Elaboración de la tarea Física Electrónica ( 4to ciclo ) alumno: Ccoyllo García Cristian Franco Profesor: Rojas Reategui Raul 2013 alumno: Ccoyllo García Cristian Franco Profesor: Rojas Reategui Raul 2013

2. TRANSISTOR: Es un dispositivo electrónico
semiconductor que cumple funciones de amplificador,
oscilador, conmutador o rectificador.

3.  NOMBRE DE LAS COMPAÑÍAS QUE
VENDAN DISPOSITIVOS
ELECTRÓNICOS:

6. Transistor NMOS de
enriquecimiento
 En la Figura se pone de manifiesto cómo
la intensidad ID aumenta bruscamente
cuando se supera la tensión
umbral VTH (Threshold Voltaje) y se crea
el canal. Es un componente idóneo para
conmutación, puesto que pasa de un
estado de corte a uno de conducción a
partir de un valor de la señal de control.
En los dispositivos con el terminal de
puerta de aluminio y el aislante de óxido
de silicio, la tensión umbral está en torno
a los cinco voltios.

7. TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUAL
 Llamado también transistor de punta de
contacto, fue el primer transistor capaz de
obtener ganancia, inventado en 1947 por J.
Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de
germanio, semiconductor para entonces mejor
conocido que la combinación cobre-óxido de
cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos
puntas metálicas que constituyen el emisor y el
colector. La corriente de base es capaz de
modular la resistencia que se "ve“ en el colector,
de ahí el nombre de "transfer resistor". Se basa
en efectos de superficie, poco conocidos en su
día. Es difícil de fabricar (las puntas se
ajustaban a mano), frágil (un golpe podía
desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo
convivió con el transistor de unión (W. Shockley,
1948) debido a su mayor ancho de banda. En la
actualidad ha desaparecido.

8. TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR
 El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se
fabrica básicamente sobre un mono cristal de Germanio, Silicio o
Arsénico de galio, que tienen cualidades de semiconductores,
estado intermedio entre conductores como los metales y los
aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se
contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos delas cuales
son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones
NP. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas
negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas).
Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In),
Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o
Fósforo(P).La configuración de uniones PN, dan como resultado
transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre
corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y
al colector que, si bien son del mismo tipo y designo contrario a la
base, tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general, el
emisor está mucho más contaminado que el colector).El mecanismo
que representa el comportamiento semiconductor dependerá de
dichas contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de
tecnología de contaminación (difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del
comportamiento cuántico de la unión.

9. TRANSISTOR DE UNIÓN UNIPOLAR O
DE EFECTO DE CAMPO
 El transistor de unión unipolar, también llamado de efecto de campo de unión(JFET), fue el
primer transistor de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material
semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto
óhmico, tenemos así un transistor de efecto decampo tipo N de la forma más básica. Si se
difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre sí, se
producirá una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador.
Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor,
estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarización cero.
Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la
conducción en el canal. El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que
controla la corriente en función de una tensión; tienen alta impedancia de entrada. Transistor de
efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión PN. Transistor de efecto de
campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se aísla del canal mediante un
dieléctrico. Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-Óxido-
Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está separada del canal semiconductor
por una capa de óxido.

10. FOTOTRANSISTOR
 Los fototransistores son sensibles a la
radiación electromagnética en frecuencias
cercanas a la de la luz visible; debido a esto
su flujo de corriente puede ser regulado por
medio de la luz incidente. Un fototransistor
es, en esencia, lo mismo que un transistor
normal, sólo que puede trabajar de 2
maneras diferentes: Como un transistor
normal con la corriente de base (IB) (modo
común).Como fototransistor, cuando la luz
que incide en este elemento hace las veces
de corriente de base. (IP) (modo de
iluminación).

11. D D G - Puerta (GATE)
G G D - Drenador (DRAIN)
S S S - Surtidor o fuente (SOURCE)
Canal N Canal P

12. Estructura interna de un JFET
D D
G G
P P N N
N P
S S
Canal N Canal P
D D
G G
S S

13. Funcionamiento de un JFET de canal N
D
ID ID
U SG
G U D S ( b a ja )
El canal
s e e s tre c h a
U SG
U D S
S
Entre D y S se tiene una resistencia que varía en función de U SG

14. Características eléctricas de un JFET
Z o n a r e s is tiv a
ID ( m A ) Z o n a d e f u e n te d e c o r r ie n t e
U G S =0V
30
20 U G S1 = -2 V Característica real
10 U G S2 = -4 V
2 U (V )
4 6 8 D S
ID
U G S
U Característica
G S1
linealizada
U G S2
V U D S
P

15. Los símbolos de este tipo de dispositivos son:
Símbolos de los transistores
JFET

16. Resumen de las características de un JFET
de unión:
La corriente de drenador se controla mediante tensión (a
diferencia de los transistores bipolares donde se controla la
corriente de colector mediante la corriente de base)
La unión puerta-fuente se polariza en zona inversa y existe
un valor límite de UGS a partir del cual el canal se cierra y
deja de pasar corriente de drenador
Entre drenador y fuente el JFET se comporta como una
resistencia o una fuente de corriente dependiendo de la
tensión UDS.
Aplicaciones típicas: amplificadores de audio y de
radiofrecuencia

17. Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulación de canal N
G
S
D
N N
M e ta l
O x id o ( a is la n t e )
P S e m ic o n d u c to r
SU STR ATO
Normalmente el terminal de SUSTRATO se encuentra
conectado con el surtidor S

18. Transistores MOSFET (FET Metal-oxido-
semiconductor)
Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulación de canal N
U D S
ID = 0
G • Los terminales principales del MOS son
D S drenador y surtidor
N N • Al aplicar tensión UDS la unión
drenador-sustrato impide la circulación
P de corriente de drenador
SU STR ATO

19. Transistores MOSFET (FET Metal-oxido-
semiconductor)
Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulación de canal N
U D S
• Formado el canal entre drenador y
U
surtidor puede circular la corriente
ID
de drenador ID
G S
• Incrementar la tensión UDS tiene un
N N doble efecto:
C a m p o e lé c tr ic o
d e b id o a U D S ∗ Ohmico: mayor tensión = mayor
P C a m p o e lé c tr ic o corriente ID
d e b id o a U G S
∗ El canal se estrecha por uno de
los lados = ID se reduce
• A partir de un cierto valor de UDS ambos efectos se compensan y la
corriente se estabiliza haciendose prácticamente independiente de U DS

20. Transistores MOSFET (FET Metal-oxido-
semiconductor)
Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulación de canal N
Curvas
D ID ( m A ) características U G S
10
40
ID
30 8
P o r d e b a jo d e
G
U D S 20
e s ta t e n s ió n n o
6
10 s e fo rm a e l c a n a l
U G S 4
S
2 4 6 8 U D S (V )
• A partir de un cierto valor de UGS se forma el canal entre drenado
y fuente. Por debajo de este límite el transistor está en corte.
• Dependiendo de la tensión UDS se puede tener un equivalente
resistivo o de fuente de corriente entre D y S

21. Transistores MOSFET (FET Metal-oxido-
semiconductor)
Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulación de canal P
Curvas
D
ID (m A )
características
U G S
-1 0
ID -4 0
-3 0 -8
G
U D S
-2 0
-6
U -1 0
G S
S -4
-2 -4 -6 -8 U D S (V )
• Canal P: comportamiento equivalente al del MOSFET de canal N pero
con los sentidos de tensiones y corrientes invertidos