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ショットキ・バリア・ダイオードのスパイスモデル

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ショットキ・バリア・ダイオードのスパイスモデル

  1. 1. ショットキ・バリア・ダイオードのスパイスモデル 2011年4月20日(水曜日) 株式会社ビー・テクノロジー http://www.bee-tech.com/ Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011 1
  2. 2. ショットキ・バリア・ダイオードモデルの推移 順方向特性(共通) 接合容量特性(共通) 逆方向特性(それぞれのモデルで特徴がある) スタンダード プロフェッショナル SiC SBD モデル モデル モデル (パラーメータ (等価回路モデル) (等価回路モデル) モデル) 青色はSiデバイス 橙色はSiCデバイス 赤で囲まれた等価回路は共通 Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011 2
  3. 3. ショットキ・バリア・ダイオードモデル SiからSiC(シリコン・カーバイド)への期待 SiC(シリコン・カーバイド)は3つの大きな特徴があります。 (1)リカバリー時間が非常に小さい SiCデバイスは多数キャリア・デバイスの為、蓄積された少数キャリアが ありません。よって、逆回復電流がありません。これは-di/dt法で逆回復 特性を測定した場合のtrrが非常に小さい値である事を意味します。 (2)ブレークダウン電圧がシリコンの約10倍 Siデバイスと比較して約10倍高いSiCデバイスは、オン抵抗を低くする事が 出来、これが大きな特徴になります。 (3)バンドギャップがSiデバイスの約3倍 スパイスのモデルパラメータではEGに相当します。Siデバイスの場合、 EG=1.11ですが、SiC(6H)の場合、EG=2.86、SiC(4H)の場合、EG=3.02と なります。 Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011 3
  4. 4. ショットキ・バリア・ダイオードモデル(等価回路モデル) V_V_I 0Vdc N00040 A E6 IN+ OUT+ IN- OUT- IN EVALUE D3 0 IF(V(A,K)>0, V(A,K),0) IN2 CSD01060 I(V_If wd)-V(I_rev ) V_If wd 0Vdc K E1 E2 E3 IF(V(A,K)>0, 0,V(A,K)) TABLE = ((-0.1,0.74(0,0)) 1.4857e-08*exp(0.0089931*(-V(Vrev))) Vrev Vrev 1 Vr_small I_rev 0 I_rev IN+ OUT+ IN+ OUT+ IN+ OUT+ IN+ OUT+ IN- OUT- V_Irev IN- OUT- R1 IN- OUT- R2 IN- OUT- R3 EVALUE 0Vdc ETABLE EVALUE EVALUE D4 V(Vrev ) 10MEG 10MEG E4 10MEG CSD01060 V(I_rev 0)*V(Vr_small)-(-I(V_Irev )) 0 SiCショットキ・バリア・ダイオードの等価回路図 (Bee Technologies Model) Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011 4
  5. 5. ショットキ・バリア・ダイオードモデル(等価回路モデル) V_ I A 0V dc E6 IN+ OUT+ IN- OUT- EV AL UE I(V _Ifwd )-V(I_re v) IF(V(A,K )>0, V(A,K),0) IN 0 D1 D2 FS Q0 5A0 4_ 25 DE G01 E1 FS Q0 5A0 4_ 25 DE G01 E2 E3 E4 Vre v Vre v1 Vr_ sma l l I_rev0 I_rev IN2 IN+ OUT+ IN+ OUT+ IN+ OUT+ IN+ OUT+ V_ Ifwd IN- OUT- V_ Ire v IN- OUT- R1 IN- OUT- R2 IN- OUT- R3 0V dc EV AL UE 0V dc ET AB LE 10 Me g EV AL UE 10 Me g EV AL UE 10 Me g K IF(V(A,K )>0, 0,V(A,K)) V(Vre v) 2.5 1E -6 *e xp (0.05 32 30 6*(-V (V re v))) V(I_re v0 )*V(Vr_ sma l l)-(-I(V_ Ire v)) TA BL E = (-0 .1,1) (0 ,0) 0 Ir y=m*Vr+A ln(Ir)=Vr*B*in(e)+ln(A) y=ln(Ir) 傾き m=B*ln(e) k=ln(A) Vr_small Vr Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011 5
  6. 6. ショットキ・バリア・ダイオードモデル(等価回路モデル) *$ * PART NUMBER:CSD01060A * MANUFACTURER: Cree, Inc. * VRM=600,Io=1A E_E2 VR_SMALL 0 TABLE { V(Vrev) } * All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc. + ( (-0.1,1) (0,0) ) .SUBCKT CSD01060A PIN1 PIN2 CASE D_D3 IN IN2 DCSD01060 X_U1 PIN2 CASE CSD01060_pro R_R1 0 VR_SMALL 10MEG R_Rs PIN1 CASE 10u D_D4 VREV1 0 DCSD01060 .ENDS R_R2 0 I_REV0 10MEG *$ R_R3 0 I_REV 10MEG .SUBCKT CSD01060_pro A K .MODEL DCSD01060 D V_V_I A N00040 0Vdc + IS=10.000E-21 N=.84507 RS=.37671 IKF=12.100 V_V_Ifwd IN2 K 0Vdc + CJO=111.88E-12 M=.39264 VJ=.54581 E_E1 VREV 0 VALUE { IF(V(A,K)>0, 0,V(A,K)) } + BV=1000 IBV=20.000E-6 E_E3 I_REV0 0 VALUE { 1.4857e-08*exp(0.0089931*(-V(Vrev))) } + ISR=0 NR=1 EG=3.0 TT=0 E_E4 I_REV 0 VALUE { V(I_rev0)*V(Vr_small)-(-I(V_V_Irev)) } .ENDS E_E6 IN K VALUE { IF(V(A,K)>0, V(A,K),0) } *$ V_V_Irev VREV1 VREV 0Vdc G_ABMI1 N00040 K VALUE { I(V_V_Ifwd)-V(I_rev) } スパイス・パークで無償提供中 http://www.spicepark.com Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011 6
  7. 7. ショットキ・バリア・ダイオードモデル(等価回路モデル) Reverse Characteristic 50uA R1 0.01m PIN1 CASE PIN2 40uA 0Vdc V1 0 30uA 20uA 10uA 0A 0V 0.2KV 0.4KV 0.6KV 0.8KV 1.0KV I(R1) V_V1 プロフェッショナルモデル(等価回路モデル)の場合、逆方向特性に再現性があります。スタンダードモデル(パラメータ モデル)の場合、降伏点のみの表現であり、逆方向特性について再現性はありません。降伏点は、モデルパラメータ、 BVとIBVで表現しています。 Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011 7
  8. 8. Bee Technologies Group 【本社】 本ドキュメントは予告なき変更をする場合がございます。 ご了承下さい。また、本文中に登場する製品及びサービス 株式会社ビー・テクノロジー の名称は全て関係各社または個人の各国における商標 〒105-0012 東京都港区芝大門二丁目2番7号 7セントラルビル4階 または登録商標です。本原稿に関するお問い合わせは、 代表電話: 03-5401-3851 当社にご連絡下さい。 設立日:2002年9月10日 資本金:8,830万円 【子会社】 お問合わせ先) Bee Technologies Corporation (アメリカ) Siam Bee Technologies Co.,Ltd. (タイランド) info@bee-tech.com Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011 8

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