Successfully reported this slideshow.
We use your LinkedIn profile and activity data to personalize ads and to show you more relevant ads. You can change your ad preferences anytime.

Diodos Práctica Aula Nº 2

6,441 views

Published on

Prácticas de Aula con Diodos.

Published in: Education, Business
  • Be the first to comment

Diodos Práctica Aula Nº 2

  1. 1. DIRECCIÓN GENERAL DE ESCUELAS DIRECCIÓN DE EDUCACIÓN SUPERIOR INSTITUTO DE EDUCACIÓN SUPERIOR Nº 9-012 SAN RAFAEL EN INFORMÁTICA Paunero y Ate. Brown.San Rafael( Mza.). TECNICATURA SUPERIOR EN TELECOMUNICACIONES “ELECTRÓNICA” PRÁCTICA DE AULA Nº 2: “DIODOS SEMICONDUCTORES” I-Materiales semiconductores 1-Con sus propias palabras, defina: “semiconductor” y “resistividad”. 2- Utilizando la siguiente tabla: a) Determine la resistencia de una muestra de silicio que tiene un área de 1 cm2 y una longitud de 3 cm. b) Repita el cálculo si la longitud es de 1 cm. y el área de 4 cm2. c) Repita el cálculo si la longitud es de 8 cm. y el área de 0,5 cm2. d) Repita el inciso a) para el COBRE y compare los resultados. 3-Dibuje la estructura atómica del cobre y analice por qué es un buen conductor y cómo su estructura es diferente del germanio y del silicio. 4-Defina, con sus propias palabras, un material intrínseco, un coeficiente de Tº negativo y una unión covalente. 5-Mencione tres materiales que tengan un coeficiente de Tº negativo y tres que tengan un coeficiente de Tº positivo. 1
  2. 2. II-Niveles de energía 1-¿Cuánta energía en Joules se necesita para mover una carga de 6 C a través de una diferencia de potencial de 3 V? 2-Si se requieren 48 eV de energía para mover una carga a través de una ddp de 12 V, determine la carga involucrada. 3-Investigue y precise en nivel de la banda de energía prohibida “Eg” para el GaP y ZnS, dos materiales semiconductores de valor práctico. Además, determine el nombre escrito para cada material. III-Materiales extrínsecos: tipo n y tipo p 1-Especifique la diferencia entre los materiales semiconductores tipo n y tipo p. 2-Explique la diferencia entre las impurezas donoras y aceptoras. 3-Describa la diferencia entre los portadores mayoritarios y minoritarios. 4-Dibuje la estructura atómica del silicio e inserte una impureza de arsénico. 5-Repita el problema anterior, pero inserte una impureza de indio. 6-Investigue otra explicación para el flujo de huecos y electrones. Utilizando ambas descripciones, señale con sus propias palabras el proceso de creación de huecos. IV-Diodo semiconductor 1-Utilizando la conocida ecuación: precise la corriente del diodo a 20 ºC para un diodo de silicio con IS = 0,1 microA, a un potencial de polarización inversa de -10 V ¿Es el resultado esperado?, ¿Por qué? 2-Repita el problema anterior para Tº = 100 ºC (punto de ebullición del agua). Suponga que IS se incrementa a 5.0 microamperes. 2
  3. 3. 3-Compare las características de un diodo de Si y uno de Ge y determine cuál preferiría utilizar para la mayor parte de las aplicaciones prácticas. Proporcione algunos detalles. Refiérase a características de fabricante y compare las características de un diodo de Ge y uno de Si de valores máximos similares. V-Niveles de resistencia 1-Determine la resistencia estática, o “dc”, del diodo de Si cuya curva característica se muestra en la figura 5 de la teoría cuando Ia corriente directa es de 2 mA. 2-Repita el problema anterior con una corriente directa de 15 mA y compare los resultados. 3-Determine la resistencia dinámica (ac) del diodo de la figura con una corriente de 10 mA utilizando la ecuación: rd = ∆Vd / ∆Id 4-Determine las resistencias “ac” y “dc” para el diodo anterior, con una corriente directa de 10 mA y compare sus magnitudes. 5-Para el mismo diodo, determine la resistencia ac promedio para la región entre 0,6 V y 0,9 V. 3

×