Recommended
More Related Content
Similar to Електронні компоненти
Similar to Електронні компоненти (20)
Електронні компоненти
- 2. Зміст • Класифікація електронних компонентів • Характеристики електронних компонентів, їх порівняння • Вплив сторонніх факторів Вплив температури Вплив тиску Вплив вологості
- 3. Класифікація електронних компонентів • Джерела світла та дисплеї Лампи розжарювання, вакуумні флуоресцентні та рідкокристалічні дисплеї... • Вакуумні трубки • Прилади що працюють на розрядах Газосвітні лампи… • Джерела живлення Блок живлення Генератори Активні: покладаються на джерело енергії (зазвичай від ланцюга постійного струму) • Напівпровідники Транзистори Польові транзистори… Композитні транзистори… Інші транзистори Діоди Шоткі, Стабілітрони, LED… Мікросхеми ПЛІС (Програмована логічна інтегральна схема) Оптоелектронні прилади
- 4. Класифікація електронних компонентів Пасивні: не можуть внести енергію в ланцюг, але можуть змінювати напругу та струм • Резистори Постійні Змінні Реостат, варистор, термістор… • Конденсатори Інтегральні Постійні Змінні • Магнітні (індуктивні) прилади Котушки індуктивності, соленоїди, динаміки та мікрофони Мемристор • Датчики та детектори Аудіо Рух/Положення Теплові Сила • Антени Вібраторні Щілинні Апертурні • Модулі
- 5. Основні характеристики електронних компонентів • Конструктивне виконання • Лінійність • Метрологічні характеристики • Електричні характеристики • Частотні характеристики (швидкість) • Стійкість до зовнішнього впливу • Добротність
- 6. Основні характеристики резисторів Звичайні резистори • Номінальний опір • Допуск, • Номінальна потужність розсіювання, • Максимальна напруга, • Температурний коефіцієнт опору; • Класи випробувань та експлуатації, механічна міцність, стійкість до кліматичних впливів, добротність Змінні резистори (варистори) • Роздільна здатність - відношення стрибка опору (напруги) при переміщенні (повороті) рухомого контакту до загального опору (напрузі) • Шуми ковзання (обертання) - шуми (напруга перешкод), що виникають у динамічному режимі під час руху (ковзання) рухомого контакту по резистивному елементу • Момент статичного тертя - момент, зумовлений силами тертя в рухомих частинах резистора і чисельно рівний моменту, що прикладається до валу резистора для забезпечення початку переміщення рухомої системи резистора з будь- якого положення • Зносостійкість - здатність резистора зберігати свої параметри при багаторазових переміщеннях рухомої системизації, механічна міцність, стійкість до кліматичних впливів, надійність
- 7. • Зліва - маркування резисторів. • Згори - технічне позначення резисторів
- 8. Основні характеристики конденсаторів • Номінальна ємність • Допуск • Номінальна напруга • Допустима пікова напруга • Температурний коефіцієнт ємності • Опір ізоляції • Тангенс кута діелектричних втрат • Класи випробувань та експлуатації, механічна міцність, стійкість до кліматичних впливів, добротність
- 9. Основні характеристики котушок індуктивності • Номінальна індуктивність, • Допуск, • Опір постійному струму, • Температурний коефіцієнт індуктивності; • Номінальна напруга, • Здатність до струмонавантаження • Число витків, • Діаметр дроту, • Добротність котушки, • Матеріал магнітопроводу;
- 10. Вплив температури на компоненти • Резистори – при збільшенню температури опір резистора збільшується • Конденсатори – при зменшенні температури ємність знижується • Котушки – при збільшенні температури добротність знижується • Діоди – при зміні температури ВАХ діода також змінюватиметься • Транзистори – при зміні температури вихідні характеристики змінюються
- 11. Вплив тиску на діоди • Діоди з бар'єром Шотткі чутливі до тиску і в ряді випадків їх чутливість виявляється помітно вище, ніж чутливість р-n переходів • Зсув енергетичних рівнів напівпровідника при деформації призводить до зміни висоти потенціального бар'єру. При дії тиску змінюються ширина забороненої зони, положення рівня Фермі і поверхневого рівня. У загальному випадку вважається, що висота потенційного бар'єру лінійно залежить від тиску • При високих концентраціях легуючої домішки в напівпровіднику і при низьких температурах бар'єр стає прозорим для електронів, що знаходяться на дні зони провідності. Зі збільшенням тиску висота бар'єру зменшується, прозорість бар’єру збільшується і тунельний струм зростає. Чутливість струму до тиску при цьому також зростає.
- 12. Вплив тиску на транзистори • Зсув енергетичних рівнів під тиском і пов'язана з цим зміна концентрації неосновних носіїв струму призводить до залежності від тиску електричних характеристик транзисторів. • Під дією тиску в базі транзистора змінюється концентрація носіїв струму. Поки тиск невеликий і в провідності беруть участь всі енергетичні мінімуми, під тиском змінюється рухливість носіїв, отже і змінюється кількість дірок. При збільшені тиску рухливість перестає змінюватися і всі зміни колекторного струму відбуваються через залежність кількості носіїв заряду від тиску. • Якщо напруга на емітері залишається постійною, а ширина забороненої під тиском зменшується, колекторний струм збільшується зі зростанням тиску. В такому випадку поведінка транзистора під тиском аналогічна поведінці р-n переходу.
- 13. Вплив вологості на компоненти • Резистори – при накопиченні всередині може утворювати тимчасові та постійні зміни опору. • Конденсатори – при накопиченні завдяки адсорбції ємність може зменшуватися • Котушки – протікання вологи зменшує опір ізоляції між витками завдяки виникненням електролітичних процесів, які руйнують ізоляцію, змінюючи індуктивність та добротність котушки. • Діоди та транзистори – волога та конденсація викликає корозію
- 14. Використана література • http://allrefs.net/c2/461jw/p21/ • ВПЛИВ ТЕМПЕРАТУРИ НА ПАРАМЕТРИ МАГНІТОЧУТЛИВИХ ТРАНЗИСТОРНИХ СТРУКТУР // М. А. Глауберман, Я. І. Лепіх // Одеський національний університет імені І.І. Мечников // 2020 • https://digteh.ru/foe/tranzistor/bt/t/ • Моделі впливу механічного тиску н електричні параметри компонентів біполярних ІМС // Зилевіч Максим Олегович //НАЦІОНАЛЬНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ УКРАЇНИ «КИЇВСЬКИЙ ПОЛІТЕХНІЧНИЙ ІНСТИТУТ імені ІГОРЯ СІКОРСЬКОГО», Факультет електроніки, Кафедра конструювання електронно-обчислювальної апаратури
- 15. Дякую за увагу Виконав Студент групи ФеМ - 41 Ласка Мстислав