Junction FETのスパイスモデル

1. Doc no WJJFET001 04 May 2004
デバイスモデル
Junction FET
株式会社ビー・テクノロジー
Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.

2. Doc no WJJFET001 04 May 2004
ご依頼の方法について
お客様に準備して頂くものは以下の 2 点です。
① データシートまたは、仕様書
半導体メーカーが公開しているデータシート、あるいはカスタム品の場合は、電気的特性が
記述されている仕様書です。
② Junction FET のサンプルを 3 個
対象となる Junction FET を 3 個準備して下さい。計測をする際に予備として準備して頂き
ます。また、3 個準備出来ない場合はご相談下さい。
お客様より準備して頂いた後にデバイスモデリングを実施致します。当社からお客様にご
提供する納品物は以下の通りです。
① デバイスモデル(スパイスモデル)
② デバイスモデリング・レポート
③ 回路図シンボル
以下の 6 つの特性を評価検証し、ご報告致します。
Transfer Curve Characteristic
Reverse Transfer Cap. Characteristic
Input Capacitance Characteristic
Passive Gate Leakage Characteristic
Active Gate Leakage Characteristic
Output Characteristic
次ページ以降に 2N4416 のデバイスモデリング・レポートの一部を掲載致します。
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3. Doc no WJJFET001 04 May 2004
Transfer Curve Characteristic
Evaluation circuit
Q1
J2N4416
V2
V1 10Vdc
0Vdc
0
Circuit simulation result
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4. Doc no WJJFET001 04 May 2004
Comparison graph
Comparison table
VGS (V)
ID (mA) Error(%)
Measurement Simulation
10.3 0 -0.038649 xxxxxxxx
8.6 -0.3 -0.32333 -7.77667
7.1 -0.6 -0.60127 -0.21167
5.6 -0.9 -0.873302 -2.96644
4.2 -1.2 -1.169 -2.58333
3 -1.5 -1.4467 -3.55333
2.1 -1.8 -1.68 -6.66667
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5. Doc no WJJFET001 04 May 2004
Reverse Transfer Cap. Characteristic
Evaluation circuit
V1 = 0 V4
V2 = 20 V2
TD = 0
TR = 10n 0Vdc
TF = 10n
PW = 5u
PER = 10u
Q1
J2N4416
0
Circuit simulation result
Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.

6. Doc no WJJFET001 04 May 2004
Comparison graph
Comparison table
Crss (pF)
VGS (V) Error(%)
Measurement Simulation
-1 1.55 1.62 4.516129
-2 1.33 1.36 2.255639
-5 1.05 1.0715 2.047619
-10 0.9 0.89 1.111111
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7. Doc no WJJFET001 04 May 2004
Input Capacitance Characteristic
Evaluation circuit
V1 = 0
V2 = 20 V2
TD = 0
TR = 10n
TF = 10n
PW = 5u
PER = 10u V4
Q1
J2N4416
0Vdc
0
Circuit simulation result
Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.

8. Doc no WJJFET001 04 May 2004
Comparison graph
Comparison table
Crss (pF)
VGS (V) Error(%)
Measurement Simulation
-1 3.1 3.2433 4.622581
-2 2.6 2.73 5
-5 2 2.14 7
-10 1.7 1.7819 4.817647
Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.

9. Doc no WJJFET001 04 May 2004
Passive Gate Leakage Characteristic
Evaluation circuit
Vds
Q1 0Vdc
J2N4416
Vgs
0Vdc
0
Circuit simulation result
Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.

10. Doc no WJJFET001 04 May 2004
Comparison graph
Comparison table
Igss (pA)
VDS (V) Error(%)
Measurement Simulation
1 0.6 0.615 2.5
2 0.9 0.877 2.555556
5 1.1 1.1052 0.472727
Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.

11. Doc no WJJFET001 04 May 2004
Active Gate Leakage Characteristic
Evaluation circuit
Vds
Q1 0Vdc
J2N4416
Vgs
-2.01Vdc
0
Circuit simulation result
Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.

12. Doc no WJJFET001 04 May 2004
Comparison graph
Comparison table
VDS (V)
IG (nA) Error(%)
Measurement Simulation
0.01 9.5 9.3855 1.205263
0.1 11 10.975 0.227273
1 13 13.101 0.776923
10 16 16.229 1.43125
100 20 21.313 6.565
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13. Doc no WJJFET001 04 May 2004
Output Characteristic
Evaluation circuit
Vds
Q1 0Vdc
J2N4416
Vgs
0Vdc
0
Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.

14. Doc no WJJFET001 04 May 2004
Simulation result
VGS = 0V
-0.3V
-0.6V
-0.9V
-1.2V
-1.5V
-1.8V
Measurement Graph
Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.