VARIEDAD DE TRANSISTORES DE ACUERDO A SU FUNCIONAMIENTO.

1. ALUMNO: WILDER ALFREDO SANCHEZ VASQUEZ
CURSO: FISICA ELECTRONICA
TEMA: LOS RESITORES
Lima, mayo 2014

2. LOS TRANSISTORES
El transistor es un dispositivo electrónico
semiconductor utilizado para producir una
señal de salida en respuesta a otra señal de
entrada. Cumple funciones de amplificador,
oscilador, conmutador o rectificado

3. PARTES:
Los transistores tienen tres
patas o terminales que
reciben el nombre de
emisor, base y colector.
La posición de estas,
varía dependiendo del
modelo de transistor
utilizado.

4. Tipos de transistores según fabricación
Existen millares de tipos de transistor, pertenecientes a numerosas familias de
construcción y uso. Las grandes clases de transistores, basadas en los procesos de
fabricación son:
Transistores de punta de contacto: El transistor original fue de esta clase y consistía en
electrodos de emisor y colector que tocaban un pequeño bloque de germanio
llamado base.El material de la base podía ser de tipo N y del tipo P y era un cuadrado
de 0.05 pulgada de lado aproximadamente. A causa de la dificultad de controlar las
características de este frágil dispositivo, ahora se le considera obsoleto.
Transistor de unión por crecimiento: Los cristales de esta clase se obtienen por un
proceso de "crecimiento" partiendo de germanio y de silicio fundidos de manera que
presenten uniones muy poco separadas embebidas en la pastilla.El material de
impureza se cambia durante el crecimiento del cristal para producir lingotes PNP o NPN,
que luego son cortados para obtener pastillas individuales. Los transistores de unión se
pueden subdividir en tipos de unión de crecimiento, unión de alineación y de campo
interno. El transistor del último tipo es un dispositivo de unión de alineación en que la
concentración de impurezas que está contenida dentro de una cierta región de la
base a fin de mejorar el comportamiento en alta frecuencia del transistor.
Transistor de unión difusa: Esta clase de semiconductor se puede utilizar en un margen
más amplio de frecuencias y el proceso de fabricación ha facilitado el uso de silicio en
vez de germanio, lo cual favorece la capacidad de potencia de la unidad. Los
transistores de unión difusa se pueden subdividir en tipos de difusión única (hometaxial),
doble difusión, doble difusión planar y triple difusión planar.

5. Transistores epitaxiales: Estos transistores de unión se obtienen por el proceso
de crecimiento en una pastilla de semiconductor y procesos fotolitográficos
que se utilizan para definir las regiones de emisor y de base durante el
crecimiento. Las unidades se pueden subdividir en transistores de base
epitaxial, capa epitaxial y sobre capa (overlay).
Transistores de efecto de campo: El transistor de efecto de campo de unión
(JFET), o transistor unipolar, fue descubierto en 1928, pero hasta 1958 no se
construyó el primer transistor práctico de efecto de campo. Se puede
considerar a este dispositivo como si fuese una barra, o canal, de material
semiconductor de silicio de cualquiera de los tipos N o P. En cada extremo de
la barra se establece un contacto óhmico, que representa un transistor de
efecto de campo tipo N en su forma más sencilla. Si se difunden dos regiones
P en una barra de material N (desde los extremos opuestos del canal N) y se
conectan externamente entre sí, se produce una puerta o graduador. Un
contacto se llama surtidor y el otro drenador. Si se aplica una tensión positiva
entre el drenador y el surtidor y se conecta la puerta al surtidor, se establece
una corriente. Esta corriente es la más importante en un dispositivo de efecto
de campo y se le denomina corriente de drenador con polarización cero
(IDSS).Finalmente, con un potencial negativo de puerta denominado tensión
de estrangulamiento (pinch-off) cesa la conducción en el canal.

6. Formas de transmisión del calor
La experiencia demuestra que el calor producido por un foco calorífico se propaga por
todo el espacio que lo rodea. Esta transmisión del calor puede producirse de tres
formas:
Conducción: Es el principal medio de transferencia de calor. Se realiza por la
transferencia de energía cinética entre moléculas, es decir, se transmite por el interior
del cuerpo estableciéndose una circulación de calor. La máxima cantidad de calor
que atravesará dicho cuerpo será aquella para la cual se consigue una temperatura
estable en todos los puntos del cuerpo. En este tipo de transmisión se debe tener en
cuenta la conductividad térmica de las sustancias (cantidad de calor transmitido por
unidad de tiempo, superficie, gradiente de temperatura).
Convección: El calor de un elemento sólido se transmite mediante la circulación de un
fluido que le rodea y este lo transporta a otro lugar, a este proceso se le llama
convección natural. Si la circulación del fluido está provocada por un medio externo se
denomina convección forzada.
Radiación: El calor se transfiere mediante emisiones electromagnéticas que son
irradiadas por cualquier cuerpo cuya temperatura sea mayor a cero grados Kelvin. El
estado de la superficie influye en gran medida en la cantidad de calor radiado. Las
superficies mates son más favorables que las pulidas y los cuerpos negros son los de
mayor poder de radiación, por este motivo se efectúa un ennegrecimiento de la
superficie radiante. La transferencia de calor por radiación no se tiene en cuenta
puesto que a las temperaturas a las que se trabaja, ésta es despreciable.

7. En la siguiente figura se muestra la igualdad
entre el circuito equivalente de resistencias
térmicas y los elementos en un montaje real:
Igualdad entre el circuito equivalente de
resistencias térmicas y los elementos en un
montaje real
Rjc: Resistencia unión-contenedor.
Rcd: Resistencia contenedor-disipador.
Rd: Resistencia del disipador.
Tj: Temperatura de la unión.
Tc: Temperatura del contenedor.
Td: Temperatura del disipador.
Ta: Temperatura ambiente

9. El JFET
(Junction Field-Effect Transistor, en español transistor de
efecto de campo de juntura o unión) es un dispositivo
electrónico, esto es, un circuito que, según unos valores
eléctricos de entrada, reacciona dando unos valores
de salida. En el caso de los JFET, al ser transistores de
efecto de campo eléctrico, estos valores de entrada
son las tensiones eléctricas, en concreto la tensión
entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Según
este valor, la salida del transistor presentará una curva
característica que se simplifica definiendo en ella tres
zonas con ecuaciones definidas: corte, óhmica y
saturación
Físicamente, un JFET de los denominados "canal P" está formado por una
pastilla de semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitúan dos patillas de
salida (drenador y fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N
en las que se conectan dos terminales conectados entre sí (puerta). Al aplicar
una tensión positiva VGS entre puerta y fuente, las zonas N crean a su
alrededor sendas zonas en las que el paso de electrones (corriente ID) queda
cortado, llamadas zonas de exclusión. Cuando esta VGS sobrepasa un valor
determinado, las zonas de exclusión se extienden hasta tal punto que el paso
de electrones ID entre fuente y drenador queda completamente cortado. A
ese valor de VGS se le denomina Vp. Para un JFET "canal N" las zonas p y n se
invierten, y las VGS y Vp son negativas, cortándose la corriente para tensiones
menores que Vp.

10. MOSFET
El transistor de efecto de campo metal-óxido-
semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-
semiconductor Field-effect transistor) es un transistor
utilizado para amplificar o conmutar señales
electrónicas. Es el transistor más utilizado en la
industria microelectrónica, ya sea en circuitos
analógicos o digitales, aunque el transistor de unión
bipolar fue mucho más popular en otro tiempo.
Prácticamente la totalidad de los
microprocesadores comerciales están basados en
transistores MOSFET.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales
llamados surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y
sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente
está conectado internamente al terminal del
surtidor, y por este motivo se pueden encontrar
dispositivos MOSFET de tres terminales.

12. BIBLIOGRAFIA
http://construyasuvideorockola.com/curso_07.p
hp
http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_G
eneral/disipacionTermica.html
http://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET
http://www.servisystem.com.ar/precis.html