photo mask for semiconductor, display You can also check it in Sales Sharing Site "www.lunchntouch.com" If you want a brochure in your language, send E-mail below E-mail address unquestioningly! (English, Chinese, Japanese, french, Portuguese, Spanish, etc) Import & Export discussion Welcome, too! Thank you for your touch! E-mail address : yun@lunchntouch.com "We can Make happy place for small business! Let's do it!!" = Lunch N Touch =

1. Greetings 인사말
당사는반도체, 디스플레이등의여려분야에포토리소그라피기술을응용하는공정에서
머세회로를형상화하여실제품상에Pa粕m을 얻어내기위한기초마스터포토□ㅏ스크를
공급하는전문기업입니다.
㈜네포코는 “고객중심경영”을기업경영의가장큰이념으로샴고있는표토□ㅏ스크전문
기업으로서, f言義와正道경영을바탕으로고객서비스어I 최선을다하고있습니다.
골로벌 시대에 발맞춰 R&D활동에 투자함으로씨 기솔우위의 근본적 경쟁력을 확보
하는데 주력하고자, 성과주의 경영, 투명경영, 책임경영을 성공적으로 정착시킴으로
선진화된기업경영체제구축에모든역량을투입중에있습니다
“고객뱐족”이아닌 “고객열광”으로목표가 변경될수 있도록 임직원모두가 일심단곁
하겠습니다.
㈜네프코는이졔부터시쟉입니다.
고객의이익이바로회사의이익과일치한다는신념으로최선을다하겠습니다.
垂
賓
4
4
4
0
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2
2
2
H ¡st0'γ 회사연혁
2014
201 3
201 3
乏01 2
201 0
2 00 9
2008
2007
2 006
200 5
21lO㎍
2003
2002
2001
1 997
1 994
1 992
ISO14001 인증획득〈한국능률협회 경영인증원〉
신축공장 확장이전〈국내 최대사이즈 포토마스크 양산돌입〉
특허등록(고 출력레이저를 이용한 패터닝용 고출력마스크 및 그 제조방법〉
강소기업선정〈고용노동부〉
병역지정업체서정〈병무청〉
ㅣBK Fami㏉ 기업등록
KPCA 한국전자회로산업협회회원사등록
특허등록(다 이렉트이□I
지구현을이용한칩온글라스<00G>저ㅣ조방법
경기도기슐걔발사업수행(포토ㅁi스크)경 기도유망중소기업선정
기업부설연구소설립
기술혁신형중소기업ⅡNNo— 朗킥인증취득
Mask Generator 도입
:S0 9001 인증획득[한국능률협회경영인증웸
GPM A‘ 0 』도임
Mask Generatl⊃ r 도입
Mask Gener鐄 0r 도입
특허등록[로컬시스템～플로텨간인터페0 ㅣ스방법]
공장이전(안산반월공단)
상표등록㈜네프코
종합교육혐력약정체결[혜 전대핵
특허등록略AM ㏜∬㎄馝히
연구개발전담부서설립
iso 9002인 증 획득
법인전훼상호변경:(주)너 ㅣ프쾨
Laser PIotter 도입
G㎝e빎 s ㎄λ)rl$注ⅷ0n도입
L크ser Pk⊃鋌¡er 도입
신전자기획설립
罷

2. E—
Beam Re芭icle
Chrome Mask
(Quartz)

3. 睾#I
絿
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罷酷嬉힙絃羲艦闊廈翰翰
里I흖 野스里五(Pㅐ 0T0 飛凋AS啼련P
반도체칩, 디스플레이III 녈,인 쇄회로기판등의제품에회로를새겨넣기위해서사진의
원판역할을하는또토마스크가필요로하는데이것이또토마스크입니다.
포토마스크는Pㅐ OTo + MASK의 합성어로사진眸굉)을 쩍듯이회로를 얻고자 5注
곳고: 필요로 하치 않은 부분을 선별적으로 빛을 투과시켜 이미지(회 로)를 얻어내는
기법을이용하므로말그대로포토마스크가된것입니다.
포토마스크는레이저또는, 전자빔을이용하여노광에의한회로노출을일으켜만들며,
유리기판
'넉
영,필 름) 우ㅣ에회로를새겨놓은제품을일컫습니다.
Em㎄Is:0n 乳洌ask
(Soda L¡ rn e)
Chrome ㏆Aask
(Soda Lime)

4. REㄲ CLE (ㅌ-beam)
Ret¡ cle Mask란 스테피(Seppe˚ 또는포토 리피터(Photo Repeater)에 이용되는포토먀스크로. 레티클위에는Ic패 턴원판보다1
˜10배 의
패턴이형성되어, 이것을스테퍼로웨이퍼위에, 또는포토 리피텨로포토퓰레이트(Photo Plate)위 에투영(投 影)노광시킨다. 스터l펴 의
쓰루퉜Throughput)을 향상시尹I는 것을목적으로, 다이(팁 Tip)를 여러면붙인레티클. 붙이는면의수는1 샛'Shol)의 노광범위에한정되는데,
이것과대비하여다이를1 개만붙인것을싱글 다이레티클(S¡ ngle Die Reticle)이 라한다.
내측리드¸외측려드또는칩상의패드의배열간격이아주작은Fine Pitch의 표현력이우수하여주로선폭2μ m이하인제품에쓰인다.
Conte Πts Specification
Leve 1
3. O μm≤
CD ToIerance ±l). 3 μm
Only Qua焌 z Base
2.3T ～6,35T
h㎍ a효 erial Size
Data Format Gυ S i 횬, DW6, DXF 6ER怒 표R
온도 1 .0℃ 변화에 따른 열팽창,ll수(QuaFtI)
Coa±ed Chrorne Q∪ artz
ㅏ
二 낸 끄ㄴ
-—
徊圈 석드뿡7 i 판(§υa尹큭z)
열팽챵켜ㅣ수 : 5 ×10一 7
炷i충 : ".Pㅇ
嚆穹
* 0.25μ
m (1 .OcC / 500mrn)
PR(Photo Res¡ ster) = fJo00具 / 10000 Å
Chrome Layer = 1000Å
Quaⅱz / Soda Lir˙ ne
Q㎉ a曲z 와 Soda Lime의 물성 및 열땡챵PII수
IⅥ a± e 『iaㅣ
⌒
˘
貧
) AI2 03 玳2 03 NA2 0 K20 R0 ㅐea¾ ProI:: ert¡ es 撥ema『 k
Qua 滾z 1 00 4～ 5× 10-7 /
。
c
Soda Lime 1 1 5 쨈 1 0 31 ˜9堆 ×10-7 I
°
C
Chrome 70× 10¨7 / ℃
逸iank 飛㎍ask 의 구조
蛭
1 °00～ 1 200Λ
※ ㉧ 때우좋음 0좋움 Å보통
C D
'㏈
ate l'iaI
Thickness
5× 5" ～6× 6"

5. Chro ㎪ηe 漁㎌ask (coated ChroΠ ne / Quartz or Soda Lime)
Chrome Mask란 반도처i 직접효|로구조으i 패탄 원화를 크롬이 칠ol진 석영유리판 등어| 형성한 것으로, 가人i광선・자외선 ・×선 등옳 이용한
노광장치어i 人1용도1는 더i 려ㅣ지스트의 미제한샜像)을 표현하는능력. 일뱐적으로 리인얜드스퍼i이 스 상{ㅁ ne A,nd Space lmage、읕 형성할수 있는
초I소 으i 선 또는 공간으I 폭을 나타내는 능력이우수ㅎㅏ다. 에멸젼 □ㅏ스크에 볘ㅎㅏ어 물리적, 화학적 내구성이 우수하다. 높은 광투고瞳. 낮은
열팽챵율. 직은 곁함. 높은 화학적 ・기계석 걍도가 요구도I는 제품어ㅣ적용이 가능하二i.
온도 1 .0℃ 변화에 따른 열꽹창계수(Soda L¡ me) GIass 종류별 투과율 계수
← -—土 으으쁘느ㅡ
ㅢ ㅏ쁘塑
1 00
90
80
70
60
50
40
30
20
1 lI
0
Chrorne Mask Process
↓押T弩
霞
—
一徽 〓
鍍
,
φ요
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E
雀
˜捧
Blank Mask Las ∝ Ex posi ng Washing & Dry
/ Inspection
Contents Spec ¡fication
Leve ㅣ 1 2 4
μι]'(:¼
{:i r(:)ss Gi'id Pi苛 c h 0. 02fJ 〃m 0. 05 μm 0. 1 25μ m 0. 25 μm 0. 5 μm
C D 1 . 5μm≤ 3. 0μ m ≤ 6, 0 μm 1 0μ m≤ 1 5μ m≤
CD Tblerance ±0.1 5μm ±0. 3 μm ±0, 5 μm ±0. 7Hm ±1 .0μ Γn
M ate ria |
Position Accuracy
Thickness
Material Size
Quartz or Soda Lime base
±1 .0μ m < 500mm < ±5.0μm
1,6T・ 2.3T・ 3.0T・ 5.0T・ 10丁
5" ～ 2.500mm
소E:라 임
’
1관(S0d3 Li''g)
옇팽챵겨I수 : 81 X I O… 7
* 4×
05μm (1 .0°e / 500nnΠn)
Etching PR Striping
81x10 -7/
°
c
C㉰a莖e㎭ C㎩ rome 核《》d⅞⅛Lim岱
Dev・이0p' ng
※ ㉧ 때우좋움 0좋음 ▲ 보통
恤艱
40I)600
Wave Length(nl)I)
a Lim(
툐:: :I 封0 φ˙ㅣ송Y羚 ⅝εk「:옳 ss

6. ::
규田□田□□園園園目
—--------------------------------—
EmLj Is¡ 0n Mask(coated Emuls¡0n / only Soda Lime Base)
Emuls¡0n Mask란 할로겐화은유제(銀乳劑)를 사용하며, 빛을 받은부분이현상액에대한용해되지않고패턴으로형성되는Posit¡ ve Resister
작업이다. Base는 푠kx,a ㅂrne GIass이 며, Emuls¡ 0n Thickness가 5^'7μm 로 Chrome여 I 비ㅎㅏ여Edge Sha''pness가 떨어지지만, Chrome Mask
보다비교적저렵한단가와 ChroFK Mask 와동급의￢ransmisSion(투과율)과 Humid㏉ Fνo¡κⅱk∋s(습도반응속성淆은큰장점이다. 특히, 습도에
영향이없어日lm Mask를 사용할때보다Position Accura⌒ y에 효과적이다.
Conte nts Spec¡ fication
Address Gr¡ d Pitch 1 . 25μ m
CD (Cr¡ t¡ caI Dimension) 35 μm ≤
CD Tblerance ± 3.0μm
M ate rial Only Soda L¡rne BI::;⅛ se
Pos¡ tion Accuracy 5.Oμm ''' ± 20μ m
Thickness 2.3T・ 4.8T
nllater¡ aI S¡ ze 14× 17" ,'˘ 59"
온도 1.0℃ 변화에따른 열팽챵계수(Soda Lime)
500 mm
스—ㅡ르≡ ':芒 ●:::iε ●=:i:그
:-:rr:ε :
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쿨專:량
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ㅌmulsion 뎨ass PIate 의 구조
Emuls¡ 0n Ma:sk Process
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Coated Emuls¡ 0n Soda L¡ me
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E∏˙ㅣ㎈s¡ o1ㄱ = 5.0 ''' 7.5μ m
Soda Lime
Back Coat
據擴彙蚩飽輜轄鐄灝闊윕頀霞콱쭈:::
徽
:: :
Wosh'rυ & Dry:
/ Inspection
※㉧ 매우좋음 ○좋음 ▲보통
::: :: ::::::: : :: -::: ::::::::: :
20.0 μml± 5.0 μm 81 x1 0-7/℃
—
::: ::::-: : ::::::: -:: 一: :'::
5 '˙'' 7.5μ m 511
♀C
—
瓣
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㏊ ser Expos¡ ngEmulsion GIass PIate

7. |잎
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쉽고, U빠 르게포토ㅁㅏ스크 디자인을
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되어0 ㅑ합니다: 설계가완료뒨더ㅣ이텨는고객님으I 최총승인후□ㅏ스크졔쟉이이뤄ㅈi며
또한, 완성된더!이 터는고객님껴i 처ㅣ공해도립니다. :
당人ㅏ가지원하는 Form戮은 DWC . DXF. Gㅌ RBER. DPF ×ODB++ . GDS— il::∵ 등으로지원
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