IGBTのデバイスモデリングに必要な情報項目について(PDF)

1. IGBTのデバイスモデリングに
必要な情報項目について
株式会社ビー・テクノロジー
2013年5月22日
http://www.beetech.info
1

2. (1)伝達特性
VGE-IC特性図(測定条件：VCE)
(2)飽和特性
VCE(sat)-IC特性図(測定条件：VGE)
(3)ゲートチャージ特性
ゲートチャージ特性図及び測定条件：VCC, IC,VGE
(4)スイッチング特性(下降時間)
tf値(測定条件：IC, VCC, VGE, RG)
(5)出力特性
VCE-IC特性図(測定条件：VGE)
2
IGBT(本体)

3. (1)IV特性
(2)逆回復特性
2つの測定方法から選択
(2-1)IFIR法の場合
スタンダードモデル
→trr値(測定条件：IF,IR,RL)
プロフェッショナルモデルの場合
→ trr値(測定条件：IF,IR,RL)及び波形写真
(2-2)電流減少率法の場合  IGBTの場合
trr値(測定条件：VCC, IF, di/dt[A/us])
3
FWD