Successfully reported this slideshow.
We use your LinkedIn profile and activity data to personalize ads and to show you more relevant ads. You can change your ad preferences anytime.

Junction FETのスパイスモデル

1,920 views

Published on

Junction FETのスパイスモデル

Published in: Technology
  • Be the first to comment

  • Be the first to like this

Junction FETのスパイスモデル

  1. 1. Doc no WJJFET001 04 May 2004 デバイスモデル Junction FET 株式会社ビー・テクノロジー Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  2. 2. Doc no WJJFET001 04 May 2004ご依頼の方法について お客様に準備して頂くものは以下の 2 点です。① データシートまたは、仕様書半導体メーカーが公開しているデータシート、あるいはカスタム品の場合は、電気的特性が記述されている仕様書です。② Junction FET のサンプルを 3 個対象となる Junction FET を 3 個準備して下さい。計測をする際に予備として準備して頂きます。また、3 個準備出来ない場合はご相談下さい。お客様より準備して頂いた後にデバイスモデリングを実施致します。当社からお客様にご提供する納品物は以下の通りです。① デバイスモデル(スパイスモデル)② デバイスモデリング・レポート③ 回路図シンボル以下の 6 つの特性を評価検証し、ご報告致します。Transfer Curve CharacteristicReverse Transfer Cap. CharacteristicInput Capacitance CharacteristicPassive Gate Leakage CharacteristicActive Gate Leakage CharacteristicOutput Characteristic次ページ以降に 2N4416 のデバイスモデリング・レポートの一部を掲載致します。 Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  3. 3. Doc no WJJFET001 04 May 2004Transfer Curve CharacteristicEvaluation circuit Q1 J2N4416 V2 V1 10Vdc 0Vdc 0Circuit simulation result Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  4. 4. Doc no WJJFET001 04 May 2004Comparison graphComparison table VGS (V) ID (mA) Error(%) Measurement Simulation 10.3 0 -0.038649 xxxxxxxx 8.6 -0.3 -0.32333 -7.77667 7.1 -0.6 -0.60127 -0.21167 5.6 -0.9 -0.873302 -2.96644 4.2 -1.2 -1.169 -2.58333 3 -1.5 -1.4467 -3.55333 2.1 -1.8 -1.68 -6.66667 Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  5. 5. Doc no WJJFET001 04 May 2004Reverse Transfer Cap. CharacteristicEvaluation circuit V1 = 0 V4 V2 = 20 V2 TD = 0 TR = 10n 0Vdc TF = 10n PW = 5u PER = 10u Q1 J2N4416 0Circuit simulation result Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  6. 6. Doc no WJJFET001 04 May 2004Comparison graphComparison table Crss (pF) VGS (V) Error(%) Measurement Simulation -1 1.55 1.62 4.516129 -2 1.33 1.36 2.255639 -5 1.05 1.0715 2.047619 -10 0.9 0.89 1.111111 Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  7. 7. Doc no WJJFET001 04 May 2004Input Capacitance CharacteristicEvaluation circuit V1 = 0 V2 = 20 V2 TD = 0 TR = 10n TF = 10n PW = 5u PER = 10u V4 Q1 J2N4416 0Vdc 0Circuit simulation result Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  8. 8. Doc no WJJFET001 04 May 2004Comparison graphComparison table Crss (pF) VGS (V) Error(%) Measurement Simulation -1 3.1 3.2433 4.622581 -2 2.6 2.73 5 -5 2 2.14 7 -10 1.7 1.7819 4.817647 Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  9. 9. Doc no WJJFET001 04 May 2004Passive Gate Leakage CharacteristicEvaluation circuit Vds Q1 0Vdc J2N4416 Vgs 0Vdc 0Circuit simulation result Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  10. 10. Doc no WJJFET001 04 May 2004Comparison graphComparison table Igss (pA) VDS (V) Error(%) Measurement Simulation 1 0.6 0.615 2.5 2 0.9 0.877 2.555556 5 1.1 1.1052 0.472727 Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  11. 11. Doc no WJJFET001 04 May 2004Active Gate Leakage CharacteristicEvaluation circuit Vds Q1 0Vdc J2N4416 Vgs -2.01Vdc 0Circuit simulation result Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  12. 12. Doc no WJJFET001 04 May 2004Comparison graphComparison table VDS (V) IG (nA) Error(%) Measurement Simulation 0.01 9.5 9.3855 1.205263 0.1 11 10.975 0.227273 1 13 13.101 0.776923 10 16 16.229 1.43125 100 20 21.313 6.565 Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  13. 13. Doc no WJJFET001 04 May 2004Output CharacteristicEvaluation circuit Vds Q1 0Vdc J2N4416 Vgs 0Vdc 0 Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  14. 14. Doc no WJJFET001 04 May 2004Simulation result VGS = 0V -0.3V -0.6V -0.9V -1.2V -1.5V -1.8VMeasurement Graph Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.

×