Lap 1

301 views

Published on

Published in: Technology
0 Comments
0 Likes
Statistics
Notes
  • Be the first to comment

  • Be the first to like this

No Downloads
Views
Total views
301
On SlideShare
0
From Embeds
0
Number of Embeds
3
Actions
Shares
0
Downloads
2
Comments
0
Likes
0
Embeds 0
No embeds

No notes for slide

Lap 1

  1. 1. BAB I PENDAHULUAN1.1 LatarBelakang Bentukgrafisdarihubungan di antaraberbagaipeubah (variabel) arusdantegangandari transistor dikenalsebagaikarakteristikstatis transistor.Denganmenganggapsetiapduapeubahsebagaipeubahbebasdapatdigambarkanbe rbagai family kurvakarakteristik.Namun, hanyadua set lengkungkarakteristik, yang dikenalsebagaikarakteristikmasukandankarakteristikkeluaranuntukragamoperasi basis umum (CB) danemitorumum (CE) sangatpentingdalampraktek. Dalampercobaankarakteristik transistor ini, diharapkandapatmempeajarigrafikdayalepasanmaksimumdarisuatu transistor, membuatgrafikkarakteristik transistor, mempelajarigarisbebandarisuatupenguat transistor dengankonfigurasiemitorditanahkandan basis ditanahkansertamenghitungnilai dan .1.2 Tujuan 1. Mempelajarigrafikdayalesapanmaksimumdarisuatu transistor 2. Membuatkurvakarakteristik transistor 3. Mempelajarigarisbebandarisuatuaruspenguat transistor dengankonfigurasiemiterditanahkandan basis ditanahkan. 4. Menghitungharga α dan β.
  2. 2. BAB II DASAR TEORI Produsenkomponen-komponenelektronikamemproduksi transistordalamduajenis, yaitujenispnpdannpn. Kode yang digunakanuntukmembedakankeduajenistransistor tersebutberbedaantarasatuprodusendengan yang lainnya.Dalambukukatalogtransistor dapatdilihatspesifikasi detail darisuatu transistor, misalnya max, max,max, suhu maksimal yang diperbolehkan. Sebagaicontoh, transistor jenis AC 127 adalahjenisnpn max = 12V , max =500 mA, max = 340 mW, 100, dansuhumaksimal = 70 oC.Sedangkanjenis 2 SB56 (Jepang) adalah transistor pnpdengan max = 30V, max =12V , max = 30V, max = 150mA, max = 150 mW , 80 (sering disebut β), clan suhumaksimal =75oC. Untukmenggunakanataumengoperasikan transistor,harusdiperhatikanhargamaximal rating yang disebutkan di atas agar transistortidakrusak(break down). Gambar 1Susunandansimbol transistor Dalampenggunaan transistor, dikenaltigakonfigurasirangkaian, yaitu basisditanahkan, emitorditanahkandankolektorditanahkan, denganmasing-masingkelebihandankekurangannya.Polaritassumbertegangan yang diberikanpadatransistor pnpberbedadengan transistor npn.Misalkansuatu transistor npndengankonfigurasiemitorditanahkan. (Gambar 2a).
  3. 3.  Resistor dan membentukrangkaianpembagitegangan yang membuattegangan di titik P mempunyaihargatertentu. Arus (dapat dilihat amperemeter ) akan mengalir dari emitor ke titik P, sedang harga dipilih agar tidak melebihi maximal rating yang diperbolehkan bagi transistor tersebut. Aruskolektor (dapat dilihat pada amperemeter ) akanmengalirdariemitormenujukolektordanteruske . HargaRcharusdiambilsehingga tidak melebihi maximal rating untuk . Tetapi harga tidak hanya ditentukan oleh saja, jugaditentukanolehharga = =β . Jadi untuk = 0,1 mA dan =100 , maka . Rumusumum yang seringdigunakanuntukmenentukantegangankeluaran adalah : . adalahteganganantarakolektor-emitor (dapatdilihatpada voltmeter ). bergantung pada , sedangkan ditentukan oleh .Sehinggaharga dapatdiubah- ubahdenganmengubahharga (potensiometer) Gambar2 (a) Rangkaian transistor emitorditanahkan.(b) Lengkungciristatikkeluaran transistor emitorditanahkan.Dari grafiklengkungciristatikkeluarandiperoleh : Untuknilai tertentu akan diperoleh nilai tertentu pula. Jadinilai dan dapatdiperolehdarinilai dan .
  4. 4. Suatu transistor jikabelumdiberikansuatuisyaratmasukan, makaarus danadalah arus searah, dimana keadaan ini disebut keadaan q ataukeadaantenang.Misalkannilai ditentukansebesar 12 V, sebesar 2 KΩ. Jikanilai = 0 maka nilai = =0 Dari persamaan , jika = 0 maka = ,danjika = 0 maka = 12V /2 KΩ = 6 mA. Garis yang menghubungkankeduatitiktersebutpadapadalengkungcirikeluaranstatik (Gambar 1.2b) disebutgarisbeban. Agar arusdanisyaratkeluarantanpaisyaratmasukaninisimetrikdantanpacacat, makatitikq dipilihditengah-tengahgarisbeban (Gambar 1.3), sehingga = (q) dan = (q) . Harga (q)dan (q) jikadikalikanakandiperolehdayalesapanpada transistor. Dayalesapaniniharuslebihkecildaridayalesapanmaksimum yang dapatditerimaoleh transistor. ,dengan = (q).Untuk transistor 2 SB 56 ditentukan = 80dan dipilihkira-kira 25 μA, maka = (q) = = 2000 = 2mA dan = (q) = = 12V - (2mA x 2KΩ) = 8V Gambar3 Lengkungciristatikkeluaranbesertagaribebandantitikq. Padakeadaan dan dikatakan transistor dalam keadaan jenuh, sedang pada keadaan dan dikatakan transistor dalamkeadaanterputus (cut off). Nisbaharuskeluaran danarusmasukan ataupenguatanarusuntukkonfigurasi transistor emitorditanahkandisebut = β. Sedangkanuntukpenguatanaruspadakonfigurasi transistor basis ditanahkandisebut = α. Hubunganantarakeduabesarantersebutadalahβ = α / (1 - α).
  5. 5. BAB III METODOLOGI3.1 Waktudantempat Praktikumpercobaankarakteristikdilaksanakanpada : Hari / tanggal : Rabu, 27 April 2011 Pukul : 14.00 WITA – Selesai Tempat : LaboratoriumElektronikadanIstrumentasiJurusanFisika FMIPA UNTAD.3.2 AlatdanBahan 1. Transistor tipepnp (2 SB 56) dan transistor tipenpn(AC 127) 2. Ampermeter 3. Volmeter 4. Resistor 1 K , 270 , 470 dan 680 . 5. Resistor varibel 20 K. 6. Kabelpenghubung 7. Catudaya3.3 ProsedurKerja 3.3.1 Konfigurasi transistor emitorditanahkan 1. Membuatrangkaiansepertigambar di bawahini(Gambar4). = 20 KΩ, = 1KΩ dan 270 Ω. 2. Mengukurbesaran-besaransepertidalamtabel di bawahini. Untukmemperoleh dengan cara memutar-mutar . Gambar4 Konfigurasiemitorditanahkan.
  6. 6. Tabel 1.1 Data HasilPengukuranPercobaan A = 1KΩ = 270 Ω ( ) ∆ ∆ ∆ 40 50 75 100 125 150 3. Mengganti transistor denganjenisnpnAC127,mengulangiprosedur 1 dan2. 3. Memperhatikan, polaritassumberteganganharusdibalik. 3.3.2 Konfigurasi transistor basis ditanahkan 1. Membuatuatrangkaiansepertigambar di bawahini (Gambar5). = 10 KΩ, = 470Ωdan680Ω. Gambar5Konfigurasi Basis Ditanahkan 2. Mengukurbesaran-besaransepertitabel di bawahini.
  7. 7. Tabel 1.2 Data HasilPengukuranPercobaan B = 470 Ω = 680 Ω ( ) ∆ ∆ ∆ 40 50 75 100 125 150
  8. 8. BAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN4.1 HasilPengamatan 4.1.1 Transistor Emitorditanahkan  Transistor NPN = 1KΩ = 270 Ω ( ) ∆ ∆ ∆ 0,436 0 11,66 0 8,6 42,8 0 22 0,509 0,073 11,67 0,01 9,8 42,9 0,1 23 0,603 0,094 11,67 0 11,5 42,9 0 25 0,704 0,099 11,68 0,01 13,6 42,9 0 26,6 0,804 0,1 11,68 0 16,5 42,9 0 28,7 0,907 0,105 11,68 0 17,8 42,9 0 29,5  Transistor PNP = 1KΩ = 270 Ω ( ) ∆ ∆ ∆ 0,275 0 2,96 0 15,37 4,07 0 18,22 0,302 0,027 3,02 0,06 16,34 5,12 1,05 19,88 0,413 0,111 4,26 1,24 17,02 6,34 1,22 20,36 0,580 0,167 5,39 1,13 18,81 7,53 1,19 21,38 0,603 0,023 6,48 1,09 19,47 8,84 1,31 22,38 0,712 0,109 7,31 0,83 20,59 9,69 0,85 23,42
  9. 9. 4.1.2 Transistor Basis ditanahkan = 470 Ω = 680 Ω ( ) ∆ (mA) ∆ ∆ 11 0 21,71 0 54,2 14,96 0 74,5 15,1 4,1 21,70 -0,01 58,2 14,95 -0,01 77,6 20,1 5 21,70 0 62,3 14,95 0 80,5 25,0 4,9 21,69 -0,01 65,2 14,94 -0,01 83,1 30,2 5,2 21,69 0 67,2 14,93 -0,01 84,7 35,0 4,8 21,68 -0,01 59,2 14,92 -0,01 85,64.2 Analisa Data  Emitorditanahkan β= Transistor NPN RC = 1 kΩ β1 = = 0 β2 = = 2.22 β3 = = 11.17 β4 = = 6.67 β5 = = 47.4 β6 = = 7.61 RC = 270 Ω β1 = = 0 β2 = = 0.012 β3 = = 11 β4 = = 7.125 β5 = = 57 β6 = = 7,8
  10. 10.  Basis ditanahkan α=  RC = 680 Ω α1 = =1 α2 = =1 α3 = = 0.96 α4 = =1 α5 = =1 α6 = =1 RC = 470 Ω α1 = = 0,99 α2 = = 1,1 α3 = = 0.96 α4 = =1 α5 = =1 α6 = =1  Hubunganantarakeduabesaran dan β=
  11. 11. RC = 1 kΩ β= =∞ β= =∞ β= = 24 β= =∞ β= =∞ β= =∞ RC = 264 Ω β= = 99 β= = - 1,1 β= = 24 β= =∞ β= =∞ β= =∞4.3 Pembahasan

×