Dispositivos Electricos - Transistores Utelesup - Fisica Electronica

1. Dispositivos Electrónicos
Transistores

2. Transistor Bipolar
Características del transistor BC32725 , PNP, -45V TO-92
O TRANSISTOR BIPOLAR, PNP, -45V TO-92
O Polaridad del transistor: PNP
O Voltaje del emisor del colector, CEO de V (Br): - 45V
O Frecuencia Typ, pie de la transición: 100MHz
O Disipación de energía, paladio: 625mW
O Corriente de colector de la C.C.: 800mA
O Aumento actual de C.C. máximo (hfe): 250
O RoHS obediente: Sí

3. Transistor Bipolar
Características del transistor TIP30 NPN
O transistores de energía de 1.Silicon PNP 2.Packaging: TO-220
3.VCEO (SUS) = -40V (minuto)
4.VCE (sentado) = @IC= -1.0A de -0.7V (máximo)
O Transistores de energía del silicio NPN del ISC TIP30
O DESCRIPCIÓN
O ·Voltaje de mantenimiento del Collector-Emitter
O : VCEO (SUS) = -40V (minuto)
O ·Voltaje de saturación del Collector-Emitter
O : VCE (sentado) = @IC= -1.0A de -0.7V (máximo)
O ·Complemento para mecanografiar TIP29
O USOS
O Diseñado para el uso en amplificador de fines generales y la
conmutación
O usos

4. Transistor Jfet
Características del transistor 2N5116
O Transistor de efecto de campo de ensambladura, P-Channel
JFET
O Transistor de efecto de campo de ensambladura
P-Channel JFET
O Code=2N5116
Brand=Vishay/Siliconix
Detailed=JFET 30V 10pA
Datos Spe'c=Available
Solo
O gFS delantero del transadmittance: 0.0045 S
ohmios =150 de /Source RDS (continuaci3on) de la drenar-a-
puerta
atajo voltage=4 V
dieléctrico puncture=30 V
drene la corriente (Vgs=0; Idss) = - 5 mA a - 25 mA
Packing=200pcs/bag

5. Transistor Jfet
Características del transistor 2N4117A 2N4117
Amplificador de N-Canal JFET de uso general - Calogic, LLC
baja fuga
baja capacidad
(TA = 25 º C a menos que se indique lo contrario)
puerta-fuente o voltaje de la puerta-drenaje. . . . . . . . . . . . . . . . -40V
Puerta actual. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 mA
Rango de temperatura de almacenamiento. . . . . . . . . . . . . -65oC a
+200 ° C
Rango de temperatura. . . . . . . . . . . -55oC a +175 ° C
disipación de energía. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300 mW
Desclasifique por encima de 25 º C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.0mW/oC

6. Transistor Jfet
Características del transistor MMBFJ175LT1G

7. Transistor Fet
Características del transistor RD70HVF1 MITSUBISHI RF
Abadejo del FET 2. del transistor del RF > 70W, Gp > 10.6dB @ Vdd =
12.5V, abadejo f = 175MHz 3. > 50W, Gp > 7.0dB @ Vdd = 12.5V, f =
520MHz
Semiconductores de la energía del RF del silicio
FET del transistor de MITSUBISHI RF
Dispositivos de alta frecuencia
MOSFET de la energía del Si RF
Transistor del efecto de campo del Metal-Óxido-Semiconductor, MOSFET
1. DESCRIPCIÓN
RD70HVF1 es un tipo transistor del FET del MOS diseñado
específicamente para los usos de los amplificadores del poder más
elevado del VHF/de la frecuencia ultra elevada.
2. USO
Para la etapa de la salida de los amplificadores del poder más elevado en
sistemas de radio móviles de la venda del VHF/de la frecuencia ultra
elevada.

8. Bibliografía
http://spanish.alibaba.com/