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GaN MOSFETのスパイスモデルの再現性がある電気的特性について


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GaN MOSFETのスパイスモデルの再現性がある電気的特性について

  1. 1. GaN MOSFETのスパイスモデルの再現性がある 電気的特性について(1)トランスコンダクタンス特性(2)Vgs-Id特性(3) Rds(on)特性(4)出力特性(5)容量特性(6)ゲートチャージ特性(7)スイッチング特性(8)ボディダイオードのIV特性(9)ボディダイオードの逆回復特性 2012年8月5日 株式会社ビー・テクノロジー All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc.2012 1