2. El tiristor (SCR,
Silicon Controlled
Rectifier o
Rectificador
Controlado de
Silicio), es un
dispositivo
semiconductor
biestable formado
por tres uniones PN
con la disposición
PNPN. Está formado
por tres terminales,
llamados Ánodo,
Cátodo y Puerta.
3. LOS DISTINTOS MÉTODOS DE
DISPARO DE LOS TIRISTORES
SON:
Por puerta.
Por módulo de tensión. (V)
Por gradiente de tensión (dV/dt)
Disparo por radiación.
Disparo por temperatura.
4. DISPARO POR PUERTA
ES EL PROCESO UTILIZADO NORMALMENTE PARA
DISPARAR UN TIRISTOR. CONSISTE EN LA
APLICACIÓN EN LA PUERTA DE UN IMPULSO
POSITIVO DE INTENSIDAD, ENTRE LOS
TERMINALES DE PUERTA Y CÁTODO A LA VEZ QUE
MANTENEMOS UNA TENSIÓN POSITIVA ENTRE
ÁNODO Y CÁTODO.
UNA VEZ DISPARADO EL DISPOSITIVO, PERDEMOS
EL CONTROL DEL MISMO POR PUERTA.
5. DISPARO POR MÓDULO DE
TENSIÓN
Este método podemos desarrollarlo
basándonos en la estructura de un transistor:
si aumentamos la tensión colector - emisor,
alcanzamos un punto en el que la energía de
los portadores asociados a la corriente de
fugas es suficiente para producir nuevos
portadores en la unión de colector, que hacen
que se produzca el fenómeno de avalancha.
6. DISPARO POR GRADIENTE
DE TENSIÓN
Si a un tiristor se le aplica un escalón de
tensión positiva entre ánodo y cátodo con
tiempo de subida muy corto, los
portadores sufren un desplazamiento
para hacer frente a la tensión exterior
aplicada.
7. DISPARO POR RADIACIÓN
La acción de la radiación
electromagnética de una determinada
longitud de onda provoca la elevación de
la corriente de fugas de la pastilla por
encima del valor crítico, obligando al
disparo del elemento.
8. DISPARO POR
TEMPERATURA
El disparo por temperatura está asociado al
aumento de pares electrón - hueco generados
en las uniones del semiconductor.
