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Junction FETのスパイスモデル

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Doc no WJJFET001 04 May 2004




                          デバイスモデル
                          Junction FET




            ...
Doc no WJJFET001 04 May 2004


ご依頼の方法について


 お客様に準備して頂くものは以下の 2 点です。


① データシートまたは、仕様書
半導体メーカーが公開しているデータシート、あるいはカスタム品の場合は、...
Doc no WJJFET001 04 May 2004

Transfer Curve Characteristic

Evaluation circuit




                              Q1
     ...
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  1. 1. Doc no WJJFET001 04 May 2004 デバイスモデル Junction FET 株式会社ビー・テクノロジー Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  2. 2. Doc no WJJFET001 04 May 2004 ご依頼の方法について お客様に準備して頂くものは以下の 2 点です。 ① データシートまたは、仕様書 半導体メーカーが公開しているデータシート、あるいはカスタム品の場合は、電気的特性が 記述されている仕様書です。 ② Junction FET のサンプルを 3 個 対象となる Junction FET を 3 個準備して下さい。計測をする際に予備として準備して頂き ます。また、3 個準備出来ない場合はご相談下さい。 お客様より準備して頂いた後にデバイスモデリングを実施致します。当社からお客様にご 提供する納品物は以下の通りです。 ① デバイスモデル(スパイスモデル) ② デバイスモデリング・レポート ③ 回路図シンボル 以下の 6 つの特性を評価検証し、ご報告致します。 Transfer Curve Characteristic Reverse Transfer Cap. Characteristic Input Capacitance Characteristic Passive Gate Leakage Characteristic Active Gate Leakage Characteristic Output Characteristic 次ページ以降に 2N4416 のデバイスモデリング・レポートの一部を掲載致します。 Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  3. 3. Doc no WJJFET001 04 May 2004 Transfer Curve Characteristic Evaluation circuit Q1 J2N4416 V2 V1 10Vdc 0Vdc 0 Circuit simulation result Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  4. 4. Doc no WJJFET001 04 May 2004 Comparison graph Comparison table VGS (V) ID (mA) Error(%) Measurement Simulation 10.3 0 -0.038649 xxxxxxxx 8.6 -0.3 -0.32333 -7.77667 7.1 -0.6 -0.60127 -0.21167 5.6 -0.9 -0.873302 -2.96644 4.2 -1.2 -1.169 -2.58333 3 -1.5 -1.4467 -3.55333 2.1 -1.8 -1.68 -6.66667 Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  5. 5. Doc no WJJFET001 04 May 2004 Reverse Transfer Cap. Characteristic Evaluation circuit V1 = 0 V4 V2 = 20 V2 TD = 0 TR = 10n 0Vdc TF = 10n PW = 5u PER = 10u Q1 J2N4416 0 Circuit simulation result Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  6. 6. Doc no WJJFET001 04 May 2004 Comparison graph Comparison table Crss (pF) VGS (V) Error(%) Measurement Simulation -1 1.55 1.62 4.516129 -2 1.33 1.36 2.255639 -5 1.05 1.0715 2.047619 -10 0.9 0.89 1.111111 Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  7. 7. Doc no WJJFET001 04 May 2004 Input Capacitance Characteristic Evaluation circuit V1 = 0 V2 = 20 V2 TD = 0 TR = 10n TF = 10n PW = 5u PER = 10u V4 Q1 J2N4416 0Vdc 0 Circuit simulation result Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  8. 8. Doc no WJJFET001 04 May 2004 Comparison graph Comparison table Crss (pF) VGS (V) Error(%) Measurement Simulation -1 3.1 3.2433 4.622581 -2 2.6 2.73 5 -5 2 2.14 7 -10 1.7 1.7819 4.817647 Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  9. 9. Doc no WJJFET001 04 May 2004 Passive Gate Leakage Characteristic Evaluation circuit Vds Q1 0Vdc J2N4416 Vgs 0Vdc 0 Circuit simulation result Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  10. 10. Doc no WJJFET001 04 May 2004 Comparison graph Comparison table Igss (pA) VDS (V) Error(%) Measurement Simulation 1 0.6 0.615 2.5 2 0.9 0.877 2.555556 5 1.1 1.1052 0.472727 Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  11. 11. Doc no WJJFET001 04 May 2004 Active Gate Leakage Characteristic Evaluation circuit Vds Q1 0Vdc J2N4416 Vgs -2.01Vdc 0 Circuit simulation result Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  12. 12. Doc no WJJFET001 04 May 2004 Comparison graph Comparison table VDS (V) IG (nA) Error(%) Measurement Simulation 0.01 9.5 9.3855 1.205263 0.1 11 10.975 0.227273 1 13 13.101 0.776923 10 16 16.229 1.43125 100 20 21.313 6.565 Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  13. 13. Doc no WJJFET001 04 May 2004 Output Characteristic Evaluation circuit Vds Q1 0Vdc J2N4416 Vgs 0Vdc 0 Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  14. 14. Doc no WJJFET001 04 May 2004 Simulation result VGS = 0V -0.3V -0.6V -0.9V -1.2V -1.5V -1.8V Measurement Graph Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.

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