Successfully reported this slideshow.
We use your LinkedIn profile and activity data to personalize ads and to show you more relevant ads. You can change your ad preferences anytime.

Гетероэпитаксия SiC-AlN/SiC/Si

824 views

Published on

  • Be the first to comment

  • Be the first to like this

Гетероэпитаксия SiC-AlN/SiC/Si

  1. 1. Гетероэпитаксия SiC-AlN/SiC/Si Рамазанов Ш.М. (НС лаборатории ТТЭ ДГУ) ramazanv@mail.ru
  2. 2. РЕЗЮМЕ Основой – подложкой для изготовления гетероэпитаксиальнойструктуры (SiC)1-x(AlN)x/SiC/Si служит пластины кремния. Длясоздания буферных слоев на поверхности пластин кремния,магнетронным методом создается нанослой SiC заключающий всебе процесс карбидизации посредством увеличения содержанияуглерода (графитовой части на поверхности мишени). Предлагаемаятехнология позволяет получать структуру SiC/Si посредствомуменьшения механических напряжений, возникающих на границераздела подложки и нанослоя, пресыщением углерода в плазменномпотоке осаждающийся на подложку. И в дальнейшем наполученный буферный слой nano-SiC можно получитьмонокристаллические слои твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x снеобходимыми толщинами, уровнями легирования иконцентрациями.
  3. 3. РАЗРАБОТКИ Нами разработаны новые способы, позволяющие с помощьюионно-плазменных процессов получать тонкие пленки и покрытиятвердого раствора карбида кремния с нитридом алюминия SiC-AlN, улучшающие их физические свойства, однородность, адгезию иуменьшающая энергетические затраты на их производство. Разработана лабораторная технология получениямонокристаллических слоев твердого раствора SiC-AlN наподложках SiC и nano-SiC/Si. Также выполнение данного проекта позволить получить новыезнания, позволяющие поднять престиж отечественной науки итехнологий.
  4. 4. ТЕХНОЛОГИЯ Поверхность пленки (SiC)1-x(AlN)x Процесс распыления (АСМ)Мишень SiC-AlN (сод. 50/50) Скол структуры с пленкой (АПМ)
  5. 5. СВОЙСТВАСТРУКТУРЫ
  6. 6. СТАДИЯ РАЗРАБОТКИ Научно-исследовательские работы по данному проектунаходятся на стадии получения опытных образцов пленоктвердого раствора SiC-AlN на подложках карбида кремния,кремния и сапфира.
  7. 7. РАСХОДНАЯ ЧАСТЬ• Стоимость распыляемой мишени SiC-AlN• Расходные газы (аргон и азот)• Энергоресурсы (затраты 5кВт в час)• Стоимость подложки (Si диаметром 2”)• Рабочая сила
  8. 8. КОНКУРЕНТЫ Компании занимающийся производством SiC компонентов в мире:ABB, ACREO, AIST, Alstom, AnsaldoBreda, Anvil Semiconductors, Areva,Ascatron, Bombardier, Bridgestone, CREE, Delphi, DENSO, Dow Corning,Dynex, Eaton Powerware, EnerCon, Epigress, Epiworld, ETC, Eudyna,Fairchild, Fraunhofer ISE, Fuji Electric, GE, Grundfos, Hitachi, Honda,Hyundai, II-VI, Infineon, Kingway Technology, Leroy Sommer, LiebertEmerson, MicroSemi, Mitsubishi, N-Crystals, Nippon Steel, Nissan Motor,Norstel, GeneSiC, Northrop Grumman, NovaSiC, OKI Electric, Okmetic,Osram, PAM Xiamen, Panasonic, Philips, Powerex, Power Integration,Raytheon, RFMD, Rockwell, Rohm, Sanrex, Schneider Electric, Semikron,Semisouth, SEW, Shindengen, Showa Denko, SiCrystal, Siemens, SKC,Skyworks, SMA, STMicroelectronics, Sumitomo SEI, TankeBlue, TianYue,Toshiba, Toyota, TriQuint, TYSTC, United Silicon Carbide, Vestas, Volvo,WideTronix, Yaskawa… По твердым растворам карбида кремния с нитридом алюминияконкурентов на данном этапе пока нету!
  9. 9. РЫНОКОборот мирового рынка на SiC силовые модули в различных применениях ссылка: http://www.yole.fr
  10. 10. ПОТРЕБИТЕЛИ Хочу отметить, что освоение промышленного производстваширокозонных материалов и эпитаксиальных структур ни ихоснове, а также разработка конструктивно-технологическихрешений для реализации электронно компонентной базысиловой- и оптоэлектроники и микросистемной техники наоснове композиций AlN, SiC позволит перейти к серийномуотечественному производству технически востребованных икоммерчески эффективных электронных изделий новогопоколения, в том числе: для многих приложений, среди которыхинверторы для солнечных электростанций, электромобили,транспорт и многое другое. Ожидается, что к 2020 г. рынок дляподобных применений составит около 1 млрд изделий. Источник: www.elcomdesign.ru
  11. 11. ПРИМЕНЕНИЕ SiC ЭЛЕКТРОНИКИ
  12. 12. СОТРУДНИКИ ЛАБОРАТОРИИ • Курбанов М. К. мой научный рук. канд. физ. мат. наук, докторант; • Сафаралиев Г.К. член корр. РАН, рук. лаб. ТТЭ ДГУ; • Билалов Б. А. профессор, доктор физ. мат. наук.
  13. 13. СПАСИБО ЗА ВНМАНИЕ!

×