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Sulfuro de Cadmio (CdS)
𝑃𝑀 = 144.47
𝑔
𝑚𝑜𝑙
Apariencia: Un sólido de entre Amarillo Anaranjado—Café
𝜌 = 4,826
𝑘𝑔
𝑚3
⎼ Insoluble en Agua
⎼ Soluble en Ácido
⎼ Muy ligeramente soluble en Hidróxido de Amonio
Estructuras cristalinas:
también llamada
Wurtzita Hexagonal
𝑇𝑒𝑏 = 980 ℃
Características Químicas
PROPIEDADES FÍSICAS Y ESTRUCTURA
• La 𝜎 incrementa cuando es irradiado con luz
(llevándolo a usos como un fotoresistor)
• Ambos polimorfos son piezoeléctricos y el hexagonal
es también pyroeléctrico
• Electroluminiscencia
• El cristal de CdS puede actuar como un LASER de
estado sólido
Es un Semiconductor de
Ancho de Banda Directo,
𝐸𝑔 = 2.42 𝑒𝑉
tipo⎼n como Semiconductor Intrínseco
𝑃𝑀 = 159.16
𝑔
𝑚𝑜𝑙
𝜌 = 5,600
𝑘𝑔
𝑚3
Características Químicas:
⎼ Insoluble en Agua
⎼ Ligeramente soluble en HCl
⎼ Soluble en NH4OH
⎼ Se disuelve en KCN
⎼ Se descompone en HNO3 y en H2SO4
Estructura Cristalina:
𝑇𝑓 = 1,130 ℃
Sulfuro de Cobre(I) (Cu2S)
Semiconductor de Ancho
de Banda Indirecto
𝐸𝑔 = 1.2 𝑒𝑉
Estructura: Existen dos formas del Cu2S a baja temperatura:
1. La forma Monoclínica, la cual tiene una estructura compleja con 96 átomos de Cu
en su celda unitaria
2. Y una forma (aproximadamente descrita) Hexagonal, que es estable arriba de 104
°C. En esta estructura hay 24 átomos de Cu cristalográficamente distintos
tipo⎼p como Semiconductor Intrínseco
𝑃𝑀 = 81.38
𝑔
𝑚𝑜𝑙
𝜌 = 5,606
𝑘𝑔
𝑚3
Óxido de Zinc (ZnO)
Apariencia: Sólido Blanco
tipo⎼n como Semiconductor Intrínseco
Olor: “Odorless”
Es un Semiconductor de
Ancho de Banda Directo,
𝐸𝑔 ≈ 3.3 𝑒𝑉
• Buena transparencia
• Alta Movilidad Electrónica (𝜇𝑒)
• Bangap amplio
• Luminiscencia @ temperatura ambiente fuerte
Estructura
Hexagonal Wurzita
Estructura Cúbica
“Zincblende”
Esta es la más estable
a condiciones de
temperatura y presión
ambiente
La forma
“zincblende” puede
ser estabilizada
creciendo el ZnO
en sustratos con
estructura de red
cúbica.
El ZnO cristalino es
Termocrómico
Propiedades de
Piezoelectricidad
y Piroelectricidad
Propiedades de
Piezoelectricidad
∙ Mayores voltajes de ruptura (breakdown voltage)
∙ Habilidad para sostener grandes campos eléctricos
∙ Bajo ruido electrónico
∙ Alta temperatura de operación
∙ Alta potencia de operación
Otras propiedades Eléctricas:
𝑃𝑀 = 239.30
𝑔
𝑚𝑜𝑙
𝜌 = 7,600
𝑘𝑔
𝑚3
𝑇𝑓 = 1,118 ℃
Sulfuro de Plomo(II) (PbS)
𝑇𝑒𝑏 = 1,281 ℃
tipo⎼p como Semiconductor Intrínseco
Solubilidad en Agua (insoluble):
2.6 × 10−11 𝑘𝑔
𝑘𝑔
(calculada a un pH=7)
𝑘𝑝𝑠 = 9.04 × 10−29
Calor Especifico:
𝐶 = 46.02
𝐽
℃ ∙ 𝑚𝑜𝑙
El PbS también es conocido como Galena
Es un Semiconductor de
Ancho de Banda Directo,
𝐸𝑔 = 0.37 𝑒𝑉
Estructura Cristalina:
Cúbica
Centrada en las
Caras (FCC)
Halita (como la del NaCl)

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  • 1. Sulfuro de Cadmio (CdS) 𝑃𝑀 = 144.47 𝑔 𝑚𝑜𝑙 Apariencia: Un sólido de entre Amarillo Anaranjado—Café 𝜌 = 4,826 𝑘𝑔 𝑚3 ⎼ Insoluble en Agua ⎼ Soluble en Ácido ⎼ Muy ligeramente soluble en Hidróxido de Amonio Estructuras cristalinas: también llamada Wurtzita Hexagonal 𝑇𝑒𝑏 = 980 ℃ Características Químicas PROPIEDADES FÍSICAS Y ESTRUCTURA • La 𝜎 incrementa cuando es irradiado con luz (llevándolo a usos como un fotoresistor) • Ambos polimorfos son piezoeléctricos y el hexagonal es también pyroeléctrico • Electroluminiscencia • El cristal de CdS puede actuar como un LASER de estado sólido Es un Semiconductor de Ancho de Banda Directo, 𝐸𝑔 = 2.42 𝑒𝑉 tipo⎼n como Semiconductor Intrínseco
  • 2. 𝑃𝑀 = 159.16 𝑔 𝑚𝑜𝑙 𝜌 = 5,600 𝑘𝑔 𝑚3 Características Químicas: ⎼ Insoluble en Agua ⎼ Ligeramente soluble en HCl ⎼ Soluble en NH4OH ⎼ Se disuelve en KCN ⎼ Se descompone en HNO3 y en H2SO4 Estructura Cristalina: 𝑇𝑓 = 1,130 ℃ Sulfuro de Cobre(I) (Cu2S) Semiconductor de Ancho de Banda Indirecto 𝐸𝑔 = 1.2 𝑒𝑉 Estructura: Existen dos formas del Cu2S a baja temperatura: 1. La forma Monoclínica, la cual tiene una estructura compleja con 96 átomos de Cu en su celda unitaria 2. Y una forma (aproximadamente descrita) Hexagonal, que es estable arriba de 104 °C. En esta estructura hay 24 átomos de Cu cristalográficamente distintos tipo⎼p como Semiconductor Intrínseco
  • 3. 𝑃𝑀 = 81.38 𝑔 𝑚𝑜𝑙 𝜌 = 5,606 𝑘𝑔 𝑚3 Óxido de Zinc (ZnO) Apariencia: Sólido Blanco tipo⎼n como Semiconductor Intrínseco Olor: “Odorless” Es un Semiconductor de Ancho de Banda Directo, 𝐸𝑔 ≈ 3.3 𝑒𝑉 • Buena transparencia • Alta Movilidad Electrónica (𝜇𝑒) • Bangap amplio • Luminiscencia @ temperatura ambiente fuerte Estructura Hexagonal Wurzita Estructura Cúbica “Zincblende” Esta es la más estable a condiciones de temperatura y presión ambiente La forma “zincblende” puede ser estabilizada creciendo el ZnO en sustratos con estructura de red cúbica. El ZnO cristalino es Termocrómico Propiedades de Piezoelectricidad y Piroelectricidad Propiedades de Piezoelectricidad ∙ Mayores voltajes de ruptura (breakdown voltage) ∙ Habilidad para sostener grandes campos eléctricos ∙ Bajo ruido electrónico ∙ Alta temperatura de operación ∙ Alta potencia de operación Otras propiedades Eléctricas:
  • 4. 𝑃𝑀 = 239.30 𝑔 𝑚𝑜𝑙 𝜌 = 7,600 𝑘𝑔 𝑚3 𝑇𝑓 = 1,118 ℃ Sulfuro de Plomo(II) (PbS) 𝑇𝑒𝑏 = 1,281 ℃ tipo⎼p como Semiconductor Intrínseco Solubilidad en Agua (insoluble): 2.6 × 10−11 𝑘𝑔 𝑘𝑔 (calculada a un pH=7) 𝑘𝑝𝑠 = 9.04 × 10−29 Calor Especifico: 𝐶 = 46.02 𝐽 ℃ ∙ 𝑚𝑜𝑙 El PbS también es conocido como Galena Es un Semiconductor de Ancho de Banda Directo, 𝐸𝑔 = 0.37 𝑒𝑉 Estructura Cristalina: Cúbica Centrada en las Caras (FCC) Halita (como la del NaCl)

Editor's Notes

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  2. 2 min.
  3. 2 min.
  4. 2 min.