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H É C T O R F I D E L C H I R E
R A M Í R E Z
SEMICONDUCTORES
Los semiconductores son elementos que tienen una
conductividad eléctrica inferior a la de un conductor
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SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO
Un semiconductor es “intrínseco”
cuando se encuentra en estado puro,
o sea, que no contiene ningu...
En el caso de los semiconductores intrínsecos el espacio
correspondiente a la banda prohibida es mucho más estrecho
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CONDUCCIÓN INTRÍNSECA
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 La corriente en un semiconductor es debida a dos
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En la producción de semiconductores, se denomina dopaje al
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IMPUREZAS
Sustancia o conjunto de sustancias extrañas a un cuerpo o materia
que están mezcladas con él y alteran, en algun...
Cuando un elemento con cinco electrones de valencia entra
en la red cristalina del silicio, se completan los cuatro
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UTILIDAD DEL DOPADO
La idea de dopar un semiconductor es variar sus propiedades
eléctricas.
Los metales conducen a base de...
DOPAJE TIPO P
Los de tipo P son dopados con otros elementos para que
les falten electrones, lo que normalmente se denomina...
DOPAJE TIPO N
Los de tipo N se dopan para tener electrones de más.
El siguiente es un
ejemplo de dopaje de
Silicio por el ...
FUENTES DE INFORMACIÓN
• http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor
• http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/default...
Semiconductores intrinsecos y dopados
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Semiconductores intrinsecos y dopados

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Semiconductores intrinsecos y dopados

  1. 1. H É C T O R F I D E L C H I R E R A M Í R E Z
  2. 2. SEMICONDUCTORES Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad eléctrica inferior a la de un conductor metálico pero superior a la de un buen aislante. El semiconductor más utilizado es el silicio, que es el elemento más abundante en la naturaleza, después del oxígeno. Otros semiconductores son el germanio y el selenio
  3. 3. SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO Un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. La tensión aplicada en la figura forzará a los electrones libres a circular hacia la derecha (del terminal negativo de la pila al positivo) y a los huecos hacia la izquierda.
  4. 4. En el caso de los semiconductores intrínsecos el espacio correspondiente a la banda prohibida es mucho más estrecho en comparación con los materiales aislantes. La energía de salto de banda (Eg) requerida por los electrones para saltar de la banda de valencia a la de conducción es de 1 eV aproximadamente. En los semiconductores de silicio (Si), la energía de salto de banda requerida por los electrones es de 1,21 eV, mientras que en los de germanio (Ge) es de 0,785 eV.
  5. 5. CONDUCCIÓN INTRÍNSECA Si Si Si Si 0ºK C, Si, Ge Grupo IV de la tabla periódica 1s2 2s2 2p2 3s2 3p2 3d10 4s2 4p2 Faltan 4 electrones en la última capa
  6. 6. Si Si Si Si Si Si Si Si Si 0ºK 300ºK + Electrón Hueco
  7. 7. ACCIÓN DEL CAMPO ELÉCTRICO Si Si Si Si Si Si Si Si Si + + + + + + + - - - - - - +
  8. 8.  La corriente en un semiconductor es debida a dos tipos de portadores de carga: HUECOS y ELECTRONES  La temperatura afecta fuertemente a las propiedades eléctricas de los semiconductores: mayor temperatura más portadores de carga menor resistencia
  9. 9. En la producción de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrínsecos. Un semiconductor altamente dopado, que actúa más como un conductor que como un semiconductor, es llamado degenerado. TÉCNICAS DE DOPADO: – Difusión de impurezas – Implantación iónica MATERIALES DOPANTES
  10. 10. IMPUREZAS Sustancia o conjunto de sustancias extrañas a un cuerpo o materia que están mezcladas con él y alteran, en algunos casos, alguna de sus cualidades. En la práctica, para mejorar la conductividad eléctrica de los semiconductores, se utilizan impurezas añadidas voluntariamente. Para el dopado, se utiliza dos tipos: • Impurezas pentavalentes Son elementos cuyos átomos tienen cinco electrones de valencia en su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el fósforo, el antimonio y el arsénico. • Impurezas trivalentes Son elementos cuyos átomos tienen tres electrones de valencia en su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el boro, el galio y el indio.
  11. 11. Cuando un elemento con cinco electrones de valencia entra en la red cristalina del silicio, se completan los cuatro electrones de valencia que se precisan para llegar al equilibrio y queda libre un quinto electrón que le hace mucho mejor conductor. De un semiconductor dopado con impurezas pentavalentes se dice que es de tipo N En cambio, si se introduce una impureza trivalente en la red cristalina del silicio, se forman tres enlaces covalentes con tres átomos de silicio vecinos, quedando un cuarto átomo de silicio con un electrón sin enlazar, provocando un hueco en la red cristalina. De un semiconductor dopado con impurezas trivalentes se dice que es de tipo P
  12. 12. UTILIDAD DEL DOPADO La idea de dopar un semiconductor es variar sus propiedades eléctricas. Los metales conducen a base de tener electrones sueltos en su capa superior. Cuando se fabrican semiconductores, se buscan generalmente de dos tipos, P y N.
  13. 13. DOPAJE TIPO P Los de tipo P son dopados con otros elementos para que les falten electrones, lo que normalmente se denominan huecos en electrónica. El ejemplo de dopaje de Silicio por el Boro (P dopaje). En el caso del boro le falta un electrón y, por tanto, es donado un hueco de electrón
  14. 14. DOPAJE TIPO N Los de tipo N se dopan para tener electrones de más. El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Fósforo (dopaje N). En el caso del Fósforo, se dona un electrón.
  15. 15. FUENTES DE INFORMACIÓN • http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor • http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/default.asp • http://es.wikipedia.org/wiki/Portador_mayoritario • http://fisicadesemiconductorescun.blogspot.com/2010/09/fisica-de- semiconductores.html • https://www.google.com.pe/search?hl=es- 419&site=imghp&tbm=isch&source=hp&biw=1024&bih=682&q=semiconductores+intrins ecos&oq=semiconductores+in&gs_l=img.1.0.0j0i24l9.3767.12339.0.14566.25.13.3.9.10.0.2 09.2056.1j11j1.13.0....0...1ac.1.26.img..2.23.1820.iVI3Jtu0WCM • https://www.google.com.pe/search?hl=es- 419&site=imghp&tbm=isch&source=hp&biw=1024&bih=682&q=semiconductores+intrins ecos&oq=semiconductores+in&gs_l=img.1.0.0j0i24l9.3767.12339.0.14566.25.13.3.9.10.0.2 09.2056.1j11j1.13.0....0...1ac.1.26.img..2.23.1820.iVI3Jtu0WCM#hl=es- 419&q=semiconductores+dopados&tbm=isch • http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semiconductor_4.htm • http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores) • http://www.fisicanet.com.ar/fisica/electrodinamica/ap06_conductores_aislantes.php

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  • mariocamposgonzales

    Oct. 15, 2015

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