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双向晶闸管
TRIACS
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主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
IT(RMS) 4A
VDRM 600V or 800V
IGT 10mA
用途 APPLICATIONS
交流开关 AC switching
相位控制 Phase control
产品特性 FEATURES
平面钝化芯片,
高 可 靠 性 和 一
致性
Planar chip for reliability
and uniform
封装 Package
序号
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引线名称
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1 主电极 1 MT1
2 主电极 2 MT2
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低通态电流和高
浪涌电流能力
Low on-state voltage and
High ITSM
环保 RoHS 产品 RoHS products
通过 UL 认证:
E258645
UL:E258645
订货信息 ORDER MESSAGES
订 货 型 号
Order code
印 记
Marking
封 装
Package
包 装
Packaging
BT136-O-C-N-B BT136 TO-220C 条管 Tube
BT136-O-HF-N-B BT136 TO-220HF 条管 Tube
TO-220C TO-220HF
R BT136
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绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (TC=25℃)
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Parameter
符 号
Symbol
试 验 条 件
Condition
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Value
单位
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重复峰值断态电压
Repetitive peak off-state voltage
VDRM
±600
±800
V
通态方均根电流On-state RMS current IT(RMS) full sine wave 4 A
full sine wave ,t=20ms 25 A非 重 复 浪 涌 峰 值 通 态 电 流 Non-
repetitive surge peak on-state current
ITSM
full sine wave ,t=16.7ms 27 A
I2
t t=10ms 3.1 A2
s
通态电流临界上升率 Repetitive rate of
rise of on-state current after triggering
dI/dt
ITM=6A, IG=0.2A,
dIG/dt=0.2A/μs
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单位
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VDM=12V,
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IL
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controlled turn-on time
tgt
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市场营销部 MARKET DEPARTMENT
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电话:86-432-64675588
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64678411-3098/3099
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附录(Appendix):修订记录(Revision History)
日期 Date 旧版本 Last Rev. 新版本 New Rev. 修订内容 Description of Changes
2009-5-15 200901E 200905F 中英文格式改版
2009-11-3 200905F 200911G 修改电话号码
2010-9-6 200911G 201009H 修改 TO-220C 外形
2015-10-22 201009H 201510I 修改热阻参数

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Triac bt136 jilinsino

  • 1. R 版本:201510I 1/7 双向晶闸管 TRIACS BT136 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS IT(RMS) 4A VDRM 600V or 800V IGT 10mA 用途 APPLICATIONS 交流开关 AC switching 相位控制 Phase control 产品特性 FEATURES 平面钝化芯片, 高 可 靠 性 和 一 致性 Planar chip for reliability and uniform 封装 Package 序号 Pin 引线名称 Description 1 主电极 1 MT1 2 主电极 2 MT2 3 门极 G 低通态电流和高 浪涌电流能力 Low on-state voltage and High ITSM 环保 RoHS 产品 RoHS products 通过 UL 认证: E258645 UL:E258645 订货信息 ORDER MESSAGES 订 货 型 号 Order code 印 记 Marking 封 装 Package 包 装 Packaging BT136-O-C-N-B BT136 TO-220C 条管 Tube BT136-O-HF-N-B BT136 TO-220HF 条管 Tube TO-220C TO-220HF
  • 2. R BT136 版本:201510I 2/7 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (TC=25℃) 项 目 Parameter 符 号 Symbol 试 验 条 件 Condition 数 值 Value 单位 Unit 重复峰值断态电压 Repetitive peak off-state voltage VDRM ±600 ±800 V 通态方均根电流On-state RMS current IT(RMS) full sine wave 4 A full sine wave ,t=20ms 25 A非 重 复 浪 涌 峰 值 通 态 电 流 Non- repetitive surge peak on-state current ITSM full sine wave ,t=16.7ms 27 A I2 t t=10ms 3.1 A2 s 通态电流临界上升率 Repetitive rate of rise of on-state current after triggering dI/dt ITM=6A, IG=0.2A, dIG/dt=0.2A/μs 50 A/μs 峰值门极电流 Peak gate current IGM 2 A 峰值门极电压 Peak gate voltage VGM 5 V 峰值门极功率 Peak gate power PGM 5 W 平均门极功率 Average gate power PG(AV) over any 20ms period 0.5 W 存储温度 Storage temperature Tstg -40~150 ℃ 操作结温Operation junction temperature TVJ 125 ℃
  • 3. R BT136 版本:201510I 3/7 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC (TC=25℃) 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测 试 条 件 Condition 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Unit 峰值重复断态电流 Peak Repetitive Blocking Current IDRM VDM=VDRM, Tj=125℃, gate open - - 0.5 mA 峰值通态电压 Peak on-state voltage VTM ITM=5A - 1.4 1.7 V MT1(-),MT2(+),G(+) - 2.5 10 mA MT1(-),MT2(+),G(-) - 4.0 10 mA MT1(+),MT2(-),G(-) - 5.0 10 mA 门极触发电流 Gate trigger current IGT VDM=12V, RL=100Ω MT1(+),MT2(-),G(+) - 11 25 mA MT1(-),MT2(+),G(+) - - 1.5 V MT1(-),MT2(+),G(-) - - 1.5 V 门极触发电压 Gate trigger voltage VGT VDM=12V, RL=100Ω MT1(+),MT2(-),G(-) - - 1.5 V 维持电流 Holding current IH VDM=12V, IGT=0.1A - - 20 mA MT1(-),MT2(+),G(+) - 3.0 15 mA MT1(-),MT2(+),G(-) - 10 20 mA 擎住电流 Latching current IL VDM=12V, IGT=0.1A MT1(+),MT2(-),G(-) - 2.5 15 mA 断态临界电压上升率 Rise of off- state voltage dV/dt VDM=67% VDRM(MAX), Tj=125℃, gate open - 50 - V/μs 门 极 开 通 时 间 Gate controlled turn-on time tgt ITM=6A, VDM=VDRM(MAX), IG=0.1A, dIG/dt=5A/μS - 2 - μs 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项 目 Parameter 符 号 Symbol 条 件 Condition 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Unit full cycle(TO-220C) 3.0 ℃/W结到管壳的热阻 Thermal resistance junctiontocase Rth(j-c) full cycle(TO-220HF) 4.5 ℃/W 电绝缘特性 ELECTRICAL ISOLATION 项 目 Parameter 符 号 Symbol 条 件 Condition 数 值 Value 单位 Unit 绝缘电压 Isolation voltage VISOL 1 minute, leads to mounting tab TO-220HF 2000 V
  • 4. R BT136 版本:201510I 4/7 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) Ptot- IT(RMS) IT(RMS) – Tc 态峰值耗散功率Ptot(W) 通态方均根电流IT(RMS)(A) 通态方均根电流 IT(RMS)(A) 管壳温度 Tc℃) ITSM - tp IT(RMS)- ts 通态浪涌电流ITSM(A) 通态方均根电流IT(RMS)(A) 脉冲宽度 tp(ms) 冲击持续时间 ts(s) IGT(Tj)/IGT(25℃) - Tj VTM - IT 比值IGT(Tj)/IGT(25℃) 电流IT(A) 结温 Tj(℃) 通态压降 VTM(V)
  • 5. R BT136 版本:201510I 5/7 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-220C 单位 Unit :mm
  • 6. R BT136 版本:201510I 6/7 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-220HF 单位 Unit :mm
  • 7. R BT136 版本:201510I 7/7 注意事项 NOTE 1. 吉林华微电子股份有限公司的产品销售 分为直销和销售代理,无论哪种方式, 订货时请与公司核实。 2. 购买时请认清公司商标,如有疑问请与 公司本部联系。 3. 在电路设计时请不要超过器件的绝对最 大额定值,否则会影响整机的可靠性。 4. 本说明书如有版本变更不另外告知 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering, please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this specification sheet and is subject to change without prior notice. 联系方式 吉林华微电子股份有限公司 CONTACT JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 公司地址:吉林省吉林市深圳街 99 号 ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. 邮编:132013 Post Code: 132013 总机:86-432-64678411 Tel: 86-432-64678411 传真:86-432-64665812 Fax: 86-432-64665812 网址:www.hwdz.com.cn Web Site: www.hwdz.com.cn 市场营销部 MARKET DEPARTMENT 地址:吉林省吉林市深圳街 99 号 ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. 邮编:132013 Post Code: 132013 电话:86-432-64675588 64675688 64678411-3098/3099 Tel: 86-432-64675588 64675688 64678411-3098/3099 传真:86-432-64671533 Fax: 86-432-64671533 附录(Appendix):修订记录(Revision History) 日期 Date 旧版本 Last Rev. 新版本 New Rev. 修订内容 Description of Changes 2009-5-15 200901E 200905F 中英文格式改版 2009-11-3 200905F 200911G 修改电话号码 2010-9-6 200911G 201009H 修改 TO-220C 外形 2015-10-22 201009H 201510I 修改热阻参数