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A simple vista es 
imposible que un 
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Idealmente, a T=0ºK, 
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tipo p, por la producción de un 
"hueco" o deficiencia de 
electrón.
El dopaje consiste em sustituir algunos átomos de 
otros elementos. A estos últimos se les conoce com el 
nombre de impurezas. Dependiendo del tipo de 
impurezas com el que se dope al semiconductor puro o 
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Dopado de un semiconductor 
Para aumentar la 
conductividad (que sea más 
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(Semiconductor), se le suele 
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Impurezas de valencia 
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CASO 1 DOPADO DE UN SEMICONDUCTOR 
 Impurezas de valencia 5 
(Arsénico, Antimonio, 
Fósforo). Tenemos un cristal 
de Silicio dopado con átomos 
de valencia 5 
 Los átomo de valencia 5 
tienen un electrón de más, 
así con una temperatura no 
muy elevada (a temperatura 
ambiente por ejemplo), el 5º 
electrón se hace electrón 
libre. Esto es, como solo se 
pueden tener 8 electrones en 
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átomo pentavalente suelta 
un electrón que será libre.
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 Impurezas de valencia 3 
(Aluminio, Boro, Galio). Tenemos 
un cristal de Silicio dopado con 
átomos de valencia 3. 
 Los átomo de valencia 3 tienen un 
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nos falta un electrón tenemos un 
hueco. Esto es, ese átomo 
trivalente tiene 7 electrones en la 
orbita de valencia. Al átomo de 
valencia 3 se le llama "átomo 
trivalente" o "Aceptor". 
 A estas impurezas se les llama 
"Impurezas Aceptoras". Hay tantos 
huecos como impurezas de 
valencia 3 y sigue habiendo 
huecos de generación térmica 
(muy pocos). El número de huecos 
se llama p (huecos/m3).
BIBLIOGRAFÍA 
 http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/intrinseco.asp 
 http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/dopado.asp 
 http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Pagina 
s/Pagina5.htm 
 http://fisicadesemiconductores.blogspot.com/ 
 http://quintonochea.wikispaces.com/semiconductores1 
 http://fisicauva.galeon.com/aficiones1925812.html 
 http://ecotecnologias.wordpress.com/tag/celd 
 http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semicond 
uctor_3.htm 
 http://www.etitudela.com/Electrotecnia/downloads/introduccion.p 
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Semiconductores

  • 1.
  • 2.
  • 3. A simple vista es imposible que un semiconductor permita el movimiento de electrones a través de sus bandas de energía Idealmente, a T=0ºK, el semiconductor es un aislante porque todos los e- están formando enlaces. Pero al crecer la temperatura, algún enlace covalente se puede romper y quedar libre un e- para moverse en la estructura cristalina. Representación bidimensional de la estructura cristalina del Si El hecho de liberarse un e- deja un “hueco” (partícula ficticia positiva) en la estructura cristalina. De esta forma, dentro del semiconductor encontramos el electrón libre (e-), pero también hay un segundo tipo de portador: el hueco (h+)
  • 4. El elemento semiconductor más usado es el silicio, el segundo el germanio, aunque idéntico comportamiento presentan las conbinaciones de elementos de los grupos 12 y 13 com los de los grupos 14 y 15 respectivamente (AsGa, PLn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd).
  • 5.
  • 6. Estructura de un semiconductor Estructura de un metal ~~1023 e- libres/cm3 ~~1013 e- libres/cm3
  • 7. Conducción intrínseca Dependencia con la Temperatura: Gráfico n! = f(T)
  • 8. El Dopado de Semiconductores La adición de un pequeño porcentaje de átomos extraños en la red cristalina regular de silicio o germanio, produce unos cambios espectaculares en sus propiedades eléctricas, dando lugar a los semiconductores de tipo n y tipo p. Impurezas pentavalentes Los átomos de impurezas con 5 electrones de valencia, producen semiconductores de tipo n, por la contribución de electrones extras. Impurezas trivalentes Los átomos de impurezas con 3 electrones de valencia, producen semiconductores de tipo p, por la producción de un "hueco" o deficiencia de electrón.
  • 9. El dopaje consiste em sustituir algunos átomos de otros elementos. A estos últimos se les conoce com el nombre de impurezas. Dependiendo del tipo de impurezas com el que se dope al semiconductor puro o intrínseco aparecen dos clases de semiconductores. - Semiconductor tipo P - Semiconductor tipo N Sentido del movimiento de un electrón y un hueco en el silicio
  • 10. Dopado de un semiconductor Para aumentar la conductividad (que sea más conductor) de un SC (Semiconductor), se le suele dopar o añadir átomos de impurezas a un SC intrínseco, un SC dopado es un SC extrínseco. Caso 1 Impurezas de valencia 5 (Arsénico, Antimonio, Fósforo). Tenemos un cristal de Silicio dopado con átomos de valencia 5.
  • 11. CASO 1 DOPADO DE UN SEMICONDUCTOR  Impurezas de valencia 5 (Arsénico, Antimonio, Fósforo). Tenemos un cristal de Silicio dopado con átomos de valencia 5  Los átomo de valencia 5 tienen un electrón de más, así con una temperatura no muy elevada (a temperatura ambiente por ejemplo), el 5º electrón se hace electrón libre. Esto es, como solo se pueden tener 8 electrones en la órbita de valencia, el átomo pentavalente suelta un electrón que será libre.
  • 12. CASO 2  Impurezas de valencia 3 (Aluminio, Boro, Galio). Tenemos un cristal de Silicio dopado con átomos de valencia 3.  Los átomo de valencia 3 tienen un electrón de menos, entonces como nos falta un electrón tenemos un hueco. Esto es, ese átomo trivalente tiene 7 electrones en la orbita de valencia. Al átomo de valencia 3 se le llama "átomo trivalente" o "Aceptor".  A estas impurezas se les llama "Impurezas Aceptoras". Hay tantos huecos como impurezas de valencia 3 y sigue habiendo huecos de generación térmica (muy pocos). El número de huecos se llama p (huecos/m3).
  • 13. BIBLIOGRAFÍA  http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/intrinseco.asp  http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/dopado.asp  http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Pagina s/Pagina5.htm  http://fisicadesemiconductores.blogspot.com/  http://quintonochea.wikispaces.com/semiconductores1  http://fisicauva.galeon.com/aficiones1925812.html  http://ecotecnologias.wordpress.com/tag/celd  http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semicond uctor_3.htm  http://www.etitudela.com/Electrotecnia/downloads/introduccion.p df  http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/default.asp