Este documento describe los transistores bipolares de unión (BJT), incluyendo que fueron desarrollados por Walter Brattain y John Bardeen en 1947. Explica que los BJT tienen tres terminales (emisor, base y colector) y existen en configuraciones npn y pnp. También describe los modos de operación de corte, saturación y activo, y cómo los BJT se usan para amplificar señales en circuitos electrónicos.
Este documento describe diferentes métodos para obtener la curva de transferencia de un transistor de efecto de campo (FET), incluido el uso de las características de salida, la ecuación de Schokley y un método rápido. También explica varias técnicas de polarización de FET, como la polarización fija, la autopolarización y la polarización por división de voltaje. Finalmente, presenta una curva universal de polarización para FET que puede usarse para cualquier nivel de corriente de saturación y voltaje de puerta.
Este documento describe una práctica de laboratorio sobre polarización por divisor de voltaje realizada por un estudiante. La práctica involucra el análisis teórico y práctico de un circuito de polarización con un transistor npn. El estudiante realiza cálculos algebraicos para determinar los valores de resistencias que permiten que el transistor opere en saturación, corte y máxima variación simétrica.
Este documento describe los transistores bipolares de unión (BJT), incluyendo que fueron desarrollados por Walter Brattain y John Bardeen en 1947. Explica que los BJT tienen tres terminales (emisor, base y colector) y existen en configuraciones npn y pnp. También describe los modos de operación de corte, saturación y activo, y cómo los BJT se usan para amplificar señales en circuitos electrónicos.
Este documento describe diferentes métodos para obtener la curva de transferencia de un transistor de efecto de campo (FET), incluido el uso de las características de salida, la ecuación de Schokley y un método rápido. También explica varias técnicas de polarización de FET, como la polarización fija, la autopolarización y la polarización por división de voltaje. Finalmente, presenta una curva universal de polarización para FET que puede usarse para cualquier nivel de corriente de saturación y voltaje de puerta.
Este documento describe una práctica de laboratorio sobre polarización por divisor de voltaje realizada por un estudiante. La práctica involucra el análisis teórico y práctico de un circuito de polarización con un transistor npn. El estudiante realiza cálculos algebraicos para determinar los valores de resistencias que permiten que el transistor opere en saturación, corte y máxima variación simétrica.