TestEC2013-2(answer)

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TestEC2013-2(answer)

  1. 1. 2013final-term examination (100) Electronic Circuits Date: December 17, 2013. 1. Consider the following CE amplifier circuit. (70) 1) Calculate the equivalent Thevenin circuit ( VBB , RBB ) for the base of Q1 in terms of a DC bias circuit. (20) RB 2 V BB VCC 2.33 [V ] R B1 R B 2 RBB 2) VBE RB1 // RB 2 Calculate 0.7V , - B-E loop: 33 .3 [k ] the bias condition 200 . (20) VBB I B RBB VBE IB IC I E RE VBB VBE RBB 1 RE IB ( I C , VCE )for 1.11 [mA] 5.53 [ A] the above circuit for
  2. 2. - C-E loop: VCC I C RC VCE VCE VCC I C RC I E RE 3.34 [V ] model for Q1. (10)Hint:) VT = 25 [mV] 3) Present the hybrid - Hybrid I E RE model ① r VT IB ② 200 4.52 [k ] 4) Get the ACgain [dB] ( A V0 / Vi ) when capacitors are shorted. (20) - 근사화된 AC 전압 이득 A RC // RL r A[dB] 29.5 20 log 10 A 29.4 [dB] 2. Explain the following terms (30) 1) Operational principle of TRs in very simple way (10) NPN TR로 설명한다. 이미터에 (-)전압을 걸면 (-)전하를 가진 반송자를 방출 한다. 베이스에는 (+)전압을 걸었기 때문에 (-)전하는 베이스의 (+)전압을 보 고 움직인다. 하지만 베이스는 매우 좁기 때문에 확산에 의해 컬렉터로 (-)전 하가 밀려간다. 컬렉터에는 매우 큰 (+)전압이 걸려 있으므로 (-)전하는 컬렉 터로 잘 움직인다. 하지만 베이스의 입력 전류가 있어야만 컬렉터 전류가 생
  3. 3. 긴다. 이게 전류 증폭도 이다. 2) The first commercially successful FET and the origin of its name (10) MOSFET: FET를 만들 때 금속(Metal), 산화물(Oxide) 형태인 절연체, 반도체 (Semiconductor) 순으로 쌓았기 때문에 MOSFET이란 이름이 붙었다. 3) Virtual ground in OP-amps (10) OP-amp는 피드백 증폭기 형태이므로 해석이 매우 복잡하나 입력을 이루는 (+), (-)부의 전압이 같다고 가정하면 쉽게 해석된다. 이때 사용하는 개념이 가상 접지(Virtual Ground)이다.

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