只谈硅烷供应。
   目前世界最大的 SiH4 特气原料供应商爲 REC Group,占有世界超过八成的市场份额,其馀爲日
本三井化学丶法国 Air Liquide 及美国 MEMC,目前 40liter 的 SiH4 已涨到 US$92-122/kg,预期
不久将会再有 20%的涨幅,而且随着愈来愈多硅基薄膜厂投産,未来长期上涨的趋势不变。
   由於国内没有厂商能够制造高纯度 SiH4 特气,主要都是是从国外进口,然後再分装贩卖。虽然
目前国内各家薄膜厂的産能来看,对 SiH4 的需求不大,但各家都有扩産计划,新加入的竞争者也愈
来愈多,况且 SiH4 是 LCD 丶半导体通用原料,産业需求量亦大,故未来难保供应不会出现紧缺状况。
   所以,薄膜厂最好及早与特气供应商签订长约(最好是直接向制造商或中国最大代理商接洽),
以免未来 SiH4 成本不断上升,侵蚀利润。

   文章参考:3 大产业将掀矽甲烷抢货大战,薄膜太阳能明年大产出 半导体丶面板厂绷紧神经

http://www.digitimes.com.tw/n/article.asp?id=0000077218_A678X21ANR2DDVX7OGU
K7

   1)SiH4 制造商

     1.林德气体中国(Linde Gas)

http://www.lindegas.com.cn/international/web/lg/cn/likelgcn.nsf/docbyalias/homepage
         中国分支:林德深圳丶林德厦门丶林德苏州丶林德宁波
         最近概况:林德集团收购 BOC 对工业气体产业的影响
                  http://info.315.com.cn/sltinfonews?id=186950&page=1
2.液化空气中国(Air Liquide)
         http://www.cn.airliquide.com/
         中国分支:http://www.cn.airliquide.com/zh/no-name-3/no-name-9.html
         最近概况:法国液空公司(Air Liquide)收购了德国化学品公司梅塞尔·格利夏姆(Messer
Griesheim)

http://germanyfinance.cn/ns_detail.php?id=1261&nowmenuid=81&cpath=0091:&catid
=91

     3.空气化工中国(Air Product)
       http://www.airproducts.com.cn/index.htm
       中国分支:http://www.airproducts.com.cn/corporate/AP.htm
       最近概况:

     4.普莱克斯中国(Praxair)
       http://www.praxair.com.cn/index.asp
       中国分支:http://www.praxair.com.cn/contact/index.asp

     5.大阳日酸中国(Tn-sanso)
       http://www.stngas.com/Article/Index.asp
       中国分支:http://www.tn-sanso.co.jp/jp/company/asia_map.html

     6.日本三井化学
       http://www.mitsui-chem.co.jp/cn/index.htm
       産品资料:http://www.mitsui-chem.co.jp/cn/pdf/chemcal.pdf
       中国分支:http://www.mitsui-chem.co.jp/corporate/oversea_04.htm



   2)SiH4 代理商

     1.北京绿菱气体科技有限公司(美国 Air Gas)
       http://www.linggas.com/info-cn.htm
       http://www.linggas.com/specialty_cn.htm
       産品参数:http://www.linggas.com/sih4-cn.htm

     2.天津赛美特
       http://www.gas-cn.com.cn/
       産品参数:

     3.香港特种气体(MEMC,论坛代表-硅娃)
       http://www.hsg.com.hk/chinaweb/index.html
産品参数:http://www.hsg.com.hk/pdf/101-110/P103.PDF
        最近概况:香港特殊气体与美国 MEMS 电子材料联合进军中国市场
             http://www.semi.org.cn/mems/news_show.aspx?id=724

     4.香港氧气(Linde)
       http://www.hkoxygen.com/index_c.html
       産品资料:http://www.hkoxygen.com/products.asp?lang=zh&id=418
       中国分支:http://www.hkoxygen.com/businessse_c.html

     5.台湾三福化工(Air Product)
       http://www.sfchem.com.tw/cht/index.htm
       中国分支:http://www.sfchem.com.tw/cht/contact.htm

     6.台湾亚东工业气体(Air Liquide)
        http://www.tw.airliquide.com/zh_TW/welcome.html
        産品资料:http://www.tw.airliquide.com/zh_TW/no-name-12/no-name-
13.html

     7.台湾联华气体(Linde/BOC)
       http://www.boclh.com.tw/ALLMAIN1.htm
       産品参数:http://www.boclh.com.tw/ALLMAIN1.htm

     (注:SiH4 代理商族繁不及备载,仅摘录以上数家)



 五丶镀膜靶材(ZnO 丶 Al)

    靶材市场和其它原料一样,目前爲欧丶美丶日少数几家大厂寡占,目前全球靶材最大供应商为
德国 HERAEUS,市占率达 60%,国内能够自主生産的企业屈指可数,多数爲进口。



   1)国内厂商(排序由北而南)

     1.北京有研亿金
       http://www.grikin.com/
       産品资料:http://www.grikin.com/products1f.htm

     2.宁波江丰电子材料
        http://www.kfmic.com/
        最近概况:江丰电子材料-打破靶材市场国际寡头垄断
                 http://www.sichinamag.com/article/html/2007-
11/20071123110632.htm
3.台湾光洋应用材料(台湾第一大靶材供应商,奥地利 Plansee 合作伙伴)
       http://www.solartech.com.tw/solargb/index.htm
       産品资料:http://www.solartech.com.tw/solargb/index.htm



     4.台湾鑫科材料(台湾第二大靶材供应商)
       http://www.e-ttmc.com.tw/inside.html
       産品资料:http://www.e-ttmc.com.tw/inside_materials_detail.html

     5.台湾研创应用材料(论坛代表:guan01cn)
       www.yansheng.com.tw

     (注:靶材代理商族繁不及备载,仅摘录以上数家)



   2)国外厂商(供比价参考用)

     1.贺利氏招远(德国,占有中国约 60%市场份额)
       http://www.heraeus.com.cn/docc/gsjj-1.htm
       中国分支:A-贺利氏招远贵金属材料
                  http://www.heraeus.com.cn/docc/gsjj.htm
                B-贺利氏招远(常熟)电子材料
                  http://www.heraeus.com.cn/docc/gsjj-3.htm
                C-贺利氏招远鲁鑫电子材料
                D-上海贺利氏工业技术材料
                  http://www.heraeus-hmts.com/chinese/start.html

   2.攀时集团(奥地利)
     http://www.plansee.com/index.htm
     産品资料:http://www.plansee.com/coating-technology-sputtering.htm
     中国分支:北京丶上海丶广州丶香港丶台湾(以上皆只是销售分公司,无工厂)
              http://www.plansee.com/asia.htm
     最近概况:溅镀靶材大厂 PLANSEE 至 2010 年於奥地利扩厂投资将达 1 亿欧元 充份供
应全球大尺寸 TFT-LCD 用靶材

http://www.digitimes.com.tw/n/article.asp?id=0000041978_A3I2JN8HJT8Y8737IOX7M

     3.上海高展金属材料(美国 Gemch,论坛代表:bssmb)
       産品资料:http://www.gemch.com/pro_list4.asp

     4.深圳欧莱溅射靶材(美国 Oryx)
http://www.oryx-sz.com/
        産品资料:http://www.oryx-sz.com/cpzx.asp

     5.日本东曹
       http://www.tosoh.com/
       産品资料:http://www.tosoh.com/Products/tcdfilm.htm

http://www.tosoh.com/Products+%28Chinese%29/ElectronicMaterials+%28Chinese%2
9/DEFAULT.htm
         中国分支:东曹达(上海)贸易有限公司
                  http://www.polymer.cn/trade/company/companynet/compatosoh/

     6.日本三井金属
       http://www.mitsui-kinzoku.co.jp/project/hakumaku/
       産品资料:http://www.mitsui-kinzoku.co.jp/project/hakumaku/04/index.html
       中国分支:台湾特格股份有限公司
                http://www.mitsui-kinzoku.co.jp/project/hakumaku/02/index.html



  由以上的资料可知,目前硅基薄膜産业链的上游原料,每一项无不爲欧美日几家大厂掌握,国内
虽有企业开始渗入,但尚需时间建立规模化的实力。由於上述五大原料之中,除 FTO 导电玻璃是属於
硅基薄膜电池专用原料外,馀多与半导体丶 LCD 及晶硅电池同爲共用原料,各行业的需求量消耗量大,
而且也处在稳定或高度成长之中。
  可以预见的是,未来这些原料的价格在庞大的需求下,当是易涨难跌,且一丶二年内很可能出现
供应紧缺状况,进一步推升硅基薄膜电池成本,以及影响薄膜厂的産能开出。针对原料成本的控管及
货源的确保,国内薄膜厂可有三种的因应之道:

   1)改用国産原料

  这是废话,不用多做解释,关键是品质要爲薄膜厂所能接受。目前除特气国内不能生産外,其馀
原料皆有国内企业投入。以目前来看,超白玻璃已可替代,靶材其次,EVA 尚有待努力。而 FTO 导
电玻璃,在中国科技量産之後,相信应有机会完成取代,不过还需要国内薄膜厂实际试用。

   2)厂商联合采购

  国内的薄膜厂工艺大同小异,所需原料几乎一样,差别在於进货的数量,以及对於品质的要求不
一。由於目前国内薄膜厂的産能都不大,因此难以从供应商手获得较优惠的采购价格,但若将国内所
有薄膜厂的産能加起来,那麽总需求就很可观,以 08 年计起码有 350MW 以上。
  天津津能:25MW
  威海蓝星: 5MW
  源畅光电:155MW
  蚌埠普乐:10MW
南通强生:75MW
  山东东营:10MW
  慈溪光伏:10MW
  泉州欧德:30MW
  深圳拓日:30MW
  中山诠欣:10MW
  …

  因此,若是国内薄膜厂间能够联合彼此的需求,统一与国内或国外原厂或代理商谈判,在相信以
超过 350MW 的需求量,其价格应会比单一厂商的进货价低很多。当然,薄膜厂要全部联合采购有其
难度,但部份薄膜厂间的合作,也许会比较容易实现(如采用同一技术来源的厂商,如 Oerlikon 系
丶华基系丶思博露系等)。

  3)签订长期合约

  情形同硅料,不多解释。



参丶中游制造



   中游制造概分两类,一是设备制造,二是组件制造,本处只列前者,後者请参阅「各硅基薄膜设
备商一览」资料。笔者根据各硅基薄膜设备商概况一览表,归纳硅基薄膜电池设备发展的几项趋势如
下:

  1.占地空间缩小化->减少土地丶厂房成本。

    大尺寸设备商:Oerlikon 20MW      6,000 平方米
           AMAT     40MW    20,000 平方米
           ULVAC 25MW       25,000 平方米
           XsunX     25MW         无资料
    小尺寸设备商:NanoPV     5MW     2,500 平方米
           华基光电       5MW    3,300 平方米
           北仪创新       5MW    4,000 平方米
           EnergSolar 5MW      7,900 平方米
           EPV        5MW   12,000 平方米
           思博露        5MW   24,000 平方米
           普乐         5MW   25,000 平方米

  2.导电玻璃自制化->减少原料成本。

    外购原料成本:165 RMB/m2(预估)
自制原料成本: 80 RMB/m2(预估)

  3.组件尺寸加大化->提高産能。

    大尺寸设备商:Oerlikon 20MW 1.1 x 1.3 m2
           ULVAC 25MW 1.1 x 1.4 m2
           XsunX     25MW 1.0 x 1.6 m2
           AMAT     40MW 2.2 x 2.6 m2
    小尺寸设备商:NanoPV     5MW 1.397 x 0.635m2
           华基光电       5MW 1.245 x 0.635m2
           北仪创新       5MW 1.245 x 0.635m2
           EnergSolar 5MW 1.245 x 0.635m2
           EPV        5MW 1.245 x 0.635m2
           思博露         5MW 1.252 x 0.642m2
           普乐          5MW 1.245 x 0.635m2

  4.生産高度自动化->提高良率丶增加産能;减少人员成本。

    大尺寸设备商:Oerlikon 20MW 130 人
           ULVAC 25MW 150 人
           AMAT     40MW 120 人
    小尺寸设备商:NanoPV     5MW 120 人
           华基光电      5MW 100 人
           北仪创新      5MW 无资料
           EnergSolar 5MW 80 人
           EPV       5MW 120 人
           思博露       5MW 170 人
           普乐        5MW 110 人

  5.规格标准面板化->减少设备丶维修成本。
    (注:面板化是指与 TFT-LCD 业産相似或一致,如玻璃基板尺寸)

  6.委托代工台制化->减少设备丶运输丶维修成本,就近服务客戶。

    大尺寸设备商:ULVAC  北儒精密
           AMAT   北儒精密丶帆宣科技
    小尺寸设备商:NanoPV 北儒精密
           华基光电 中华联合
           EPV    北儒精密

  基本上,要投资一条硅基薄膜电池生産线,其成本包括土地丶厂房丶设备丶人员丶原料丶能耗丶
良率丶运输丶维修丶税费等项目的总计,其中设备居於重要的关键,因爲其它项目的成本,通常是根
据设备而决定的。
   由於 TFT-LCD 面板前段程制与 A-Si 电池非常相似,二者的设备具有高度的通用性,所以目前市
场上主要的硅基薄膜设备商,本身多半就是 TFT-LCD 设备商。而台湾目前是世界第四大半导体丶第
一大 TFT-LCD 産值地区,该地具有成熟丶完成的産业供应链,再加上台商富弹性丶低成本丶高品质、
近市场及良好的经营管理能力,故各大小设备商均不约而同的到台湾寻找加工厂。
   换个角度来看,国内的设备商未来若想跨入大尺寸组件市场,或进一步降低设备的制造成本,那
麽在设备规格标准的采用设计上,力求与 TFT-LCD 産业合流,并与台湾 TFT-LCD 设备合作,将会
是一个重要的发展方向。其次,与大尺寸设备商相较,国内小尺寸设备産能小丶占地大丶人员使用多,
於竞争上处於不利地位,故实现生産自动化以减少设备占地空间丶人员使用,当是另一个发展重点。
   也许有人会认爲国内土地广大丶专科以上人力资源不虞匮乏,故土地丶人员不是问题。但笔者以
爲,国内爲避免经济过热,对於土地的管控措施易紧难松,企业不容易取得大面积而廉价的土地。其
次,随着新劳动合同法的实施,企业的人事成本只会进一步的增加,不会减少。最後,就是半自动生
産线扩産,远远比不上自动化生産线容易,对於企业於産能丶速度的竞争上,则是最爲不利的一点。
   以下,笔者针对 EPV 技术系别,罗列相关的设备制造商,这是国内企业有实力且有机会切入的区
块,也是国内薄膜厂能否进一步降低成本的关键所在(非采用 EPV 之薄膜厂,另当别论)。其馀系别,
在可见的二丶三年内,国内厂商基本上是没有参与的馀地,至多只是设备代工而已。所以,笔者无意
爲 AMAT 丶 Oerlikon 丶 ULVAC 或将来的 Jusung 打工,替其罗列相关设备制造商的资料,有意者
请自行搜集。

  注1:设备项目依照生産流程排序。
  注2:资料收集以国内厂商爲主丶国外爲辅;收集的范围,一是以有薄膜厂实际采用实绩者爲优
先,二是有産品有明确标示爲硅基薄膜电池用者,三是 TFT-LCD 设备商可能跨入者(主要是台商)。
  注3:感谢论坛诸大牛丶高手提供相关资料。



相关讨论:

关于太阳能电池第一二三代的划分:

问:一个是关于太阳能电池第一二三代的划分,我在网上查了一下,似乎认识还不统一,关键是第二
代似乎没有明确的特征,第三代似乎又把所有新东西都包括进去了。
另外想请教一下您对于非硅基太阳能电池发展前景的看法,包括有机物太阳能电池。如果能做出来低
价的有机物电池,用于日用消费品领域(从而寿命问题不那么重要,有个两三年就行),是不是就会
有很大的市场呢?

答:划分都是人为的结果,
就跟战斗机划代一样,俄国人美国人就不一样。很不好说这个划代到底有什么意义。

第二代一般指薄膜电池,出现的比硅晶体电池晚,能够量产了。

第三代,有些人认为指量子阱之类新结构的,和一二代有了根本的革命性的改变。
若能成功,不仅光伏有突破:能用极便宜常见的材料(硅及氧化物)通过设计组成,达到 50%以上的
效率,发电成本可能比核电还低;对于整个材料科学和电子技术,也是次革命。

把 DSSC 染料敏化和有机算作第三代,我觉得不妥,这两个东西并没有根本突破,只是一直没法量产

找你问问哪一家光伏公司的前景好、股票能长的快?!
哈哈,开个玩笑!

First Solar 肯定前景好,不过股价已经挺高了。 2
他是做 CdTe 薄膜的,现在 GE 也要做这个,证明这个技术还是行的。

Evergreen 的带硅技术一直是叫好不叫座。hehe,其实这个不算很新的技术,几乎所有的教科书都
要提到。但他就是一直没法把技术转化为利润。股价好像是不到 2$。现在要在武汉建厂,不知能不能
依靠中国的低成本实现华丽转身。

楼主好,我比较关心股票,呵呵
看一些资料,说今年 7 月份德国会调低太阳能补贴,有人把这和 08 年西班牙调低补贴的后果相比,
当然 08 年还有金融危机。那么会不会造成多晶硅产能过剩,价格再次下跌呢?听说国内现在有 1W
吨的多晶硅产能,在建的有 8W 吨,这会不会对多晶硅的供需在下半年发生逆转,由上半年的供不应
求到供过于求?谢谢!

国内真正的产能有多大 是个未知数
吹牛皮的事太多了。很多号称产能很大的厂,如果真按当初的说的,应该现在已近完工了。

目前硅料还是比较缺的,进口料不少。下半年就不知道了。国外大厂都在扩产,听说是重新设计了生
产线。

请教一下 baysix 是什么材料
特殊的 multi-crystalline 么?还是 q-cell 的产品代号?

baysix 好像就是一种质量比较好的多晶硅片商品名而已
Deutsche Solar 产的,有论文里见过,没见到什么特别不同。当然,可能我见识也不够。

Q-cell 应该不做硅片,只做电池。国内某厂曾说自己很专业,原文大概是“像 Q-cell 一样专注于高效
电池。” 后来改成“像 INTEL 专注于处理器一样。。。”



半导体主流现在是 12 寸
个别说是未来几年要搞 18 寸。16 寸的估计是没人要上了。

另外,你这个转换纪录太低了吧。目前实验室最高纪录都 40%多了。
40%多的好像还是硅基的
这玩意儿即要聚光(额外聚光器件),还要分谱(device 本身设计比较复杂)。
不过这应该是以后主流吧,至少要聚光。

硅的不可能很高
硅的理论极限是 29%,不聚光下。
硅也没法分谱,因为禁带宽度没法调。III-V 族是合金,改改成分就可以了。




硅聚光不能太高倍数(上千倍),因为聚光下温度升高到一定程度后,硅效率会下降很厉害。
砷化镓之类的温度系数就小很多。

聚光的好处与不足以后详细说。过去,现在,至少五年内聚光都不会是主流。

查出来了,去年 41.1%的用得是锗基。
我说的是硅基还是锗基,都是说 substrate。锗基上面的晶格匹配用得是三五(GaInP/GaInAs)。
理论上硅可以搞合金,也就是 bandgap engineering,从而突破纯硅的理论极限。非太阳能电池里有
锗硅,碳硅等。

靠硅分谱应该可以。红光和蓝光的穿透深度是不一样的。在不同的深度做 junction,完全可以。现有
的非太阳能电池产品是数码相机里面的感光器件(foveon X3, 适马 DSLR 里)。还有硅的合金里,比
如锗硅,我们可以通过调节锗的百分比来调节 bandgap。

最后,目前世界纪录的太阳能电池聚光率大概在 300-400 倍。上千的是太高了。

Ge 的 gap 是 0.7eV,放到最下面可以吸收红外光
常见的三个 PN 结的就用 Ge。
硅的 gap 是 1.12eV,不大不小,晶格还失配。

substrate 吸收的光不多,吸光的是上面的 3-5.

这个硅的合金,应该不叫硅了吧。SiGe 做合金容易,顺便调。碳硅就不行了,有碳在,硅晶体就好
不了。除非就干脆碳多些,就是碳化硅。但 SiC 的 gap 上了 2,太高了些。

应该说硅合金可以分谱。不过实际不大可行。
“从而突破纯硅的理论极限”这个要做到,还得看所谓第三代电池:量子井电池,理论能到 80%。

非硅的电池没怎么注意。我上的上千是说经济上合适的倍数。几百倍,硅聚光电池也能做。3-5 族的
聚光电池,上千后真正成本上有竞争力。

感慨 1
 我自己是在一家国企的多晶硅厂工作,已经两年了。从事的是分析岗位,色谱仪和质谱仪都在应用,
最后测试硅片多子少子情况用的红外光谱仪等都是清一色的美国公司。
 从工业硅-多晶硅-单晶硅-硅片-电池片-组件-系统知道的不多,现在已经从最初端走到电池
片行业了。感觉多晶硅市场很麻烦。
  就像河友所说的干到最后,大家都没饭吃了,公司在纯度和 wacker 比较,已经哪个两年了,几
乎还是天壤之别。很痛心,全国又上这么多项目,很多地方那个野鸡大专的学生,就是在我公司呆了
不到半年都敢去私企当总工,感觉很可怕。

您估计 2010 年光伏行业复苏可能性大吗?

09 年下半年就复苏了啊
现在都是忙不过来,要扩产。

请教专业人士几个问题
1. 国内和国外技术差别,瓶颈在哪里?
2. 你说国外成本比国内低,质量比国内好,能给出具体数据吗?
比如生产同样的光电池,所需要的成本以及所需能量分别是多少?
3. 生产过程中产生的污染量,国内和国外有什么差别吗?

Re:  1
1. 国内和国外技术差别,瓶颈在哪里?
上一段说的是设备,这个差距在很多个细节中,主要是精度和稳定性。例如很多设备必不可少的
MFC-质量流量控制器,就得用进口货。
还有个事,就是国内为了节省成本,设备故意不用好材料。然后久了用户还得自己换。

2. 你说国外成本比国内低,质量比国内好,能给出具体数据吗?
比如生产同样的光电池,所需要的成本以及所需能量分别是多少?
这个说的是多晶硅料,耗电比国内低是公认的。质量嘛,接触到的厂家都喜欢用国外料,差的国产料
有过不少例子。原料厂家给出的杂质含量,不可信,反正都是在规格限下,用户只信自己做出来的结
果。

硅片做成电池这个过程耗能不多,没什么差别。

3. 生产过程中产生的污染量,国内和国外有什么差别吗?
应该是三废什么回收有差别吧。有开始雨水和废水管混排,后来才改的。这种情况发达国家应该没有
吧。

-----------ha,这个帖子中的国外,当然指老牌工业国,第三世界国家没考虑过。

耗电比国内低有具体数据吗
>多晶硅料,耗电比国内低是公认的
分别耗电多少有具体数据吗?
另外,一个比较常用的衡量标准是做成电池后使用多少个月能够回收制造过程中的电力(当然对使用
条件有一定的假定),我几年前看到的国外数据最短是六个月,平均是 18 个月。这个国内数据是多
少?

质量问题,从你的叙述中我猜更多是因为管理问题--比如为了过分节省成本造成的,而不是技术差
别,对吧?

多晶硅料的生产我不熟
我只是从使用者的角度去看待原料。

多晶硅料提纯是全部环节中耗电最大的。其他的环节耗电小些,而且不同企业间的差别不大。
所以可以认为提纯这步决定了晶体硅电池的回收周期。
多晶硅提纯耗电量具体到数字,我不是做这个的,没法给出。其他人说的,网上就能看到不少。

回收周期这个,不同的人、机构给出值相差太大了。一般就比较不同技术(硅、CdTe。。。)的差异。

应该很多质量问题都是完全可以不出现的。至少,有的厂就不该出现新料比老料差很多。

跟风
 CELL 厂商跟风很严重,大电池公司什么设备,别的也采购同样设备,包括 PECVD 机,丝网印刷
机,烧结炉,和分检机,尽管都是采购外国设备,价格不菲。
  清洗机和扩散炉,刻蚀机即使都是国产,但是也是用同一家公司,真让人感慨。

这个跟风最重要的原因应该是师出同门
一般的厂的技术人员,都是来自于最开始的建的那么几个厂。如无锡某厂。这些先驱者本身就比较乱,
留不住人。技术人员的地位工资低,天天倒班,是厂里学历最高的一群,又做着最重要的事,当然不
肯干了。
某厂还被称是所学校,大家对要出去的说,恭喜,镀金完毕,可以出山了。
其他后建的厂又一个劲挖人。
出去的到了新厂,自然选择自己熟悉的设备和工艺。

搜下 cell 厂的高层,会发现很多都来自 UNSW。

Google 下杨怀进这个人的传奇,^_^

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Guangfu中国光伏

  • 1. 【原创】 真正光伏业内人说光伏 (1) BY: 西河 phjhuan 这个行业真正兴起,也就几年的事。 更新的都在下面,看右边也能看到题目 这个题目是有点托大,不过想着某大厂的一些普工,能靠完全照抄,在小厂当工艺主管;某些根正苗 红的 Master 和 Doctor,能靠头上的光环,什么都不用做就成了研发主管;某些老先生,能在一年又 一年的展会上,用几乎没改过的 PPT,重复放着谁都知道的数据和图表,仍然能够被称为权威;就觉 得这个还是可以的。 【原创】多晶硅—单晶硅 链接出处 这篇文章和这一系列写的其实很全了,不够有不少错误或者说不足,大家可以看下先。 红字为原文,下面黑字是点评。 1/高纯度的石英矿砂,从开采到炼成 97%纯度的硅铁,大量耗电耗油料——可对比炼铝 第一,这个冶炼出来的硅是“金属硅”,不是硅铁。之所以叫金属硅,是因为这个硅的光泽很像金属。 硅在元素周期表上介于金属和非金属之间,因此有些人叫它半金属。实际上硅结构类似金刚石,是共 价键结合,和金属不管结构还是电性能差别还是很大的。硅铁这个词冶金上指的硅和铁的合金,主要 是用来炼硅钢(就是变压器用的那个)和钢水脱氧的。 第二,金属硅的纯度从 95%到 99%都有,高些的一般用在有机硅上。对西门子法而已,95%的纯度 已经够了。金属硅冶炼也是电弧炉,但和炼铝差别还是很大。电解铝是直接用电硬生生把氧化硅给拆 开了,而氧化硅是用碳还原的,电只不过用来加热。这个过程只耗电和碳,不用油的。1kg 硅要约 10 度电,耗电很大,不过和下一步比起来,只是皮毛。 2/用纯度 97%的硅铁,使用化学方法,反应生成多晶硅的原料三氯氢硅(另外一种专利生产方法用 硅烷)。自然也是高耗能过程。 这个过程就是所谓的西门子法或硅烷法。是真正的高耗电过程。因为三氯氢硅要反反复复的分馏、提 纯,不断升温降温,无数的电就消耗在冷却水上了。接下来的硅沉积是个高温下的 CVD(chemical vapor deposition )过程,又是烧电。1kg 硅要 100 到 300 度电。硅烷法耗电相对低一些,不过 硅烷 SiH4 是个很危险的气体,容易爆炸。
  • 3. 3/“西门子法”生产多晶硅,在很大的反应釜里,用高纯度的多晶硅籽晶细长条(筷子粗细),搭成一 个倒写的“U”型,两个端头接石墨电极,通大电流,反应釜里的三氯氢硅分离,硅原子一个一个的沉 积到籽晶上,最后达到六英寸左右粗细。多晶硅棒纯度能达到 7 个 9 以上。 反应釜还通氢气,我们需要的反应是:SiHCl3 + H2 = Si + 3HCl。 但这个会有很多副反应,副产品很多,真正能得到的硅倒不多。 上面写的“籽晶”,严格来说是叫硅芯,英文学术名到底叫什么,我也不知道,看到好几种说法。 4/手工用纯钨榔头把多晶硅棒敲成拳头大小的多晶硅块,卖到单晶硅棒或多晶硅锭生产厂家。 最好是用硅砸硅,这样就不会带来金属污染。我看见的锤子都是铬不锈钢做的。用 W 做的锤子没见过, W 是降低硅少子寿命极为厉害的元素。铬和铁相对 W 而言,好一点点。 到底用什么做锤子好,我也不知。 PS:最近又听说用钴做的锤子好。 5/多晶硅块,微量的添加剂(太阳能中用硼,形成 P 型半导体)放到很大的石英坩埚里,单晶硅炉用 的坩埚是圆形的,(多经硅炉用的坩埚是方形的)。石墨加热器,电加热多晶硅融化,炉子上部机构 用一个晶体取向已知的籽晶(比如说[110]), 探到硅液面,然后程控缓慢拉起,拉出一根一米多长 8 英寸直径的晶棒,估计需要一个工作日(只是个人估计,我只是到车间看看而已,并非专家)。 这个籽晶,是对单晶而言的,多晶的工艺和铸造差不多。 拉单晶,用的是所谓 Czochralski 法,具体过程自己搜之。 做电池的单晶硅,都是用的 100 晶向,半导体上还用 111,110 晶向用的比较少。 6/晶棒滚圆,切方,然后用多线切割机切片,厚薄和晶棒直径(或边长)有关,小的可以切薄一点, 大的可以厚一点,不会厚过 0.75 毫米。 厚薄主要取决于切线设备,还有是单晶还是多晶。棒直径倒是其次。单晶可以薄些,多晶要厚,因为 多晶强度低。 目前厚度一般是 200 微米到 180 微米。 因为多晶硅一直是光伏电池的瓶颈,所以一直有人在想其他的办法。能不能直接用冶金方法得到较高 纯度的太阳能级别多晶硅?我最开始关注这个问题时,做这项工作的是一家挪威的矿业公司。过了些 年,真正有了进展的是美国加拿大的几家公司。其中有美国的道-康宁公司,加拿大魁北克省的 Becancour 公司,还有一家在多伦多附近,公司名字就把产品纯度点明了,叫 6N Silicon。我第一 次给这家公司打电话时,问他们的副总,你们这个 6N 的意思是不是 6 个 9(Nine)的意思?他回答 是的!这家公司得到了加拿大政府创新基金的资助。 冶金方法生产的多晶硅,有点像拉单晶剩在坩埚底部的埚底料(pot scrap)的样子,亮晶晶的。这 种多晶硅的使用方法是有讲究的,这里不多说。
  • 4. 这张照片是埚底料。 这里所说的“冶金方法生产的多晶硅”就是 UMG-Si(Upgraded Metallurgical Silicon ),即冶金法 (或谓之物理法)提纯的金属硅,纯度一般只能达到 4N~5N,且极不稳定,可能生产者自己都不知 道这次到底做的怎么样。目前技术水平下,是不可能通过冶金法在工业规模下将硅提纯到高效电池应 用的所需的纯度。宣传能做到 6N 的厂家很多,靠谱的没几个。 “有点像拉单晶剩在坩埚底部的埚底料(pot scrap)” 呵呵,这个金属硅和锅底料外观都成这样的原因是,这些硅都是自然无方向性冷却的,硅各个晶粒乱 长,就成这样了。仔细看下,会发现很多成树枝状的,学过金属学之类的就知道,不多说了。 多晶硅炉子是比较昂贵,比较复杂的。当时能做这种炉子的公司有两家,一家是美国新罕布什尔州的 GT Solar,其创始人是印度人 Kedar-Gupta,GT Solar 公司生意曾经好到你先交钱还要等一年才 能拿到炉子的地步。另一家公司是英国的 Crystalox,公司位于牛津郡。那时候 Crystalox 既生产设 备,也生产多晶硅锭。现在这家公司已经被德国的 PV World 公司兼并,公司名称是 PV Crystalox。 设备不外卖了。 宁波公司的炉子是英国的。现在宁波公司自己已经能够生产多晶硅炉子了。国内有这个能力的还有北 京通州区的京运通公司。 GT 的炉子是 HEM 热交换法。多晶铸锭还有其他方法,不过没什么人采用。GT 最早的技术来源还像 是买了某公司生产蓝宝石的炉子。 国内现在能做多晶炉的现在多了,大都是抄的 GT 炉子,抄的惟妙惟肖,能和 GT 的铸造出一样大的 锭子 ingot 了,800kg。
  • 5. 【原创】单晶硅-多晶硅(续 2) [ 大地窝铺 ] 链接出处 铸造多晶硅锭、拉单晶硅用的料。 这个料都是拉单晶剩下的头尾料,回收的。 这漂亮的硅片,我忍不住提前奉献出来了。从程序上,还没有到这里。硅片上有防反射氮化硅层,氮 化硅层厚薄不一样,硅片的颜色也就不一样。
  • 6. 多晶硅片显得很花,里头有很多大小不同的块块,这是因为各个晶粒的晶向不一样,造成反射率不同。 一般电池片都是蓝色,这样有利于利用电池量子效率最高的绿光波段。80nm,n=2 的氮化硅膜。 膜厚改下颜色就变了,不过会影响效率。世博会中国馆就用了彩色电池片。 有色金属研究院(有研硅股)的硅材料的专家那里可能有故事。 拉硅单晶有两种方法,一种是 Czochralski(花差花差斯基)法,太难叫,太难记,大家都说直拉法, 或者 CZ 法。另一种是区熔法(区域熔化法)。本贴先说直拉法单晶。 这是 Kayax 公司的 CG-3000 型单晶炉。用这型单晶炉,典型单晶直径是 5 英寸。 太阳能行业用的单晶硅片最大 8 英寸,半导体行业用的硅片最大的 12 英寸。 国内生产单晶硅的公司很多了,生产单晶炉的厂家主要是西安理工大学校办工厂和北京的京运通公司。 以前硅是有色金属系统管的。有色院、洛阳、峨眉都做的早,那时是供半导体用的。 Czochralski 一般也叫柴氏法。 Kayax 的炉子挺好,适合做半导体。 国内开始是西安理工的机械系做单晶炉,一查论文,全是西安理工的。现在国内各个厂,如果不是合 资的,技术或多或少来源于或者说抄袭于西安理工,连外形、命名方式都差不多,一样的丑?!! 可惜西安理工没抓住机遇(体制的必然?),这么大的市场被后来者瓜分了,现在买单晶炉的,可能 西安理工都不会算个选择项了。
  • 7. 合资厂的技术,就是洋人早停产产品的技术,但就这样,还是比国内的好不少。这是个悲哀的现实。 不过国人模仿能力强,做到水平接近相信不难。 一台单晶炉一两百万 RMB,用起来后,耗材和电费就远超过这个数。拉单晶一次(90KG),高纯氩 气用掉几千块,石英坩埚是一次性的,上千,碳制品的折旧上千,电费几千块(烧到快 2000 度要几 十个小时,能不费吗)。就跟用个十块钱的热得快烧水一样。 现在太阳能行业用的单晶硅片是 6.5 和 8inch,8inch 的比例在增多。用更大的也行,经济上有些划 不来,而且也容易在生产过程中破碎。直径越大,拉晶难度就越大,成品率会降低,8inch 是常规设 备(不用磁场)差不多可行的一个极限了。 半导体业都说要用 15 和 18inch 的了。晶圆越大,光刻平摊到每个 chip 成本越低。而光刻是半导体 工艺最费钱的之一。 呵,光刻是光伏工艺极力避免用的技术。只听说过 sunpower 早些时候的电池用过。 ------------------------------------------------- 【原创】多晶硅—单晶硅(续 4—区熔单晶硅) 链接出处 区熔单晶的最大好处是生产过程中不接触到设备,杂质特别少。其低碳低氧是 Cz 法无法做到的。但 成本很高,而且没法做大直径的晶棒。 硅光伏转换效率的世界纪录,就是用掺 B 的 FZ 硅做的,24.7%,后来重新计算是 25%。UNSW 的 赵建华,现在是南京中电的 CTO。 写的越来越没个头绪了,我本来是要写电池的,一下铺的太开了。 一块硅矿石要发电,一般是需要经过如下几步: 硅矿石->冶炼成金属硅->提纯成多晶硅料->单晶硅棒 or 多晶硅铸锭->切成硅片->电池片->封装成 组件->加上其他电气元件成系统 其中技术含量最高的一步,是把硅片做成电池片。 最没技术含量的,是把电池片封装成组件。组件厂全国有好几百家,几百万就能开个厂。就是把电池 片焊接在一起,然后正面盖上玻璃,背面盖上塑料板,边上加个铝边框。电池片不直接和玻璃、塑料 背板接触,中间加了一层 EVA 胶(乙烯、醋酸乙烯酯的聚合物)。 这个玻璃,得用超白低铁的玻璃,国内能做的很多。背板,用了含 F 的塑料,基本被杜邦之类寡头垄 断了。 这个过程得用个层压机把他们这五层给加热压实。这是组件厂唯一一个没法手工作的活。做完了就成 下面这样子。
  • 8. 这里头用的电池片很特别,sunpower 的,以后细说。 乱插一段 这场 2000 年前后开始兴起的光伏热,归根结底是被政策给提前催熟的。和中国股市一样,这是个不 折不扣的政策市。 最早的市场是德国(封闭的日本不算)。按理说德国并不是个很适合光伏发电的地方,纬度太高了些, 光照不够强,但补贴政策带来了急剧增长。 然后西班牙:本来德国市场是无法满足增长比市场还快的巨大产能,但西班牙及时的跟着来了补贴。 西班牙位置好,适合光伏。 依靠工业底子,德国有了一堆赫赫有名的电池厂和设备商,Q-cell,CT,RENA。。。。。 设备商在中国市场吃了个饱,几乎所有中国电池厂都有德国设备。德国设备确实是好,在众多国外厂 家中也突出。看了干干净净的德国货,再看漏水的中国山寨货,会有种拿锤子砸的冲动。 电池厂运气就没这么好了,后来兴起的中国低价电池既拉低了利润,又占了市场。德国调低补贴后, 更不好过了,也只有贱价的中国电池厂能适应。 然后,意大利、英国的补贴也来了。 英国本来有 BP,没错,就是石油那个,BP 挺早就做电池了,还买了 UNSW 的专利,做埋栅刻槽电 池,算是很早的高效电池。 BP 还独有个技术,单晶铸锭,用类似一般多晶铸锭的设备,做出单晶来,成本比常见的 Cz 法拉单晶
  • 9. 低很多。原理说起来很简单,但实用化不简单。 但 BP 的市场地位一直再降,只好到中国来开工厂了。 日本生产太阳能电池,也有很长的时间,Sharp,京瓷,三洋等的产量和技术都不错。日本国内市场 比较大,很多都是自产自销了。小日本是较为封闭的。中国电池厂遍地开花时,日本人有钱不挣,不 卖技术,都让给欧美厂家了,现在日系技术在国内几乎见不到。 现在说说中国电池片设备商。现在设备基本上能国产了,至于怎么样,只能说是典型的国货。 最大的赢家应该是 48 所和捷佳创。不是说这两家现在地位最高,而是说这两家本来像风中的一颗尘 埃般无足轻重,但抓住了机遇,华丽的蜕变了。 48 所以扩散炉为开端,现在基本上什么都能做了,应该是国内少有的晶体硅电池生产能 turnkey 的。 捷佳创是做清洗和 texture(中文的翻译实在误导人)机器的,听说是被运气撞了,订单忙不过来。 现在的新产品的质量不知道,老的那种,就是让人想拿锤子的。 不知道是不是太阳能电池这个圈子特别小的原因,大家用的设备都差不多,工艺参数一般也是相似。 两个初次见面的技术人员很可能会发生这样的对话: 1:你们那用的什么扩散炉? 2:CT 和 48 所的。 1:我们用的是 48 所和 Tem... 2: 对了,你认识 XXX 不,他是。。。 1:哦,他是我同学/同事,他现在到。。。去了 2:恩,我也好几个同事到。。。去了。 中国在光伏,主要是晶体硅上的巨大优势是: 晶体硅电池,只能算制造业,算不上高技术,技术门槛不能和半导体比,但比组装电脑还是高了不少。 这样就尤其适合中国这种工人多,工科毕业生也多,科研又不很强的情况。 而且中国基础设施好,几乎到哪都能建,在地方政府的发烧脑袋推动下,除了西藏,应该每个省都有 不小规模的相关产业。 国内工业门类又齐全,相关配套的绝大部分能提供,至少能解决有无的问题。 目前,不仅日本和欧洲,来自中国大陆、台湾乃至印度等地的新厂商也在纷纷涉足太阳能电池制造业 务。这类企业与一揽子供应制造装置厂商合作,以期降低制造成本。印度方面,还出现了以此前一半 的价格一揽子供应制造装置的装置厂商。此次的合资公司的设立,“是日本厂商对抗统包解决方案 (Turnkey Solution)战略的一环”(太阳能电池技术人员),今后成功与否将备受关注。 东电电子此前一直向所有太阳能电池学会派遣了信息收集人员,一边从事太阳能电池的基础研究, 一边寻找涉足太阳能电池业务的机会。太阳能电池业内人士就此次合资公司的设立评论说:“在一步走
  • 10. 错便步步难追的局面下,东电电子的此举却获得了最好的客户”。这是因为,该公司除可向夏普年产能 达 1GW 的大型新工厂供应制造装置外,还能够学习其先进技术。东电电子表示,“详细事宜尚未确定, 不过将来还计划向其它公司销售制造装置”(宣传负责人)。 《日经微器件》预定在 2008 年 3 月刊中以“印度的制造力~继中国大陆台湾韩国之后的新威胁 (暂定)”为题,以太阳能电池为中心介绍印度的电子元件制造情况。(记者:河合 基伸) 以上是日本人 2008 年的报道。但现在呢,印度基本上是个空白。用脚趾头想下也知道,那种天天断 电的地方怎么可能。 台湾人也来大陆建厂了,不然肯定竞争不过大陆。台湾在技术上不比大陆强,优势在于生产和管理。 但就像富士康一样,长远看肯定是比亚迪脚下的石头。 相对于发展中国家,中国具有高出个档次的技术和人才优势。相对于老牌工业国,有无敌的贱价“中国 制造”。 除开晶体硅的其他非主流技术,主要是薄膜硅、CdTe 薄膜、CIGS(铜铟镓锡)。 薄膜硅技术取得很大的突破的可能性不大,而且薄膜硅国内和世界先进水平应该差别不太大。ps.施振 荣的博士论文就是靠把硅薄膜长在玻璃上 CdTe 应该难成为主流技术,Te 稀有,Cd 有毒(畏惧心理就会吓跑很多人)。 CIGS,呵呵,里头有铟,铟稀少的很,主要产于中国。以前一个做薄膜的老师就说,估计这么少的 铟在显示器上都不够用。而且,用出去的铟还没法回收——以纳米计算厚度的薄薄一层。 ps. 铟主要用于生产 ITO 靶材(液晶显示器),占铟消费量的 70%。 CIGS 技术的吸引力还是挺大的,如果能研究出用其他元素代替铟,或者此结构的廉价变体,将是非 常有前途的。 对于晶体硅电池,现在还不能国产的有: 1 电池正面电极的银浆。 除开电镀正面电极的,一般的电池要用三种电子浆料,正面银浆、背面铝浆、背面银(铝)浆。背面 铝浆早已国产了。背面银(铝)浆现在用的应该大都还是进口的,不过这个浆料对电池性能影响相对 小,而且技术难度相对小。 正面银浆对电池的性能影响很大!用来做栅线,100 微米宽,用量很小。这个浆料技术难度很大,好 几个性能都要满足,而且不同性能对浆料的设计是相互打架。
  • 11. 以前是用杜邦的多,听说是广东有个厂生产,里头就单做生产,有技术含量的一点都没放在那。现在 其他进口浆料也多了,不比杜邦差。 这个东西浆料厂一直花了很大力气改进,进步也很快。国内厂家要追上人家的步伐比较困难。而且这 么关键的东西,使用厂家是不会用差的便宜货。 2 印刷浆料用的全自动丝网印刷机 没错,原理构造和一般印刷上用的丝网一样。印的精度要求很高,并且又要印的很快(和哗哗的印钞 票一样),生产的话只能是全自动。实验室是可以自己慢慢的几分钟一个对准。 48 所的交钥匙全套电池线设备就这个不能自己做。 不要小看这个,微波激发等离子的镀膜设备国人都能做,印刷术的起源地却没法国产。 国内用的最多的是被应用材料公司收购了的意大利的 baccini。 3 把电池自动测试分档的测试设备 测试电池得模拟太阳光,这个就不太容易:太阳不是绝对黑体,光谱就不简单,然后经过大气,很多 特定波段都被吸收了。 4 把硅棒切成硅片的线切割机 硅又脆又硬,每片要切到不到 200 微米厚。 日本 NTC 能做。瑞士应该有几家公司能做,美国应用材料收购了瑞士的 HCT。这个方面的情况知道 的不多,不知道还有漏了的没。 此设备对机械要求很高,考虑到这个和精密机床类似,国内厂家要突破,应该很不容易,毕竟机械是 硬功夫。 5 电池封装成组件用的含 F 塑料背板 杜邦之类寡头做。国内就是做不出来,也能换材料做到性能差不多。 6 光伏系统用的逆变器里头的功率半导体元件 这个就不是太阳能行业所特有的了。功率半导体几乎所有用电的都扯得上,国内就能做个晶闸管,逆 变器要的 IGBT 几乎全进口。光伏真要普及了,得要多少 IGBT 啊。 国外又在研究技术上高一代的 SiC 和 GaN 基的功率元件,只怕差距还会拉大。 ——当然,时间久了上面都会被国产化,至少被山寨化。 应 thait 网友要求,写下正面电极。 更详细情况可见: http://www.chinasolarpv.com/article/html/article_184.html
  • 12. 一般 P 型太阳电池是通过正面电极和背电极输出电能的, 正面电极一般是用银浆印刷而成的。 如下图,可见很多根细白线(细栅,finger)和两根粗白线(busbar,主栅),这是用丝网印刷上银 浆后再烧结而成的。 电池做好后,在 busbar 上面焊上条金属带,把一片片电池给串联起来。 丝网印刷说白了就是一张很多小孔的网(不由联想到了丝袜...),有些地方的孔被盖上,有些地方空 着;铺在半成品电池上面刮浆料,孔没给盖上的地方就漏下银浆了,于是就形成了图案。 不要小看这个印刷机,如前文,全自动的机器还没国产化。 国内用的最多的是 Baccini,意大利的厂,被应用材料给收购了。 显然,这些栅线不能太粗,粗了把光都给挡住了,硅吸不到光。但细了后电阻肯定就大了(可以认为 这个和干电池的内阻相当),所以要求这个银浆必须烧结后本身电阻低。银本身电阻率很低,但是银 浆里头的银含量不多,必须有其他添加物在,所以银浆烧结后电阻率比纯银高了不少。 这是第一个难点。
  • 13. 第二个难点是接触电阻小。银浆是烧结在硅上,必须让他们是欧姆(Ohm)接触,这样才能接触电阻 小。直接让纯银和硅接触会产生肖特基(Schottky)势垒,接触电阻大(这个自己 wiki 或百度百科 或看半导体物理—金属半导体接触去)。所以银浆里头必须带些磷一类的辅助物质,以减小银和硅的 接触电阻。 但问题是,银高温下在硅里头扩散比其他辅助物质快的多。而银如果真扩散到硅里头了,是很要命的 (少数载流子杀手)。所以必须控制烧结温度与时间,这种情况下辅助物质发挥的作用就大打折扣了。 第三,银浆必须有合适的粘度。太干,像面团一样这种极端情况,没法通过丝网的小孔,都堵上了。 太稀了,一滩水,印到电池片上就会铺展开,这样就遮住光了。 现在电池工艺,都是硅片上上面渡上层氮化硅膜后再印刷电极的,这样就要求银浆烧结时必须烧穿这 层氮化硅,这靠浆料里头的铅玻璃可以实现。但也不能穿的太过分,连硅表面的 PN 结都给穿了。 所以,第四,浆料必须有合适的穿透性。 ——正面银浆里头含铅很多的,故一般电池绝对不可能通过 ROHS。国内厂房通风系统又常不好,所 以印刷烧结工段铅污染肯定重。 现在用的比较多的正面银浆有杜邦,heraeus,FERRO。 国内做其他用途的电子浆料的厂很多,但这个还是没突破。国内一些从没做过电子浆料的厂也看中了 这个市场,试图做,他们可能是低估了这个的难度。 ———————————————————————— 前面都是说的一般的电池,下面说说不一般的电池。 【Saturn】土星 BP 的商品名,就是激光刻槽埋栅(LGBC)。UNSW 的技术,然后卖给了 BP。激光在硅上面开个槽, 电极就用电镀在槽里(省略若干步骤)。 这个技术太繁琐,成本太高,独此一家。
  • 15. 这个名字不知道到底是缩写(某君言),还是参照土星取的,以显示更高一筹,是天外科技。 尚德的,考虑到施正荣的渊源,技术应该和UNSW有关。这个尚德吹的很厉害,但是具体情况又不 说。怀疑性能并没有吹的那么牛,所以才遮遮掩掩。 不管性能怎么样,反正宣传的效果达到了。 从其他侧面的信息来看,个人猜测也是激光加电镀,不过制造成本应该比较低。 【A-300】 SunPower 的背接触电池,真正的高技术,用昂贵的半导体工艺来做电池。就是正面没电极了,都在 背面,这样就没有了栅线正面遮光的问题了。 技术前身是来自斯坦福吧,本来是用光刻的,效率是商业电池中最高的。后来换了低成本的工艺,但 价格还是很高。 看,表面全黑。我见过封装好的组件,看起来比一般电池确实颜色深些。 —————————————————————————————— 刚才在找图片的时候,看到了这个 链接出处 创新点 尚德的冥王星技术成功打破了行业的天花板。新产品将单晶硅转化效率提高到了 18.8%,多晶硅
  • 16. 17.2%。冥王星电池组件比传统技术能够多输出约 12%的电量。 创新价值 冥王星多晶硅的转化率已经达到了世界第一,单晶硅转化率排名世界第二。在上海世博会光伏供应商 的招标中,尚德因为突出的性价比优势而最终胜出。 冥王星的竞争力将帮助尚德进一步巩固全球排名前三的市场地位,在尚德的带头示范作用下,目前 2008 年大陆光伏电池产量占全球总量 30%,尚德占其中的 30%,中国光伏产业连续两年成为世界 第一。 ……我真是服了这些嘴巴,是怎么算的第一第二第三啊,前面的三洋,三菱,sunpower 到哪里去了? 国内硅基薄膜电池産业供应链一览 6 这个写的很好,特地转下,因为字数限制,不全。 顺便说下,绝大多数人关注光伏都是因为股票,然后就看了很多证券业的所谓研究报告。 但见到的报告,不说国内的黑大嘴,就是外面的投行,扯的成分更大。 ----------------------------------- ZT:http://bbs.solarzoom.com/viewthread.php?tid=34284&extra=page%3D1 以现时光伏産业而言,硅基薄膜电池虽然在光转效率不如晶硅电池,然在吸光特性丶发电时间上 远胜於晶硅电池,故同样发电功率的光伏系统,硅基薄膜电池已被证明具有较高的发电量。唯一的缺 点,是所需的安装面积远大(目前约2倍)。不过,随着各家薄膜厂更高效电池的大量生産之下,相 信此面积的劣势会日渐缩小。 至於光伏系统造价成本,硅基薄膜电池组件成本虽低,但在 B.O.S.支出则高於晶硅系统(薄膜: 晶硅=4.35:3.10 USD/W)组件,从而抵消了价格优势。再加上因系统面积大,以致安装所需的时 间丶人工费用,也相对较高。因此,硅基薄膜电池要拉开与晶硅电池的差距,朝向与常规能源竞争的 目标前进,光转效率的提高丶组件价格的降低丶 B.O.S.支出的减少,是当前努力的三大重点。至於安 装人工费用的下降,因牵涉到産业的成熟度丶企业投入的多寡以及组件效率的高低等问题,所以其下 降的速度丶幅度,相对於其它部份是比较缓慢的。 总之,未来在愈来愈多企业投入硅基薄膜电池産业之下,薄膜电池光伏系统的发电效率及造价成 本,在可见的二丶三年内,相信会有很大的改善及下降空间。以此对比於晶硅电池産业,未来的竞争 优势当日益突显,高度成长的时期来临,应是指日可待。唯一值得忧虑的是,目前国内硅基薄膜産业 链尚不够完整与成熟,但所面临的竞争的压力却是与日俱增,而国内晶硅産业原料丶技术(含设备) 丶市场三头在外的情况,似乎也已在国内硅基薄膜産业中渐渐成形。 本文主旨,意在拼出国内硅基薄膜産业供应链的完整图像(含台商),提供産业内上下游相关企
  • 17. 业经营者丶投资人从业人员参考,期能以有助於资讯的流通及成本的降低。希望有朝一日,国内也能 够实现硅基薄膜电池産业链从原料到设备的全国産化,进而生産物美价廉的薄膜电池,以能与国外企 业竞争,扩大国産硅基薄膜电池在世界太阳能産业中的影响力及地位。 註1:本文資料以國內企業爲主,國外廠商爲輔。 註2:國內企業設備好壞與否,實際使用狀況如何,筆者不予置評,請閱者自行詢問比選。 註3:感謝論壇內所有提供相關專業資料之高手、大牛。 贰丶上游原料 一丶导电玻璃 指 FTO(SNO2),主要生産商有日本旭硝子(Aasahi)丶板硝子(NSG)与美国 AFG,国内 薄膜厂因需求不大丶尺寸规格特殊,所以议价空间小,进货价格高,甚至有钱也不一定买的到货。由 於没有稳定的 FTO 货源,有些国内薄膜厂则改用 ITO 来代替,效果不好,价格亦贵。 国内目前虽有中国科技 CTDC 投入 FTO 生産,可以提供国内薄膜厂另外一种选择,但以源畅光 电本身的需求,以及中国科技初期规划的规模来看,初期大概也没有多馀的産能供应国内其它组件厂 使用。所以就短期来看,笔者以爲在中国科技还没站稳脚根丶稳定发展之前,华基光电应该不会丶也 没有多馀的设备制造産能,去扶植第二家的 FTO 玻璃供应商,故国内薄膜厂最好还是自求多福,另觅 稳定 FTO 或 ITO 料源。 目前 TFT-LCD 面板需求不断增加,主要的面板厂如 Sharp 丶 Chimei 丶 AUO 丶 Samsung 丶 LG 都有扩厂计划,同时也有愈来愈多的薄膜厂加入量産,相信会加大对於导电玻璃的需求。可以预 见的是,晶硅电池企业争抢硅料的情况,未来很可能会在薄膜电池産业中重现。届时薄膜厂间的竞争 将不是産能丶技术或效率上,而是谁能抢到长期丶稳定而足够的导电玻璃原料,以满足市场的需求。 而在在未来的抢料大战中,国内産能丶资金较小的薄膜厂,很可能会面临料源不足,或只能到现 货市场买高价导电玻璃的窘况,造成産能闲置丶或被淘汰并购,甚至是沦爲其它料源充足薄膜厂的代 工厂。因此,国内的薄膜厂们,应当未雨绸缪,及早因应。 1)国内 1.漳洲中国科技 CTDC http://www.chinactdc.com/solutions/sno2.shtml 産品参数:尚未有量産实品,无资料,仅知尺寸爲 1245x635mm。 平米售价:尚未有量産实品,无资料。 最近概况:A-以 1000 万 HKD 卖掉非核心事业,并增资创大太阳能,全力转进 SNO2 导电玻璃领域。 B-已在漳州开发区购买一座标准五层楼厂房,建筑面积 12,000 平方米,可 容纳 4~6 条 SNO2 导电玻璃生産线,年産量约 300,000~400,000sqm。
  • 18. C-已在漳州开发区另购 148 亩地,供建设可再生能源示范园区及扩厂使用。 D-预计 2008 年 Q1 量産,据闻 07 年 12 底已开始投産。 2.秦皇岛耀华玻璃 http://www.yaohuaglass.com.cn/ 産品参数:A-厚度 4mm,方阻 16 欧,透光率大于 80%。 B-厚度 4mm,方阻 20 欧,透光率大于 80%。 平米售价:A-400 RMB/m2 B-200 RMB/m2 3.广丰太阳能玻璃 www.gfsolarglass.com 産品参数:DSSC 用,方阻 10 欧,透光率>80%,。 http://www.gfsolarglass.com/FTO%20glass.htm 4.武汉格奥仪器(主要代理日本 NSG/英国皮尔金顿/美国 LOF,勉强列入国内供应商,做 爲参考) http://www.nsg.co.jp/ http://www.pilkington.com/ 産品参数:A-厚度 2.2mm,方阻 14~15 欧,透光率>90%。 B-厚度 3.1mm,方阻 8~11 欧,透光率 79~81%,Haze 值 8~12%。 平米售价:A-1200 RMB/m2 B- 无资料 2)国外 1.日本(Asahi) http://www.agc.co.jp/cn/index.html 産品参数:厚度 1mm,方阻 12 欧 平米售价:无资料。 2.美国 AGC Flat Glass(AFG) http://www.afg.com/Category.aspx?id=479 産品参数:参考武汉格奥 平米售价:参考武汉格奥 3.日本板硝子/英国皮尔金顿/美国 LOF http://www.nsg.co.jp/ http://www.pilkington.com/ 産品参数:A-厚度 2.2mm,方阻 14~15 欧,透光率>90%。
  • 19. B-厚度 3.1mm,方阻 8~11 欧,透光率 79~81%,Haze 值 8~12%。 平米售价:A-1200 RMB/m2 B- 无资料。 二丶光伏玻璃 分爲组件封装及衬底沉积用两种,此处衬底沉积用是指薄膜厂自行镀导电膜者(例:Oerlikon 系),笔者假定厂商都采用时下之超白玻璃。若是组件封装用,则视各家工艺的要求而有所不同,或 用一般普通丶或采低铁钢化及硼硅玻璃等,不一而足。 1)衬底沉积用 目前世界上主要的超白玻璃供应商,有美国 PPG 丶加迪安丶英国 Pilkington(已被日本 NSG 收 购)丶法国圣戈班丶日本旭硝子(已并购比利时格拉威宝玻璃集团)。国内的企业,如金晶集团丶中 玻太仓丶常熟耀皮丶南京圣韩丶杭州和合,都是与上述国外企业合资生産,其馀如河南裕华丶信义超 白丶东莞南玻丶常州亚玛顿等,则是企业自主研发而成。 目前超白玻璃市价爲 85 RMB/m2 或 9000 RMB/吨左右,但随着国内丶外各大企业超白玻璃生 産线相继建成投産,长期而言,市场价格应会呈现下降趋势。 值得注意的是,英国 Pilkington 丶美国 LOF 玻璃公司已爲日本板硝子(NSG)所收购, Pilkington 持有国内璃制造商-中国玻璃丶耀皮玻璃各三成及二成股权,而中国玻璃又已全资收购蓝 星璃璃集团(威海蓝星泰瑞光电的母公司),成爲国内最大的浮法玻璃供应商。 最近,Pilkington 与中国玻璃在太仓丶与耀皮玻璃在常熟,各兴建了一条年産 7 万吨丶 1.64 万 吨的超白玻璃生産线,以抢占国内急速成长的太阳能玻璃市场。以此来看,日本 NSG 已间接成爲国 内光伏玻璃市场的最大供应商,産品横跨 ITO 丶 FTO及超白玻璃,未来是否会进一步主导国内相关 玻璃的供应及市场价格,值得薄膜厂关注。 1.天津泰岳(排序由北而南) http://www.tjtaiyue.com/company.asp 年间産能:无资料 産品资料:A-太阳能超白玻璃 http://www.tjtaiyue.com/ProductShow.asp?ArticleID=164 平米售价:无资料 2.金晶集团(技术来源:美国 PPG) 山东金晶:www.cnggg.cn 青岛金晶:www.jinjing.com.cn 年间産能:300 万重箱(日産 600 吨) 産品参数:A-太阳能超白玻璃,常规厚度 3.2mm(3~25mm),透光率>98%,最 大尺寸 2440*3660mm。 平米售价:90 RMB/m2 起。
  • 20. 産品毛利:>50%。(以此可测算生産成本) 3.河南裕华高白玻璃 http://www.hnyuhua.com.cn/ 年间産能:5 万吨(400 万 m2) 産品参数:A-太阳能超白玻玻,常规厚度 3.2mm,透光率>91.8%,最大尺寸无资料。 http://www.hnyuhua.com.cn/ 平米售价:60 RMB/m2 4.河南思可达 www.succeedglass.com 年间産能:450 万 m2 産品参数:A-太阳能超白玻璃,常规厚度 3.2mm(2.5~6mm),透光率无资料,最 大尺寸 1605×1680mm。 http://www.succeedglass.com/cpzq.asp 平米售价:29 RMB/m2 5.南京中宇 www.zyglass.cn 年间産能:无资料 産品参数:A-太阳能超白玻璃,常规厚度 3.2mm(3~22mm),透光率 91.8%,最 大尺寸无资料。 http://www.zyglass.cn/xcmnxw/list.asp?id=451 平米售价:无资料 6.南京圣韩玻璃(技术来源:法国圣戈班) 年间産能:无资料 産品参数:无资料 平米售价:无资料 7.常州亚玛顿光伏玻璃 http://www.czamd.com/gsjj.html 年间産能:300 万 m2 産品资料:A-镀增透膜太阳能超白玻璃 http://www.czamd.com/Product.asp?Catalog=1 平米售价:无资料 8.常熟华光玻璃 http://www.chinasunpower.com/gs.htm 年间産能:无资料 産品资料:A-太阳能超白玻璃 http://www.chinasunpower.com/cp1.htm
  • 21. 平米售价:无资料 9.常熟耀皮特种玻璃(技术来源:英国 Pilkington) www.csypglass.com 年间産能:200 万平方米(日産 150 吨) 産品资料:A-太阳能超白玻璃,常规厚度 3.2mm(3~10mm),透光率≥91%,最 大尺寸宽度 2140mm。 http://www.csypglass.com/newproduct.asp 平米售价:无资料 10.杭州和合玻璃(技术来源:比利时格拉威宝) http://www.heheglass.com/default.aspx 年间産能:两条生産线。 産品资料:A-钢化太阳能超白玻璃,常规厚度 3.2mm(4mm),透光率≥91%,最 大尺寸 1200*2100mm。 http://www.heheglass.com/prolook.aspx?id=347 http://www.heheglass.com/prolook.aspx?id=348 http://www.heheglass.com/prolook.aspx?id=350 平米售价:无资料 11.太仓中玻皮尔金顿特种玻璃(技术来源:英国 Pilkington) http://www.chinaglassholdings.com/ http://www.chinaglassholdings.com/products/products.asp?leibieid=12 年间産能:7 万吨 平米售价:约 7100 RMB/吨 12.东莞南玻太阳能玻璃 http://www.csgglass.com/ 年间産能:9 万吨(约合 1000 万 m2) 産品参数:A-太阳能超白玻璃:常规厚度 3.2mm(2.5~10mm),透光率≥91.6%, 最大尺寸 2250mm×3500mm。 http://www.csgglass.com/ArticleShow.asp?ArticleID=59 B-钢化太阳能超白玻璃:常规厚度 3.2mm(2.8~10mm),透光率 ≥91.6%,最大尺寸 1000mm×2000mm。 http://www.csgglass.com/ArticleShow.asp?ArticleID=60 C-镀增透膜太阳能超白玻璃:常规厚度 3.2mm(2.5~10mm),透光率 ≥94.6%,最大尺寸非钢化玻璃镀膜原板为 2250mm×3500mm 丶钢化玻璃尺寸为 1000mm×2000mm。 http://www.csgglass.com/ArticleShow.asp?ArticleID=61 平米售价:无资料 13.东莞信义超白光伏玻璃
  • 22. http://www.xinyiglass.com/ 年间産能:约 10 万吨(日産 300 吨) 産品参数:A-太阳能超白玻璃:常规厚度 3.2mm(2.5~10mm),透光率 91.6%, 最大尺寸 2250mm×3500mm。 B-钢化太阳能超白玻璃:常规厚度 3.2mm(2.5~10mm),透光率 ≥91.6%,最大尺寸 1200mm×2140mm。 http://www.xinyiglass.com/product_show.php?id=68 平米售价:无资料 産品毛利:50%~60%。 四丶特殊气体(所列资料以硅烷爲主) 沉积非晶硅薄膜所用特气,包括本征用四氢化硅(SiH4)丶搀杂用 PH3&TMB 丶改良用 CH4&H2 及其它用 Ar&N2。由於 SiH4 爲最主要的原料,所占成本最大,其它则用量不多,故本处 只谈硅烷供应。 目前世界最大的 SiH4 特气原料供应商爲 REC Group,占有世界超过八成的市场份额,其馀爲日 本三井化学丶法国 Air Liquide 及美国 MEMC,目前 40liter 的 SiH4 已涨到 US$92-122/kg,预期 不久将会再有 20%的涨幅,而且随着愈来愈多硅基薄膜厂投産,未来长期上涨的趋势不变。 由於国内没有厂商能够制造高纯度 SiH4 特气,主要都是是从国外进口,然後再分装贩卖。虽然 目前国内各家薄膜厂的産能来看,对 SiH4 的需求不大,但各家都有扩産计划,新加入的竞争者也愈 来愈多,况且 SiH4 是 LCD 丶半导体通用原料,産业需求量亦大,故未来难保供应不会出现紧缺状况。 所以,薄膜厂最好及早与特气供应商签订长约(最好是直接向制造商或中国最大代理商接洽), 以免未来 SiH4 成本不断上升,侵蚀利润。 文章参考:3 大产业将掀矽甲烷抢货大战,薄膜太阳能明年大产出 半导体丶面板厂绷紧神经 http://www.digitimes.com.tw/n/article.asp?id=0000077218_A678X21ANR2DDVX7OGU K7 1)SiH4 制造商 1.林德气体中国(Linde Gas) http://www.lindegas.com.cn/international/web/lg/cn/likelgcn.nsf/docbyalias/homepage 中国分支:林德深圳丶林德厦门丶林德苏州丶林德宁波 最近概况:林德集团收购 BOC 对工业气体产业的影响 http://info.315.com.cn/sltinfonews?id=186950&page=1
  • 23. 2.液化空气中国(Air Liquide) http://www.cn.airliquide.com/ 中国分支:http://www.cn.airliquide.com/zh/no-name-3/no-name-9.html 最近概况:法国液空公司(Air Liquide)收购了德国化学品公司梅塞尔·格利夏姆(Messer Griesheim) http://germanyfinance.cn/ns_detail.php?id=1261&nowmenuid=81&cpath=0091:&catid =91 3.空气化工中国(Air Product) http://www.airproducts.com.cn/index.htm 中国分支:http://www.airproducts.com.cn/corporate/AP.htm 最近概况: 4.普莱克斯中国(Praxair) http://www.praxair.com.cn/index.asp 中国分支:http://www.praxair.com.cn/contact/index.asp 5.大阳日酸中国(Tn-sanso) http://www.stngas.com/Article/Index.asp 中国分支:http://www.tn-sanso.co.jp/jp/company/asia_map.html 6.日本三井化学 http://www.mitsui-chem.co.jp/cn/index.htm 産品资料:http://www.mitsui-chem.co.jp/cn/pdf/chemcal.pdf 中国分支:http://www.mitsui-chem.co.jp/corporate/oversea_04.htm 2)SiH4 代理商 1.北京绿菱气体科技有限公司(美国 Air Gas) http://www.linggas.com/info-cn.htm http://www.linggas.com/specialty_cn.htm 産品参数:http://www.linggas.com/sih4-cn.htm 2.天津赛美特 http://www.gas-cn.com.cn/ 産品参数: 3.香港特种气体(MEMC,论坛代表-硅娃) http://www.hsg.com.hk/chinaweb/index.html
  • 24. 産品参数:http://www.hsg.com.hk/pdf/101-110/P103.PDF 最近概况:香港特殊气体与美国 MEMS 电子材料联合进军中国市场 http://www.semi.org.cn/mems/news_show.aspx?id=724 4.香港氧气(Linde) http://www.hkoxygen.com/index_c.html 産品资料:http://www.hkoxygen.com/products.asp?lang=zh&id=418 中国分支:http://www.hkoxygen.com/businessse_c.html 5.台湾三福化工(Air Product) http://www.sfchem.com.tw/cht/index.htm 中国分支:http://www.sfchem.com.tw/cht/contact.htm 6.台湾亚东工业气体(Air Liquide) http://www.tw.airliquide.com/zh_TW/welcome.html 産品资料:http://www.tw.airliquide.com/zh_TW/no-name-12/no-name- 13.html 7.台湾联华气体(Linde/BOC) http://www.boclh.com.tw/ALLMAIN1.htm 産品参数:http://www.boclh.com.tw/ALLMAIN1.htm (注:SiH4 代理商族繁不及备载,仅摘录以上数家) 五丶镀膜靶材(ZnO 丶 Al) 靶材市场和其它原料一样,目前爲欧丶美丶日少数几家大厂寡占,目前全球靶材最大供应商为 德国 HERAEUS,市占率达 60%,国内能够自主生産的企业屈指可数,多数爲进口。 1)国内厂商(排序由北而南) 1.北京有研亿金 http://www.grikin.com/ 産品资料:http://www.grikin.com/products1f.htm 2.宁波江丰电子材料 http://www.kfmic.com/ 最近概况:江丰电子材料-打破靶材市场国际寡头垄断 http://www.sichinamag.com/article/html/2007- 11/20071123110632.htm
  • 25. 3.台湾光洋应用材料(台湾第一大靶材供应商,奥地利 Plansee 合作伙伴) http://www.solartech.com.tw/solargb/index.htm 産品资料:http://www.solartech.com.tw/solargb/index.htm 4.台湾鑫科材料(台湾第二大靶材供应商) http://www.e-ttmc.com.tw/inside.html 産品资料:http://www.e-ttmc.com.tw/inside_materials_detail.html 5.台湾研创应用材料(论坛代表:guan01cn) www.yansheng.com.tw (注:靶材代理商族繁不及备载,仅摘录以上数家) 2)国外厂商(供比价参考用) 1.贺利氏招远(德国,占有中国约 60%市场份额) http://www.heraeus.com.cn/docc/gsjj-1.htm 中国分支:A-贺利氏招远贵金属材料 http://www.heraeus.com.cn/docc/gsjj.htm B-贺利氏招远(常熟)电子材料 http://www.heraeus.com.cn/docc/gsjj-3.htm C-贺利氏招远鲁鑫电子材料 D-上海贺利氏工业技术材料 http://www.heraeus-hmts.com/chinese/start.html 2.攀时集团(奥地利) http://www.plansee.com/index.htm 産品资料:http://www.plansee.com/coating-technology-sputtering.htm 中国分支:北京丶上海丶广州丶香港丶台湾(以上皆只是销售分公司,无工厂) http://www.plansee.com/asia.htm 最近概况:溅镀靶材大厂 PLANSEE 至 2010 年於奥地利扩厂投资将达 1 亿欧元 充份供 应全球大尺寸 TFT-LCD 用靶材 http://www.digitimes.com.tw/n/article.asp?id=0000041978_A3I2JN8HJT8Y8737IOX7M 3.上海高展金属材料(美国 Gemch,论坛代表:bssmb) 産品资料:http://www.gemch.com/pro_list4.asp 4.深圳欧莱溅射靶材(美国 Oryx)
  • 26. http://www.oryx-sz.com/ 産品资料:http://www.oryx-sz.com/cpzx.asp 5.日本东曹 http://www.tosoh.com/ 産品资料:http://www.tosoh.com/Products/tcdfilm.htm http://www.tosoh.com/Products+%28Chinese%29/ElectronicMaterials+%28Chinese%2 9/DEFAULT.htm 中国分支:东曹达(上海)贸易有限公司 http://www.polymer.cn/trade/company/companynet/compatosoh/ 6.日本三井金属 http://www.mitsui-kinzoku.co.jp/project/hakumaku/ 産品资料:http://www.mitsui-kinzoku.co.jp/project/hakumaku/04/index.html 中国分支:台湾特格股份有限公司 http://www.mitsui-kinzoku.co.jp/project/hakumaku/02/index.html 由以上的资料可知,目前硅基薄膜産业链的上游原料,每一项无不爲欧美日几家大厂掌握,国内 虽有企业开始渗入,但尚需时间建立规模化的实力。由於上述五大原料之中,除 FTO 导电玻璃是属於 硅基薄膜电池专用原料外,馀多与半导体丶 LCD 及晶硅电池同爲共用原料,各行业的需求量消耗量大, 而且也处在稳定或高度成长之中。 可以预见的是,未来这些原料的价格在庞大的需求下,当是易涨难跌,且一丶二年内很可能出现 供应紧缺状况,进一步推升硅基薄膜电池成本,以及影响薄膜厂的産能开出。针对原料成本的控管及 货源的确保,国内薄膜厂可有三种的因应之道: 1)改用国産原料 这是废话,不用多做解释,关键是品质要爲薄膜厂所能接受。目前除特气国内不能生産外,其馀 原料皆有国内企业投入。以目前来看,超白玻璃已可替代,靶材其次,EVA 尚有待努力。而 FTO 导 电玻璃,在中国科技量産之後,相信应有机会完成取代,不过还需要国内薄膜厂实际试用。 2)厂商联合采购 国内的薄膜厂工艺大同小异,所需原料几乎一样,差别在於进货的数量,以及对於品质的要求不 一。由於目前国内薄膜厂的産能都不大,因此难以从供应商手获得较优惠的采购价格,但若将国内所 有薄膜厂的産能加起来,那麽总需求就很可观,以 08 年计起码有 350MW 以上。 天津津能:25MW 威海蓝星: 5MW 源畅光电:155MW 蚌埠普乐:10MW
  • 27. 南通强生:75MW 山东东营:10MW 慈溪光伏:10MW 泉州欧德:30MW 深圳拓日:30MW 中山诠欣:10MW … 因此,若是国内薄膜厂间能够联合彼此的需求,统一与国内或国外原厂或代理商谈判,在相信以 超过 350MW 的需求量,其价格应会比单一厂商的进货价低很多。当然,薄膜厂要全部联合采购有其 难度,但部份薄膜厂间的合作,也许会比较容易实现(如采用同一技术来源的厂商,如 Oerlikon 系 丶华基系丶思博露系等)。 3)签订长期合约 情形同硅料,不多解释。 参丶中游制造 中游制造概分两类,一是设备制造,二是组件制造,本处只列前者,後者请参阅「各硅基薄膜设 备商一览」资料。笔者根据各硅基薄膜设备商概况一览表,归纳硅基薄膜电池设备发展的几项趋势如 下: 1.占地空间缩小化->减少土地丶厂房成本。 大尺寸设备商:Oerlikon 20MW 6,000 平方米 AMAT 40MW 20,000 平方米 ULVAC 25MW 25,000 平方米 XsunX 25MW 无资料 小尺寸设备商:NanoPV 5MW 2,500 平方米 华基光电 5MW 3,300 平方米 北仪创新 5MW 4,000 平方米 EnergSolar 5MW 7,900 平方米 EPV 5MW 12,000 平方米 思博露 5MW 24,000 平方米 普乐 5MW 25,000 平方米 2.导电玻璃自制化->减少原料成本。 外购原料成本:165 RMB/m2(预估)
  • 28. 自制原料成本: 80 RMB/m2(预估) 3.组件尺寸加大化->提高産能。 大尺寸设备商:Oerlikon 20MW 1.1 x 1.3 m2 ULVAC 25MW 1.1 x 1.4 m2 XsunX 25MW 1.0 x 1.6 m2 AMAT 40MW 2.2 x 2.6 m2 小尺寸设备商:NanoPV 5MW 1.397 x 0.635m2 华基光电 5MW 1.245 x 0.635m2 北仪创新 5MW 1.245 x 0.635m2 EnergSolar 5MW 1.245 x 0.635m2 EPV 5MW 1.245 x 0.635m2 思博露 5MW 1.252 x 0.642m2 普乐 5MW 1.245 x 0.635m2 4.生産高度自动化->提高良率丶增加産能;减少人员成本。 大尺寸设备商:Oerlikon 20MW 130 人 ULVAC 25MW 150 人 AMAT 40MW 120 人 小尺寸设备商:NanoPV 5MW 120 人 华基光电 5MW 100 人 北仪创新 5MW 无资料 EnergSolar 5MW 80 人 EPV 5MW 120 人 思博露 5MW 170 人 普乐 5MW 110 人 5.规格标准面板化->减少设备丶维修成本。 (注:面板化是指与 TFT-LCD 业産相似或一致,如玻璃基板尺寸) 6.委托代工台制化->减少设备丶运输丶维修成本,就近服务客戶。 大尺寸设备商:ULVAC 北儒精密 AMAT 北儒精密丶帆宣科技 小尺寸设备商:NanoPV 北儒精密 华基光电 中华联合 EPV 北儒精密 基本上,要投资一条硅基薄膜电池生産线,其成本包括土地丶厂房丶设备丶人员丶原料丶能耗丶 良率丶运输丶维修丶税费等项目的总计,其中设备居於重要的关键,因爲其它项目的成本,通常是根
  • 29. 据设备而决定的。 由於 TFT-LCD 面板前段程制与 A-Si 电池非常相似,二者的设备具有高度的通用性,所以目前市 场上主要的硅基薄膜设备商,本身多半就是 TFT-LCD 设备商。而台湾目前是世界第四大半导体丶第 一大 TFT-LCD 産值地区,该地具有成熟丶完成的産业供应链,再加上台商富弹性丶低成本丶高品质、 近市场及良好的经营管理能力,故各大小设备商均不约而同的到台湾寻找加工厂。 换个角度来看,国内的设备商未来若想跨入大尺寸组件市场,或进一步降低设备的制造成本,那 麽在设备规格标准的采用设计上,力求与 TFT-LCD 産业合流,并与台湾 TFT-LCD 设备合作,将会 是一个重要的发展方向。其次,与大尺寸设备商相较,国内小尺寸设备産能小丶占地大丶人员使用多, 於竞争上处於不利地位,故实现生産自动化以减少设备占地空间丶人员使用,当是另一个发展重点。 也许有人会认爲国内土地广大丶专科以上人力资源不虞匮乏,故土地丶人员不是问题。但笔者以 爲,国内爲避免经济过热,对於土地的管控措施易紧难松,企业不容易取得大面积而廉价的土地。其 次,随着新劳动合同法的实施,企业的人事成本只会进一步的增加,不会减少。最後,就是半自动生 産线扩産,远远比不上自动化生産线容易,对於企业於産能丶速度的竞争上,则是最爲不利的一点。 以下,笔者针对 EPV 技术系别,罗列相关的设备制造商,这是国内企业有实力且有机会切入的区 块,也是国内薄膜厂能否进一步降低成本的关键所在(非采用 EPV 之薄膜厂,另当别论)。其馀系别, 在可见的二丶三年内,国内厂商基本上是没有参与的馀地,至多只是设备代工而已。所以,笔者无意 爲 AMAT 丶 Oerlikon 丶 ULVAC 或将来的 Jusung 打工,替其罗列相关设备制造商的资料,有意者 请自行搜集。 注1:设备项目依照生産流程排序。 注2:资料收集以国内厂商爲主丶国外爲辅;收集的范围,一是以有薄膜厂实际采用实绩者爲优 先,二是有産品有明确标示爲硅基薄膜电池用者,三是 TFT-LCD 设备商可能跨入者(主要是台商)。 注3:感谢论坛诸大牛丶高手提供相关资料。 相关讨论: 关于太阳能电池第一二三代的划分: 问:一个是关于太阳能电池第一二三代的划分,我在网上查了一下,似乎认识还不统一,关键是第二 代似乎没有明确的特征,第三代似乎又把所有新东西都包括进去了。 另外想请教一下您对于非硅基太阳能电池发展前景的看法,包括有机物太阳能电池。如果能做出来低 价的有机物电池,用于日用消费品领域(从而寿命问题不那么重要,有个两三年就行),是不是就会 有很大的市场呢? 答:划分都是人为的结果, 就跟战斗机划代一样,俄国人美国人就不一样。很不好说这个划代到底有什么意义。 第二代一般指薄膜电池,出现的比硅晶体电池晚,能够量产了。 第三代,有些人认为指量子阱之类新结构的,和一二代有了根本的革命性的改变。 若能成功,不仅光伏有突破:能用极便宜常见的材料(硅及氧化物)通过设计组成,达到 50%以上的
  • 30. 效率,发电成本可能比核电还低;对于整个材料科学和电子技术,也是次革命。 把 DSSC 染料敏化和有机算作第三代,我觉得不妥,这两个东西并没有根本突破,只是一直没法量产 找你问问哪一家光伏公司的前景好、股票能长的快?! 哈哈,开个玩笑! First Solar 肯定前景好,不过股价已经挺高了。 2 他是做 CdTe 薄膜的,现在 GE 也要做这个,证明这个技术还是行的。 Evergreen 的带硅技术一直是叫好不叫座。hehe,其实这个不算很新的技术,几乎所有的教科书都 要提到。但他就是一直没法把技术转化为利润。股价好像是不到 2$。现在要在武汉建厂,不知能不能 依靠中国的低成本实现华丽转身。 楼主好,我比较关心股票,呵呵 看一些资料,说今年 7 月份德国会调低太阳能补贴,有人把这和 08 年西班牙调低补贴的后果相比, 当然 08 年还有金融危机。那么会不会造成多晶硅产能过剩,价格再次下跌呢?听说国内现在有 1W 吨的多晶硅产能,在建的有 8W 吨,这会不会对多晶硅的供需在下半年发生逆转,由上半年的供不应 求到供过于求?谢谢! 国内真正的产能有多大 是个未知数 吹牛皮的事太多了。很多号称产能很大的厂,如果真按当初的说的,应该现在已近完工了。 目前硅料还是比较缺的,进口料不少。下半年就不知道了。国外大厂都在扩产,听说是重新设计了生 产线。 请教一下 baysix 是什么材料 特殊的 multi-crystalline 么?还是 q-cell 的产品代号? baysix 好像就是一种质量比较好的多晶硅片商品名而已 Deutsche Solar 产的,有论文里见过,没见到什么特别不同。当然,可能我见识也不够。 Q-cell 应该不做硅片,只做电池。国内某厂曾说自己很专业,原文大概是“像 Q-cell 一样专注于高效 电池。” 后来改成“像 INTEL 专注于处理器一样。。。” 半导体主流现在是 12 寸 个别说是未来几年要搞 18 寸。16 寸的估计是没人要上了。 另外,你这个转换纪录太低了吧。目前实验室最高纪录都 40%多了。
  • 31. 40%多的好像还是硅基的 这玩意儿即要聚光(额外聚光器件),还要分谱(device 本身设计比较复杂)。 不过这应该是以后主流吧,至少要聚光。 硅的不可能很高 硅的理论极限是 29%,不聚光下。 硅也没法分谱,因为禁带宽度没法调。III-V 族是合金,改改成分就可以了。 硅聚光不能太高倍数(上千倍),因为聚光下温度升高到一定程度后,硅效率会下降很厉害。 砷化镓之类的温度系数就小很多。 聚光的好处与不足以后详细说。过去,现在,至少五年内聚光都不会是主流。 查出来了,去年 41.1%的用得是锗基。 我说的是硅基还是锗基,都是说 substrate。锗基上面的晶格匹配用得是三五(GaInP/GaInAs)。 理论上硅可以搞合金,也就是 bandgap engineering,从而突破纯硅的理论极限。非太阳能电池里有 锗硅,碳硅等。 靠硅分谱应该可以。红光和蓝光的穿透深度是不一样的。在不同的深度做 junction,完全可以。现有 的非太阳能电池产品是数码相机里面的感光器件(foveon X3, 适马 DSLR 里)。还有硅的合金里,比 如锗硅,我们可以通过调节锗的百分比来调节 bandgap。 最后,目前世界纪录的太阳能电池聚光率大概在 300-400 倍。上千的是太高了。 Ge 的 gap 是 0.7eV,放到最下面可以吸收红外光 常见的三个 PN 结的就用 Ge。 硅的 gap 是 1.12eV,不大不小,晶格还失配。 substrate 吸收的光不多,吸光的是上面的 3-5. 这个硅的合金,应该不叫硅了吧。SiGe 做合金容易,顺便调。碳硅就不行了,有碳在,硅晶体就好 不了。除非就干脆碳多些,就是碳化硅。但 SiC 的 gap 上了 2,太高了些。 应该说硅合金可以分谱。不过实际不大可行。 “从而突破纯硅的理论极限”这个要做到,还得看所谓第三代电池:量子井电池,理论能到 80%。 非硅的电池没怎么注意。我上的上千是说经济上合适的倍数。几百倍,硅聚光电池也能做。3-5 族的 聚光电池,上千后真正成本上有竞争力。 感慨 1 我自己是在一家国企的多晶硅厂工作,已经两年了。从事的是分析岗位,色谱仪和质谱仪都在应用,
  • 32. 最后测试硅片多子少子情况用的红外光谱仪等都是清一色的美国公司。 从工业硅-多晶硅-单晶硅-硅片-电池片-组件-系统知道的不多,现在已经从最初端走到电池 片行业了。感觉多晶硅市场很麻烦。 就像河友所说的干到最后,大家都没饭吃了,公司在纯度和 wacker 比较,已经哪个两年了,几 乎还是天壤之别。很痛心,全国又上这么多项目,很多地方那个野鸡大专的学生,就是在我公司呆了 不到半年都敢去私企当总工,感觉很可怕。 您估计 2010 年光伏行业复苏可能性大吗? 09 年下半年就复苏了啊 现在都是忙不过来,要扩产。 请教专业人士几个问题 1. 国内和国外技术差别,瓶颈在哪里? 2. 你说国外成本比国内低,质量比国内好,能给出具体数据吗? 比如生产同样的光电池,所需要的成本以及所需能量分别是多少? 3. 生产过程中产生的污染量,国内和国外有什么差别吗? Re: 1 1. 国内和国外技术差别,瓶颈在哪里? 上一段说的是设备,这个差距在很多个细节中,主要是精度和稳定性。例如很多设备必不可少的 MFC-质量流量控制器,就得用进口货。 还有个事,就是国内为了节省成本,设备故意不用好材料。然后久了用户还得自己换。 2. 你说国外成本比国内低,质量比国内好,能给出具体数据吗? 比如生产同样的光电池,所需要的成本以及所需能量分别是多少? 这个说的是多晶硅料,耗电比国内低是公认的。质量嘛,接触到的厂家都喜欢用国外料,差的国产料 有过不少例子。原料厂家给出的杂质含量,不可信,反正都是在规格限下,用户只信自己做出来的结 果。 硅片做成电池这个过程耗能不多,没什么差别。 3. 生产过程中产生的污染量,国内和国外有什么差别吗? 应该是三废什么回收有差别吧。有开始雨水和废水管混排,后来才改的。这种情况发达国家应该没有 吧。 -----------ha,这个帖子中的国外,当然指老牌工业国,第三世界国家没考虑过。 耗电比国内低有具体数据吗 >多晶硅料,耗电比国内低是公认的 分别耗电多少有具体数据吗? 另外,一个比较常用的衡量标准是做成电池后使用多少个月能够回收制造过程中的电力(当然对使用 条件有一定的假定),我几年前看到的国外数据最短是六个月,平均是 18 个月。这个国内数据是多
  • 33. 少? 质量问题,从你的叙述中我猜更多是因为管理问题--比如为了过分节省成本造成的,而不是技术差 别,对吧? 多晶硅料的生产我不熟 我只是从使用者的角度去看待原料。 多晶硅料提纯是全部环节中耗电最大的。其他的环节耗电小些,而且不同企业间的差别不大。 所以可以认为提纯这步决定了晶体硅电池的回收周期。 多晶硅提纯耗电量具体到数字,我不是做这个的,没法给出。其他人说的,网上就能看到不少。 回收周期这个,不同的人、机构给出值相差太大了。一般就比较不同技术(硅、CdTe。。。)的差异。 应该很多质量问题都是完全可以不出现的。至少,有的厂就不该出现新料比老料差很多。 跟风 CELL 厂商跟风很严重,大电池公司什么设备,别的也采购同样设备,包括 PECVD 机,丝网印刷 机,烧结炉,和分检机,尽管都是采购外国设备,价格不菲。 清洗机和扩散炉,刻蚀机即使都是国产,但是也是用同一家公司,真让人感慨。 这个跟风最重要的原因应该是师出同门 一般的厂的技术人员,都是来自于最开始的建的那么几个厂。如无锡某厂。这些先驱者本身就比较乱, 留不住人。技术人员的地位工资低,天天倒班,是厂里学历最高的一群,又做着最重要的事,当然不 肯干了。 某厂还被称是所学校,大家对要出去的说,恭喜,镀金完毕,可以出山了。 其他后建的厂又一个劲挖人。 出去的到了新厂,自然选择自己熟悉的设备和工艺。 搜下 cell 厂的高层,会发现很多都来自 UNSW。 Google 下杨怀进这个人的传奇,^_^