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IGBTモデリングサービスに必要な電気的特性

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IGBTモデリングサービスに必要な電気的特性

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IGBTモデリングサービスに必要な電気的特性

  1. 1. IGBTモデリングサービス に必要な電気的特性 2015年2月19日 ビー・テクノロジー 1Copyright (C) Siam Bee Technologies 2015 事例:三菱電機のIGBTのデータシート
  2. 2. IGBT本体のスパイスモデルについて 等価回路モデル(MOSFET+BJT型) 81 83 RG 3.2 DBE DE DDS DO 0 R1 100MEG R2 10MEG CGD 250n D1 DGD 1 2 + - + - S1S VON = 0V VOFF = -100mV ROFF = 1e12 RON = 1m + - + - S2S VON = 0V VOFF = -100mV ROFF = 1e12 RON = 1m 82828282 M1 MFIN E G RE 44.4u CGE 165n Q1 QOUT C RC 400u C1 85 VC 0Vdc IN+ IN- OUT+ OUT- E1 1*(-0.83913+0.70067*LOG10(I(VC))) EVALUE C2 2Copyright (C) Siam Bee Technologies 2015
  3. 3. IGBTのスパイスモデルについて 再現性のある電気的特性 再現性のある電気的特性 必要な特性図 IGBT 伝達特性 Vge vs. Ic 飽和特性 Vce(sat) vs.Ic 測定条件:Vge ゲートチャージ特性 Qge,Qgc,Qg,Vcc,Ic スイッチング特性 Tf値 測定条件:Ic, Vcc FWD 順方向特性 Vce vs. Ie 逆回復特性 【IFIR法の場合】 Trr値,IF,IR,RL 【電流減少率法の場合】 Trr値,IF,Vcc,Ic 【IFIR法の場合】:スタンダードモデル及びプロフェッショナルモデル 【電流減少率法の場合】:スペシャルモデル 3Copyright (C) Siam Bee Technologies 2015
  4. 4. IGBTのスパイスモデルについて 再現性のある電気的特性 4 【事例】 Copyright (C) Siam Bee Technologies 2015
  5. 5. IGBTのスパイスモデルについて 再現性のある電気的特性 5 【IGBT】 伝達特性 Copyright (C) Siam Bee Technologies 2015
  6. 6. IGBTのスパイスモデルについて 再現性のある電気的特性 6 【IGBT】 飽和特性 Copyright (C) Siam Bee Technologies 2015
  7. 7. IGBTのスパイスモデルについて 再現性のある電気的特性 7 【IGBT】 ゲートチャージ特性 Copyright (C) Siam Bee Technologies 2015
  8. 8. IGBTのスパイスモデルについて 再現性のある電気的特性 8 【IGBT】 スイッチング特性(tf) Copyright (C) Siam Bee Technologies 2015
  9. 9. IGBTのスパイスモデルについて 再現性のある電気的特性 9 【FWD】 順方向特性 Copyright (C) Siam Bee Technologies 2015
  10. 10. IGBTのスパイスモデルについて 再現性のある電気的特性 10 【FWD】 逆回復特性 [電流減少率法モデルの場合] Copyright (C) Siam Bee Technologies 2015
  11. 11. IGBTのスパイスモデルについて 再現性のある電気的特性 11 【FWD】 逆回復特性 [IFIR法モデルの場合] データシートには記載が無いので、測定の必要がある Trrの値 測定条件 値 IF(順方向電流) [A] IR(逆方向電流) [A] RL(負荷抵抗) [Ω] Copyright (C) Siam Bee Technologies 2015

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