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ウェハー内のESDスパイスモデル

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ウェハー内のESDスパイスモデル

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ウェハー内のESDスパイスモデル

  1. 1. ウェハー内のESDのスパイスモデルのご案内 2013年4月2日 株式会社ビー・テクノロジー horigome@beetech.info 1All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc.2013
  2. 2. ESDのスパイスモデルに必要な情報(データ)について (1)IV特性の電気的特性(3ページをご参照下さい) Symbol Description Unit Vav Avalanche Voltage V Vsp Snapback Voltage V Isp Snapback Current A Ron Snapback Slope ohm It2 Destructive Current A (2)MOSFET(M1)とトランジスタ(Q1)のスパイスモデル(4ページをご参照下さい) MOSFET(M1)とトランジスタ(Q1)のスパイスモデルがない場合は、 当社でデバイスモデリングする事は可能です。 2 All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc.2013
  3. 3. DC Characteristics:ESD Parameters1) Vav (Avalanche Voltage)2) Vsp (Snapback Voltage)3) Isp (Snapback Current)4) Ron (Snapback Slope)5) It2 (Destructive Current) Id Ron Vsp Isp Vav I(Rd) V(D)Vd I-V Characteristic: ESD Parameters 3 All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc.2013
  4. 4. ESDのスパイスモデルの等価回路図 G Rs {R} Rd {R} S D D2 M1 Dsp B D1 Dave Q1 F Qpr s {f 1} PARAMETERS: Rsub Rsub = 1800 R = 85 f1 = 10 B All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc.2013 4

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