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Luminiscencia estimulada en sólidos (2)

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Luminiscencia estimulada en sólidos (2)

  1. 1. Observaciones:• La termoluminiscencia no debe de ser confundida con la luz emitida por una sustancia al ser calentada hasta la incandescencia.• Una vez que la muestra se calienta para obtener la emisión de luz, el material no volverá a exhibir termoluminiscencia simplemente enfriándolo y volviendo a calentarlo. Para obtener de nuevo TL, es necesario exponer la muestra a radiación otra vez.
  2. 2. Proceso de luminiscencia• Cuando incide radiación sobre un material, parte de la energía de esa radiación puede ser absorbida y posteriormente emitida en forma de luz de otra longitud de onda.
  3. 3. Proceso de luminiscencia• Cuando incide radiación sobre un material, parte de la energía de esa radiación puede ser absorbida y posteriormente emitida en forma de luz de otra longitud de onda.• La longitud de onda de la luz emitida es característica de la sustancia luminiscente y no de la radiación incidente.
  4. 4. La fluorescencia es esencialmenteindependiente deLa temperatura, mientras que eldecaimiento de laFosforescencia exhibe una fuertedependencia conLa temperatura.
  5. 5. Jablonski, 1935.
  6. 6. El retardo observado en la fosforescencia es por el tiempo que elelectrón permanece en la trampa.
  7. 7. El tiempo promedio que el electrón permanece en la trampa a una Temperatura T está dada por: τ =s e −1 E / kT Constante de Boltzmann Profundidad de la trampaEl proceso de fosforescencia dependeexponencialmente de la temperatura.
  8. 8. Randall & Wilkins, 1945 dn I (t ) = −C = Cn / τ dtIntegrando: I (t ) = I 0 e −t / τ
  9. 9. Decaimiento de primer orden. −t / τ I (t ) = I 0 eEcuación que describe el decaimiento de la fosforescencia a temperaturaconstante, después de la irradiación.
  10. 10. En la práctica, suele observarse la superposición de varios decaimientosde primer orden, debido a la existencia de más de un tipo de trampa.También puede ocurrir que algunos de los electrones liberados seanatrapados otra vez. En este caso, la razón de recombinación esproporcional al número de electrones atrapados y al número de sitios derecombinación disponibles: dn I (t ) = −C =α 2 n dtDecaimiento de segundo orden: I0 I (t ) = ( n0α +1) t 2

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