1. GIÁO TRÌNH LINH KIỆN ĐIỆN TỬ
Page 45
0CBEC III  (5)
BCE III  (6)
Vậy:   0CBCBC IIII  hay CBoBC III 






1
1
1
Đặt 



1
ta được:
  CEoBCBoBC IIIII  ..1.  (7)
Trong đó: α là hệ số truyền đạt dòng điện 1 ,  càng gần 1 Transistor
càng tốt.
β: là hệ số khuếch đại dòng tĩnh (50-300)
Vậy: α= β/(1+ β)
1.3.2. Các cách mắc của BJT
Nếu coi Transistor như mạng 4 cực, khi đó phải có một cực chung cho cả
đầu vào và đầu ra. Có thể có 3 cách mắc (kết cấu): CE (Common Emitter);
CB(Common Base) và CC (Common Collector).
a. Kết cấu CE:
Đặc tuyến vào:   constCEBEB UUfI 
Do JE phân cực thuận mà EB II  nên đặc tuyến vào trong trường hợp
này giống đặc tuyến của chuyển tiếp p-n phân cực thuận. Nếu UCE tăng, mà
a) b)
c
Hình 17. Các kết cấu của BJT a. CE b. CB c.CC
IB
IC
IE
IE
IB
IC
IB
IE
IC