PROPIEDADES ELECTRONICAS DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES
INTRODUCCION Un semiconductor se puede convertir en un  conductor  o en un  aislante  dependiendo de la conveniencia
HUECOS Y ELECTRONES Los electrones y los huecos se crean  por pares . Las reglas de los electrones “ van a revés ” para lo...
SEMICONDUCTOR INTRINSECO En un semiconductor intrínseco, la concentración de electrones para conducir  es igual  a la conc...
DOPAJES > Los semiconductores se dopan para generar una  mayor cantidad  de portadores > Dopajes con elementos del grupo V...
RESISTIVIDAD  > Para Si Intrínseco Supongamos que dopamos con Na y Nd. Por conservación de la carga Donde  Normalmente sol...
RESISTIVIDAD (Cont) Normalmente Si se dopa con Nd  ≈ 10 17  1/cm 3  ≈ n 0 Entonces hay un aumento en la conductividad de a...
DIAGRAMA DE ENERGIA Nivel de Fermi nos ayuda a medir la cantidad de portadores  disponibles para la conducción
JUNTURA PN Juntamos dos materiales de manera  abrupta Difusión
JUNTURA PN (Cont) Lo más importante es la formación de la zona de  agotamiento
DIAGRAMA ENERGIA JUNTURA PN En equilibrio
DIAGRAMAS PARA UNA JUNTURA PN
POLARIZACIÓN Ec del diodo
TRANSISTORES Un transistor se diseña para funcionar como un switch. Puede estar conduciendo como un  metal  o no conducien...
BJT (Bipolar Junction Transistor) > Inventado en 1947 en Bell Laboratories. > Ha revolucionado la electrónica, reemplazand...
FET (Field Effect Transistor) > Base de la electrónica digital moderna
TRANSISTOR DE TUNELAMIENTO
SET (Single Electron Transistor) La base de su funcionamiento es el tunelaje
SET (Single Electron Transistor)
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  1. 1. PROPIEDADES ELECTRONICAS DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES
  2. 2. INTRODUCCION Un semiconductor se puede convertir en un conductor o en un aislante dependiendo de la conveniencia
  3. 3. HUECOS Y ELECTRONES Los electrones y los huecos se crean por pares . Las reglas de los electrones “ van a revés ” para los huecos.
  4. 4. SEMICONDUCTOR INTRINSECO En un semiconductor intrínseco, la concentración de electrones para conducir es igual a la concentración de huecos. Ni = concentración de portadores en equilibrio Para Si -> Ni = 1.5 x 10 10 1/cm 3 a temperatura ambiente
  5. 5. DOPAJES > Los semiconductores se dopan para generar una mayor cantidad de portadores > Dopajes con elementos del grupo V: As, Sb, Bi -> Donan e - (Nd) > Dopajes con elementos del grupo III: B, Al, Ga -> Donan h + (Na)
  6. 6. RESISTIVIDAD > Para Si Intrínseco Supongamos que dopamos con Na y Nd. Por conservación de la carga Donde Normalmente solo Nd >> Na o Na >> Nd. En cada caso, cuando estas cantidades son >> ni, entonces ó
  7. 7. RESISTIVIDAD (Cont) Normalmente Si se dopa con Nd ≈ 10 17 1/cm 3 ≈ n 0 Entonces hay un aumento en la conductividad de aproximadamente 7 ordenes de magnitud ! Podemos manipular un semiconductor y convertirlo en un metal!
  8. 8. DIAGRAMA DE ENERGIA Nivel de Fermi nos ayuda a medir la cantidad de portadores disponibles para la conducción
  9. 9. JUNTURA PN Juntamos dos materiales de manera abrupta Difusión
  10. 10. JUNTURA PN (Cont) Lo más importante es la formación de la zona de agotamiento
  11. 11. DIAGRAMA ENERGIA JUNTURA PN En equilibrio
  12. 12. DIAGRAMAS PARA UNA JUNTURA PN
  13. 13. POLARIZACIÓN Ec del diodo
  14. 14. TRANSISTORES Un transistor se diseña para funcionar como un switch. Puede estar conduciendo como un metal o no conduciendo como un aislante > BJT > FET > Transistores Modernos
  15. 15. BJT (Bipolar Junction Transistor) > Inventado en 1947 en Bell Laboratories. > Ha revolucionado la electrónica, reemplazando los tubos de vacio
  16. 16. FET (Field Effect Transistor) > Base de la electrónica digital moderna
  17. 17. TRANSISTOR DE TUNELAMIENTO
  18. 18. SET (Single Electron Transistor) La base de su funcionamiento es el tunelaje
  19. 19. SET (Single Electron Transistor)

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