Memorias nec

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Memorias nec

  1. 1. Ing. Esp. María Nancy Espinel Calixto
  2. 2.  Almacena datos e instrucciones de programas en ejecución Permite acceso rápido a los datos Solo almacena la información mientras tenga energía eléctrica (temporal) Compuesta por circuitos integrados, donde cada uno contiene celdas que se puede leer o escribir en cualquier orden (Aleatoria). Ing. Esp. María Nancy Espinel Calixto
  3. 3. Su función consiste en tener preparadas lasinstrucciones y los datos para que la CPU puedaprocesarlos, y en almacenar temporalmente elresultado de las operaciones realizadas por laCPU. Ing. Esp. María Nancy Espinel Calixto
  4. 4. La lectura y almacenamiento de la información se realizamediante el uso del bus de datos y direcciones, en elsiguiente orden: Apuntar a la dirección de memoria que se desea leer o escribir mediante el uso del bus de direcciones Selección del tipo de operación: Lectura o escritura. Cargar los datos a almacenar (en el caso de una operación de escritura) Retener los datos de la memoria (en el caso de una operación de lectura) Habilitar o deshabilitar la memoria para una nueva operación.
  5. 5.  Conjunto de condensadores que almacenan varias palabras binarias de n bits. Cada una almacena 1 bit (celda de memoria) Las celdas o bits de memoria se ubican mediante la fila y la columna DRAM dinámica: una celda está compuesta por un transistor y un condensador. SRAM: una celda está compuesta por alrededor de cinco transistores. Ing. Esp. María Nancy Espinel Calixto
  6. 6. El capacitor pueden almacenar solamente un bit de información El transistor MOS actúa como el interruptor que permite al controlador de memoria leer el estado del capacitor o cambiarlo.Fig: Diagrama electrónico de una celda de memoria Tiempo de refresco era de 80 ó 70ns. Se utilizó en la época de los i386, en forma de módulos SIMM o DIMM. Ing. Esp. María Nancy Espinel Calixto
  7. 7. El procesador puede dirigirse directamente a cualquier celda yver el contenido de la misma, simplemente debe conocer elnúmero de fila y columna o “dirección de memoria” de lacelda que está buscando Ing. Esp. María Nancy Espinel Calixto
  8. 8. Los módulos de memoria cuentan con unaserie de circuitos adicionales que se encarganentre otras cosas de lo siguiente: identificar cada fila y columna llevar un registro de la secuencia de actualización leer y restaurar la señal de una celda de memoria indicarle a una celda si debe guardar una carga o no Ing. Esp. María Nancy Espinel Calixto
  9. 9. Cuando el estado en la fila seencuentra en alto, el transistorentra en saturación y el datopresente en el bus interno dela memoria (columna) sealmacena en el condensador,durante una operación deescritura y se extrae en unaoperación de lectura. Ing. Esp. María Nancy Espinel Calixto
  10. 10. El microprocesador debe saber exactamente la posición en memoria de cadadato, por lo que las posiciones están identificadas por un número denominadodirección de memoria. Cada posición de memoria almacena un byte, lo quehace pensar en la gran cantidad de posiciones que serán necesarias para poderalmacenar instrucciones y datos Ing. Esp. María Nancy Espinel Calixto
  11. 11.  REFRESCO O LATENCIA: tiempo que tarda cargar eléctricamente las celdas de memoria TIEMPO DE ACCESO: tiempo que tarda la memoria en acceder a la información almacenada en una dirección. VOLTAJE: SIMM 5 voltios DIMM SDRAM 3,3 voltios DIMM SDRAM DDR 2,4 voltios Ing. Esp. María Nancy Espinel Calixto
  12. 12.  Memoria asíncrona (SIMM) No trabajan en forma síncrona con el reloj del sistema, es decir en un acceso a la memoria las señales necesarias para llevar a cabo este proceso, no están coordinadas con el reloj manejado por el sistema. Ejemplo: FPM-RAM (modo de Página Rápida) , Memoria síncrona (DIMM) Utilizan un reloj para sincronizar la entrada y salida de las señales necesarias durante un acceso a memoria, este reloj trabaja de manera coordinada (sincronizada) con el reloj del sistema. Ejemplo: SDR SDRAM, DDR SDRAM Ing. Esp. María Nancy Espinel Calixto
  13. 13.  FPM-RAM (Fast Page Mode RAM, modo de página rápida):  70 ó 60 ns.  Usadas en la primera generación de Pentium.  Incorpora un sistema de paginado debido a que considera probable que el próximo dato a acceder este en la misma columna, ganando tiempo en caso afirmativo.  Mantiene constante la dirección de fila mientras se leen consecutivamente los datos de varias columnas Ing. Esp. María Nancy Espinel Calixto
  14. 14.  EDO-RAM (Extended Data Output RAM) permite a la CPU acceder más rápido porque envía bloques enteros de datos; con tiempos de acceso de 40 ó 30 ns. Ing. Esp. María Nancy Espinel Calixto
  15. 15.  BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM) • más rápida debido a que manda los datos en ráfagas (burst). • velocidad de bus de 66 MHz • una vez que se accede a un dato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del procesador Ing. Esp. María Nancy Espinel Calixto
  16. 16. tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que sepresentan en módulos DIMM(Módulo de Memoria enlínea doble) de 168 contactos. Fue utilizada en losPentium 2, así como en los AMD K7. Dependiendo dela frecuencia de trabajo se dividen en: la velocidad de bus temporización tasas de transferenciaPC66 66 Mhz 15 ns 533 MB/sPC100 125 Mhz 8 ns 800 MB/sPC133 133 Mhz 7,5 ns 1066 MB/s. Ing. Esp. María Nancy Espinel Calixto
  17. 17.  Envía los datos dos veces por cada ciclo de reloj. De este modo trabaja al doble de velocidad del bus del sistema, sin necesidad de aumentar la frecuencia de reloj. Se presenta en módulos DIMM de 184 contactos. Del mismo modo que la SDRAM, en función de la frecuencia del sistema se clasifican en : Voltaje Velocidad de tasas de transferencia contactos busPC 1600 ó DDR200 2.5 V 100MHz 1,6 GB/sPC 2100 ó DDR266: 2.5 V 133MHz 2,1 GB/sPC 2700 ó DDR333 2.5 V 166MHz 2,7 GB/sPC 3200 ó DDR400: 2.5V 200MHz 3,2 GBs 184PC-4200 ó DDR2-533 1.8 V 266 MHz 4,2 GBs 240PC-4800 ó DDR2-600 1.8V 300 MHz 4,8 GBsPC-5300 ó DDR2-667: 1.8V 333 MHz 5,3 GBsPC-6400 ó DDR2-800 1.8V 400 MHz 6,4 GBs Ing. Esp. María Nancy Espinel Calixto
  18. 18. Trabaja en sincronía con el bus del procesador, pero envía datosen ambos flancos del ciclo de reloj (flanco de subida y flanco debajada) Ing. Esp. María Nancy Espinel Calixto
  19. 19. SDRAM: Utiliza módulos DIMM de168 contactos y dos muescas en suparte inferior. Velocidad entre 66 y133MHzDDR: 184 Contactos y una únicamuesca entre ellos. Funciona conun voltaje de 2,5 voltios, y puedetener una velocidad de 200, 266,333 y 400MHz
  20. 20. DDR2: Es muy parecida a la DDR,con una muesca. Tiene 240contactos y un voltaje de 1,8voltios que reduce la temperaturay le permite alcanzar mayoresvelocidades : 400, 533, 667 y800MHz RDRAM: Solo puede instalarse en procesadores Pentium 4 y su uso nunca estuvo demasiado extendido. Trabaja a velocidades entre 800 y 1066MHz
  21. 21. 1.- Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál estánsoldadas los componentes de la memoria.2.-Chips: son módulos de memoria volátil.3.- Conector (240 terminales): base de la memoria que seinserta en la ranura especial para memoria DDR2.4.- Muesca: indica la posición correcta dentro de la ranurade memoria DDR2.
  22. 22. Transmisión doble de datos tercer generación: Tienen los chipsde memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con unconector especial de 240 contactos. Tiene conectoresfísicamente independientes por ambas caras como el primerestándar DIMM. Este tipo de memoria cuenta en su granmayoría de modelos con disipadores de calor, debido a que sesobrecalientan.
  23. 23. 1.- Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál están soldadaslos componentes de la memoria.2.-Chips: son módulos de memoria volátil.3.- Conector (240 terminales): base de la memoria que seinserta en la ranura especial para memoria DDR3.4.- Muesca: indica la posición correcta dentro de la ranura dememoria DDR3.
  24. 24. 184 contactos,capacidadmáxima de 1GB.Voltaje 2.5V240 contactos,capacidadmáxima de 4GB.Voltaje 1.8V240 contactos,capacidadmáxima de 8GB.Voltaje 1.5V
  25. 25. Puede alcanzar velocidades de transferencia de2.133 Gbps a 1,2 V, en comparación con DRAMDDR3 a 1.35V y 1.5V con una tecnología de procesode clase 30nm equivalente , con velocidades dehasta 1,6 Gbps. Reduce el consumo de energía enun 40 por ciento en comparación con un móduloDDR3 de 1.5V. Capacidad de almacenamiento 8 y16 GB
  26. 26. SDRAM SO-DIMMDDR SDRAM SO-DIMM
  27. 27.  flip-flop o biestable (también llamado báscula) compuesto por 4 o 6 transistores MOSFET para almacenar los ceros y unos, Mas costosa de fabricar, por ello solo se utilizan unos pocos Megabytes en algunos dispositivos. Ing. Esp. María Nancy Espinel Calixto
  28. 28. La celda se activa medianteun nivel activo a la entradasuperior y los datos secargan o se leen a través delas líneas laterales
  29. 29. cada una de las filas se habilita de forma simultánea pararecibir o cargar los datos del bus de entrada/salida
  30. 30.  tiene incluida una poca cantidad de memoria SRAM Ocasionalmente se utiliza como memoria cache L1 y L2 Algunas veces se le conoce como DRAM cacheada.
  31. 31. •incluye una pequeña memoria estática en el interior del chip SDRAM.•Permite tiempos de latencia más bajos• funciona a 133MHz y alcanza transferencias de hasta 1,6 GB/s, pudiendollegar a alcanzar en modo doble, con una velocidad de 150MHz hasta 3,2GB/s. Ing. Esp. María Nancy Espinel Calixto
  32. 32. utiliza un sistema propietario lo cual la hace mas costosa
  33. 33.  Memoria síncrona Pentium III con chipset 820 de intel Frecuencia entre los 600 y 800 MHz Memoria de bus o ancho de palabra de 16 bits funciona con ambos flancos ascendente y descendente del pulso del reloj del microprocesador. El modulo es RIMM (Rambus Inline Memory Module)
  34. 34.  Memoria de acceso al azar dinámica del acoplamiento síncrono bus de 64 bits velocidad de reloj de 200 MHz transferencia de datos con el flanco de subida y el flanco de bajada del reloj del sistema, lo cual genera una velocidad efectiva de 400 MHz legando a alcanzar 1,6GHz, 3,2GHz en modo doble, y hasta 4GB/s de transferencia
  35. 35. Ing. Esp. María Nancy Espinel Calixto
  36. 36. Ing. Esp. María Nancy Espinel Calixto
  37. 37. Ing. Esp. María Nancy Espinel Calixto
  38. 38.  DIP (dual in-line package, Paquete dual en línea) Ing. Esp. María Nancy Espinel Calixto
  39. 39. TARJETA PRINCIPAL DEIBM XT CON CHIP DEMEMORIA DIP
  40. 40. Ing. Esp. María Nancy Espinel Calixto
  41. 41.  1983 en los laboratorios WANG. SIMM de 30 pines Ing. Esp. María Nancy Espinel Calixto
  42. 42. 1MB 30-pin 70ns 3c 1x4 Parity FPM SIMM 16MB 30-pin 60ns non-parity SIMM
  43. 43. 8MB 72-pin 60ns EDO SIMM
  44. 44. 16MB 72-pin 60ns 2K EDO SIMM32MB 72-pin 60ns EDO 5V SIMM
  45. 45. 32MB EDO 4K refresh 4-chip 72-pin 60ns SIMM64MB 72-pin 60ns EDO 8-chip 5V SIMM
  46. 46. 128MB 72-pin 60ns EDO non-parity SIMM
  47. 47. 4MB 72-pin 60ns FPM SIMM8MB 72-pin 70ns FPM non-parity SIMM8MB 72-pin 60ns FPM non-Parity SIMM
  48. 48. 16MB 72-pin 60ns FPM non-Parity SIMM16MB 72-pin 70ns FPM non-Parity SIMM
  49. 49. 32MB 72-pin 60ns 16-chip 4x4 2K Refresh non-Parity FPMSIMM32MB 72-pin 70ns 16-chip 4x4 2K FPM SIMM
  50. 50. 64MB 72-pin 60ns FPM non-Parity SIMM64MB 72pin 60ns FPM Gold-Lead 8 chip SIMM
  51. 51. 128MB 72-pin 60ns 5V FPM SIMMhttp://www.memoryx.net/72pinsimm.html
  52. 52. FACTOR DE FORMA O RANURASSIMM (Módulo de Memoria en Línea Simple) : 30 ó 72 contactosDIMM (Módulo de Memoria en Línea Doble)
  53. 53. Ing. Esp. María Nancy Espinel Calixto
  54. 54. 72 contactos y 144,taza de transferencia de datos de 32y 64 bits respectivamente.3.3 Voltios Ing. Esp. María Nancy Espinel Calixto
  55. 55. •160 pines•Frecuencia deoperación de 600 /700 / 800 Mhz•Voltaje de 2.5V
  56. 56. Ing. Esp. María Nancy Espinel Calixto
  57. 57. Motherboard A85F2-AGolden con socket FM27 SATA 6.0 Gbps, 6USB 3.0, 8 SB 2.0,1Gigabit Ethernet y1 eSATA de 6.0Gbps. Salidas devideo, HDMI, DVI, D-Sub y DisplayPort,junto con audio de8 canales HD consoporte THXTruStudio PRO. 4 ranuras DIMM DDR3 2600 MHz (OC) que soportan hasta 64 GB de capacidad en una configuración de doble canal con soporte para la tecnología AMP. Incorpora dos ranuras PCI Express 2.0 x16 compatibles con CrossFireX y se le suman tres ranuras PCI Express x1 y dos PCI regulares.
  58. 58. sucesor de las memorias Rambus RDRAMUsa Octal Data Rate (ODR): Ocho bits por ciclo de reloj porlínea
  59. 59. Tasa de transferencia Se han alcanzado (2009) hasta 28.8 GB/s de transferencia a 7.2 GHz, en una configuración de x32-bit
  60. 60.  utilizada en las tarjetas gráficas (controladores gráficos) es accesible de forma simultánea por dos dispositivos. determina su limitación con respecto al número de colores y resolución. A mayor cantidad de memoria que se encuentra en la tarjeta de video, mayor es la resolución
  61. 61.  SAM (serial access memory) WRAM (Window RAM) SGRAM (Synchronous Graphics RAM) MDRAM (Multi-bank DRAM) CDRAM (Cache DRAM) 3D RAM GDDR-SDRAM (Graphics Double Data Rate SDRAM) RAM extendida
  62. 62. •Agrega mejoras como bit masking (escribir enun bit específico sin afectar a otros) y blockwrite (rellenar un bloque de memoria con unúnico color).• A diferencia de la VRAM y la WRAM, SGRAMes de un solo puerto.•Puede abrir dos páginas de memoria comouna, simulando el doble puerto que utilizanotras tecnologías RAM
  63. 63. es un tipo de VRAMequipada con líneasseparadas de lectura yescritura, que ofrecetiempos rápidos deacceso y es barata deproducir.Incorpora al doble puertode la VRAMinfraestructura dedicadapara operar sobre bloquesenteros de memoria

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