O documento descreve um novo método para extrair parâmetros de transistores MOSFET de quatro terminais isolados, como a corrente de saturação (IS), tensão de limiar (VT0), mobilidade (μ) e fator de inclinação (n). O método envolve medir a corrente de drenagem (ID) em função de uma tensão variável (VX) com as outras tensões fixas, permitindo extrair os parâmetros sem a presença do fator n na equação. O método é demonstrado experimentalmente em um transistor NMOS fabricado em tecnologia TS

1. EXTRAÇÃO DE PARÂMETROS Procedimento e análise Gustavo Naspolini & Thiago J Oliveira

5. Com o circuito e método propostos define-se um novo ganho (transcondutância) I D /V X :

6. Transcondutâncias em função do nível de inversão Usando a definição Gno anterior: Desenvolvendo para I D =I S ( i f - i r ) Desta forma o n desaparece da equação correspondente:

8. Como extrair I S , V T0 , a mobilidade e o slope factor. Limiar depende do n

10. Para cada V G diferente um valor de V P para i f =3 é extraído. Esta curva é fundamental para obtenção do slope factor.